新型慢波系统毫米波行波管研究

研究了三种新型的曲折波导慢波系统,分别是曲折双脊波导、脊加载曲折波导和矩形槽加载曲折波导。给出了其高频特性的理论和仿真结果。然后介绍了基于常规曲折波导和脊加载曲折波导慢波系统的Ka 波段行波管的实验结果。     

一种新型缺陷接地结构的BP神经网络模型

组合式非周期性缺陷接地结构(CNPDGS)是在微波电路的接地金属平面上人为地蚀刻出特殊形状的非周期性"缺陷",改变接地电流的分布,从而改变传输线的频率特性.本文针对一种新型的具有双阻带特性的CNPDGS,在场分析的基础上建立了其BP神经网络模型,将其结构尺寸和频率作为输入样本,传输系数参数作为输出样本,采用贝叶斯正则化算法对神经网络进行训练.神经网络训练完成后,在学习范围内将其结构尺寸和频率输入到神经网络模型,从输出端立即得到准确的传输系数.最后通过了实验验证,进一步说明了神经网络模型的正确性和有效性,为DGS的分析和设计提供了新的有效途径.     

双光束激光多普勒转速测量系统的实验验证

激光多普勒测速技术具有非接触、无磨损、精度高等优点,被广泛应用于工业、航海、航天等领域的高精度速度、加速度、长度测量。双光束激光多普勒测速技术作为其中的一个分支,具有结构简单、抗干扰强的特点。为提升双光束激光多普勒测速技术的测量精度,搭建一种测量圆周转动线速度的轴对称型双光束激光多普勒系统,采用高速响应的探测器观测差频信号。当目标的线速度为1 596.6 mm/s时,激光多普勒差频信号理论值是0.975 MHz,测量角度为0°,实验观测到的差频信号是1.013 MHz,与理论值相比误差约为3.8%;进而变换观测器的不同角度位置,测量得到的多普勒频移和0°的频移误差在0.8%以内。结果表明,该测量系统能够测量到运动物体的多普勒频移信号,同时更改双光束激光多普勒测速的观测器角度,不影响测量结果。该实验系统为后续进一步进行激光多普勒测速技术的研发打下了良好的基础。     

近场条件下数字阵列雷达自适应波束形成技术研究

针对近场条件下数字阵列雷达导向矢量幅相非一致性对自适应波束形成（adaptive beamforming,ADBF）算法性能的影响,通过构建近场多通道数字阵列雷达回波信号模型,分析近场多通道信号二维频谱,发现在近场条件下带限干扰信号的频谱会出现非均匀分布,呈现周期性栅格分布特征,造成算法性能下降.本文提出一种具有全新干扰样本选择策略的近场ADBF(near field ADBF, NF-ADBF)算法,通过寻优干扰信号频谱栅格边界,在栅格区间进行多门限样本筛选,离散提取干扰信号样本,构建完备的干扰信号协方差矩阵,提升近场条件下的自适应处理性能.通过在地面搭建仿真试验环境,模拟典型的数字阵列近场工作环境,通过录取试验数据分析并与理论仿真进行对比,验证了近场干扰样本筛选策略和NF-ADBF算法模型的有效性.     

四甲基双硅桥联环戊二烯基稀土金属有要配合物的合成…

四甲基双硅桥联环戊二烯基钠与无水三氯化稀土在ＴＨＦ溶反应合成了标题配合物Ｍｅ４Ｓｉ２（Ｃ５Ｈ４）２ＬｎＣｌ［Ｌｎ：３Ｎｄ，４Ｓｍ，５Ｇｄ，６Ｙ］和配合物Ｍｅ４Ｓｉ２（Ｃ５Ｈ５）２Ｌｎ（Ｃ５Ｈ５）（ＴＨＦ）ｎ［ＬＮ：１Ｌａ，ｎ＝１；２Ｐｒ，ｎ＝０］。通过元素分析、ＨＮＭＲ、＾１３ＣＮＭＲ和ＭＳ确证了配合物的结构，在ＴＨＦ溶液中重结晶获得配合物４的单晶，Ｘ射线衍证明晶体结构为二聚体。４为单斜晶系，空间     

三维全扫描荧光法在油田单井评价中的应用研究

采用信息量大的三维全扫描荧光法，以发射、激发波长和荧光强度三维空间荧光图和荧光强度等高线图描述样品中的芳烃含量。以总荧光强度、特征荧光强度及Ｒ值来研究芳烃含量随井深的变化情况和油气运移机制。     

NO在Cu—ZSM—5分子筛上程序升温脱附研究

本文用等温动态吸附和程序升温脱附技术研究了ＮＯ与Ｃｕ－ＺＳＭ－５的相互作用，并根据还原预处理样品上ＮＯ吸、脱附循环的研究探讨了全过程样品所经历的氧化还原循环。在２５℃等温吸附时，ＮＯ与Ｃｕ＾＋和／或Ｃｕ＾０反应产生了Ｎ２、Ｎ２Ｏ和Ｃｕ＾２＋以及超晶格氧，同时在Ｃｕ＾＋上有许多可逆吸附的ＮＯ．ＮＯ吸附在Ｃｕ＾２＋上是稳定的。升高温度时，ＮＯ分为三种状态脱附，分别位于约１００，１８０和４００℃。后两种     

现代智慧配电网的发展形势与应对策略分析

配电网是直接关系人民生产生活的重要基础设施,在国内大力推动新型电力系统建设的背景下,建设高质量的现代智慧配电网是实现能源绿色高效转型的关键路径。文章总结国内外现代智慧配电网发展与建设的先进经验,利用SWOC分析总结现代智慧配电网建设的内外部环境,探索现代智慧配电网的整体发展目标。研究成果可为电网公司现代智慧配电网的发展目标提供理论支撑。     

小周期金属多层膜厚度评价

超晶格多层膜是随着现代科技的进步而发展起来的新一代电子薄膜材料,半导体超晶格和量子阱多层膜材料在光电子领域已经占据了不可取代的地位。1988年,法国科学家在由Fe、Cr交替沉积而形成的[Fe/Cr]金属多层膜中发现了超过50%的磁电阻变化率,这种现象被称为巨磁阻效应(GMR)[1]。