Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性

用溅射后退火反应法在Si(111)衬底上制备的高质量GaN薄膜. XRD, XPS, SEM和PL测量结果表明该方法制备的GaN是六角纤锌矿结构的多晶. GaN的最大晶粒尺寸约为100 nm. 在354 nm处发现强室温光致发光峰, 带隙相对于体GaN发生了轻微蓝移.     

溅射后退火反应法制备GaN薄膜的结构与发光性质

报道了用溅射后退火反应法在 Ga As (110 )衬底上制备 Ga N薄膜 .XRD、XPS、TEM测量结果表明该方法制备的 Ga N是沿 c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜 .PL测量结果发现了位于 36 8nm处的室温光致发光峰.     

托卡马克实验与工程——HL-2A装置上芯部弹丸加料中的电子热输运研究

从80年代中期开始，在许多聚变装置上观察到了用弹丸注入改善的等离子体能量约束。在JET和一些大型托卡马克上实现了弹丸增强约束模（PEP）。PEP模的机制也已在理论上做了分析。分析表明，有多种机制在减小反常输运中起作用，而这些机制的作用依赖于实验的条件。本文将报道在HL-2A装置上无辅助加热条件下的弹丸加料实验结果。该工作的着重点是研究在中心加料欧姆放电中的电子热输运。     

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腔靶转换区辐射温度测量及定标关系

对近年来的激光腔靶实验的辐射温度作了综合分析和研究。对多种不同类型的柱型腔靶,在波长1.06μm的各种激光条件(不同的能量和脉宽)下,测量了腔靶转换区的辐射温度,并研究了辐射温度作为入腔激光能量、脉宽及腔靶转换区内表面积函数的定标关系。     

159TbII超精细结构光谱测量

利用具有光谱高分辨和选择性激发等特点的共线快离子束激光光谱学方法研究了^159TbⅡ亚稳态4f^95d^7H8^0和激发态4f^96p3/2(15/2,3/2)的超精细结构光谱，所有光谱线可以很好地分辨；并由实验测量得到的高分辨超精细结构光谱，给出了相应能级的超精细结构常数。     

电路包络:一种微波电路稳态分析新方法

现代通信信号在射频载波上采用复杂的数字调制(如/4DQPSK,GMSK和QAM)以提高频谱效率。通用的两种仿真技术(时域积分法和谐波平衡法)不能对任意载波频率调制的通信系统进行有效的分析。介绍了可以填补这一空缺的仿真技术,并用该方法对二极管强非线性电路进行了分析。仿真结果表明这种仿真方法是有效的。     

Application of Corner Transfer Matrix Renormalization Group Method to the Correlation Function of a Two－Dimensional Ising Model ＊

The correlation function of a two-dimensional Ising model is calculated by the corner transfer matrix renormal-ization group method. We obtain the critical exponent η= 0.2496 with few computer resources.     

键合氢对GDa—Si:H薄膜光致发光性质的影响

测量了在不同衬底温度下制备的GDa-Si:H膜的光致发光谱和光吸收谱。实验发现键合氢含量的增加导致光致发光峰强度、发光峰能量、发光带半宽度、Stokes位移和热淬灭的增大。由此导出:(1)键合氢不仅能消除无辐射复合中心,而且能产生辐射复合中心;(2)随着键合氢含量的增加电子-声子相互作用增强,带尾宽度缓慢变窄。 关键词：