全文获取类型
收费全文 | 89篇 |
免费 | 21篇 |
国内免费 | 14篇 |
专业分类
化学 | 11篇 |
晶体学 | 4篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 5篇 |
物理学 | 27篇 |
无线电 | 76篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 3篇 |
2022年 | 5篇 |
2021年 | 2篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 2篇 |
2018年 | 1篇 |
2017年 | 2篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 5篇 |
2014年 | 15篇 |
2013年 | 7篇 |
2012年 | 14篇 |
2011年 | 8篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 10篇 |
2008年 | 7篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 1篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2000年 | 1篇 |
1999年 | 1篇 |
1997年 | 1篇 |
1993年 | 1篇 |
1991年 | 1篇 |
1987年 | 1篇 |
排序方式: 共有124条查询结果,搜索用时 234 毫秒
71.
基于多普勒频率差的三站无源定位技术 总被引:1,自引:0,他引:1
如何消除无源时差定位系统对高重频目标源的定位模糊是一直倍受关注的问题。利用多普勒频率差无源定位算法解决了对高重频目标源的定位模糊问题,通过仿真实验验证了该方法的可行性和有效性。 相似文献
72.
73.
本文提出了一种分辨率为800?600硅基有机发光二极管(Organic-Light-Emitting-Diode -on-Silicon, OLEDoS)像素驱动电路。采用亚阈值驱动的像素单元电路工作电流范围为170pA到11.4nA。为了保证列总线的电压维持在一个比较高的值,采样保持电路采用“乒乓”操作。驱动电路采用已经商业可用的0.35μm 2P4M的CMOS 混合信号工艺进行制备。像素单元面积大小是15*15μm2,整个芯片的尺寸为15.5?12.3mm2。实验结果表明芯片能在刷新频率为60Hz下正常工作,并且能实现64阶灰度(单色)显示。在3.3V供电电压下整个芯片的功耗大约为85毫瓦。 相似文献
74.
在基于0.13μm CMOS工艺制程下,为研究片上集成电路ESD保护,对新式直通型MOS触发SCR器件和传统非直通型MOS触发SCR进行了流片验证,并对该结构各类特性进行了具体研究分析。实验采用TLP(传输线脉冲)对两类器件进行测试验证,发现新式直通型MOS触发SCR结构要比传统非直通型MOS触发SCR具有更低的触发电压、更小的导通电阻、更好的开启效率以及更高的失效电流。 相似文献
75.
高光谱图像中包含丰富的光谱特征和空间特征,这对地表物质的分类至关重要.然而高光谱图像的空间分辨率相对较低,使得图像中存在大量的混合像素,这严重制约物质分类的精度.受到观测噪声、目标区域大小及端元易变性等因素的影响,使得高光谱图像的分类仍然面临诸多挑战.随着人工智能和信息处理技术的不断进步,高光谱图像分类已成为遥感领域的... 相似文献
76.
77.
A two-dimensional threshold voltage analytical model for metal-gate/high-k/SiO<sub>2</sub> /Si stacked MOSFETs 下载免费PDF全文
In this paper the influences of the metal-gate and high-k/SiO 2 /Si stacked structure on the metal-oxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET) are investigated.The flat-band voltage is revised by considering the influences of stacked structure and metal-semiconductor work function fluctuation.The two-dimensional Poisson’s equation of potential distribution is presented.A threshold voltage analytical model for metal-gate/high-k/SiO 2 /Si stacked MOSFETs is developed by solving these Poisson’s equations using the boundary conditions.The model is verified by a two-dimensional device simulator,which provides the basic design guidance for metal-gate/high-k/SiO 2 /Si stacked MOSFETs. 相似文献
78.
Turbo码以其优异的纠错性能被应用到许多领域,尝试把先进的Turbo码技术引入到数字地面电视广播系统的信道编码方案中,并利用仿真系统针对译码算法、交织器技术、通信信道等不同的系统参数对改进后的系统的性能影响进行仿真研究。仿真结果表明,引入Turbo码的系统性能优于原DVB-T系统。 相似文献
79.
80.