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直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体(radio frequency capacitively coupled plasma, RF-CCP)表面充电效应, 但仍存在其对RF-CCP放电参量影响规律不明确, 电源对参量控制复杂等问题. 构建了直流源与射频源的板-板结构RF-CCP仿真模型, 在射频源基础上施加负直流源, 研究直流偏置对RF-CCP放电特性影响, 并比较射频与直流偏置对放电参量影响差异. 结果表明, 无直流源时, 周期平均电子密度Ne, ave, 周期平均电子温度Te, ave均为对称分布, Ne, ave呈现两端小、中间大的凸函数分布, Te, ave在距极板4 mm以内鞘层区均有陡然上升, 极大值出现在距极板1 mm左右处; 直流源会使等离子体主体区Ne, ave升高并发生偏移, 直流源侧Ne, ave降低, 对侧Ne, ave增加, 且对侧增加速率较快. 直流偏置可改善单侧电子温度与电子通量, 但提高电子密度能力弱于射频源. 实际工程中, 若欲提高单侧电子温度与电子通量, 应施加直流源, 若提高整体电子密度, 应提高射频源功率. 相似文献
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Entropy evolution properties in a system of two entangled atoms interacting with light field
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In this paper, we use the field entropy as a measurement of the degree of entanglement between the light field and the atoms of the system which is composed of two dipole—dipole interacting two-level atoms initially in an entangled state interacting with the single mode coherent field in a Kerr medium. The influence of the coupling constant of dipole—dipole interaction between atoms and the coupling strength of the Kerr medium with the light field and the intensity of the light field on the field entropy are discussed by numerical calculations. It is shown that when the coupling strength of the Kerr medium with the light field is large enough, and the light field is strong, the degree of entanglement between the atoms with the light field becomes weaker. The degree of entanglement only changes slightly with the change of the coupling constant of dipole—dipole interaction between atoms. 相似文献