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砷化镓薄膜的电共沉积工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
一、引言 众所周知砷化镓(GaAs)是一种重要的半导体材料,可用它制造太阳电池、光学滤波器、发光二极管、激光器和其它的光电器件。然而现有制备GaAs的工艺都是十分复杂、耗能大、生产周期长因而成本高,这样以来,就成为限制GaAs作为太阳电池等器件材料的主要因素。多年来,寻找低成本制备GaAs的工艺便成为半导体工作者的重要研究方向。这里介绍的称之为电共沉积工艺,就是一种低成本制备GaAs薄膜工艺。Chandra等人曾用此工艺成功地制备了CdSe、MoSe、WSe和CuIn-Se_2等薄膜,而对制备GaAs薄膜的研究报导却很少。 相似文献
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Mg:Fe:LinbO_3晶体光折变增强效应的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在铌酸锂晶体中掺MgO和Fe2O3,生长出Mg:Fe:LiNbO3晶体.由于薄晶片的光爬行效应,晶体的二波耦合指数增益系数高达80cm-1,且角度响应范围加宽,响应速度和抗光散射能力都比Fe:LiNbO3有较大改善.以Mg:Fe:LiNbO3晶体作光放大器,实现了一次迭代全息关联存储. 相似文献
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本文提出了一种以聚酰亚胺为介质膜的电容式湿度传感器.它的工作原理是,在不同的湿度环境下,聚酰亚胺—水系统介电常数改变引起传感器电容的变化.该传感器具有工艺简单、体积小、灵敏度高、响应快等优点.该文介绍了它的结构、制造工艺和试验结果. 相似文献
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