低温制备微晶硅薄膜生长机制的研究

采用热丝化学气相沉积技术制备了一系列处于不同生长阶段的薄膜样品，用原子力显微镜系 统地研究生长在单晶硅衬底和玻璃衬底上薄膜表面形貌的演化.按照分形理论分析得到：在 玻璃衬底上的硅薄膜以零扩散随机生长模式生长；而在单晶硅衬底上，薄膜早期以有限扩散 生长模式生长，当膜厚超过某一临界厚度时转变为零扩散随机生长模式.岛面密度与膜厚的 依赖关系表明，在临界厚度时硅衬底和玻璃衬底上的岛面密度均出现了极大值.Raman谱的测 量证实，玻璃衬底上薄膜临界厚度与非晶/微晶相变之间存在密切的关系.不同的衬底材料直 接影响反应 关键词： 生长机制 微晶硅薄膜 表面形貌 热丝化学气相沉积     

掺氧液相外延GaAs的拉曼光谱

本文报道了掺氧液相外延GaAs材料的拉曼光谱测量结果.观测到体内晶格振动的LO与等离子激元的耦合模L_+和L_-以及表面耗尽层的LO,2TO和2LO.在2.7 ×10~(12)cm~(-3)-5.6 × 10~(12)cm~(-3)的电子浓度范围内,实验结果与理论计算结果是一致的.     

生长在尖晶石衬底上的GaN外延层的喇曼散射研究

在室温下测量了用ＭＯＶＰＥ方法生长在尖晶石（ＭｇＡｌ２Ｏ４）衬底上的ＧａＮ外延层的一阶喇曼光谱．应用各种背散射和９０°散射配置，测得了除低频Ｅ２模外所有ＧａＮ的喇曼活性光学声子模．并且在Ｘ（Ｚ，Ｘ）Ｚ和Ｘ（Ｙ，Ｙ）Ｚ配置下观测到了由Ａ１和Ｅ２模混合形成的准ＴＯ和准ＬＯ模．所得结果与群论选择定则预计的一致     

用静压光致发光研究GaAs/AlAs短周期超晶格的Ⅰ一Ⅱ类超晶格转变点

<正> 近年来,GaAs/AlAs短周期超晶格的研究受到越来越多的重视。在GaAs/AlAs超晶     

静压下（CdSe）_m／（ZnSe）_n－ZnSe超短周期超晶格量子阱的共振喇曼散射研究

在静压和液氮温度下观察到（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中重空穴激子的复合发光和多达４阶的类ＺｎＳｅＬＯ多声子喇曼散射，并观察到厚ＺｎＳｅ势垒层的带边发光和限制在厚势垒层中的类ＺｎＳｅＬＯ声子散射．结果表明，加压后（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中的类ＺｎＳｅ的１ＬＯ和２ＬＯ声子模频率分别以３．７６和７．１１ｃｍ－１／ＧＰａ的速率向高频方向移动，超晶格阱层光致发光峰的压力系数为５９．８ｍｅＶ／ＧＰａ．与（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率比与ＺｎＳｅ势垒层共振时的类ＺｎＳｅ１ＬＯ声子模频率低２．０ｃｍ－１，反映了（ＣｄＳｅ）ｍ／（ＺｎＳｅ）ｎ短周期超晶格中ＬＯ声子的限制效应     

第21届国际半导体物理会议将在北京召开

国际半导体物理会议(ICPS)是由国际纯粹和应用物理联合会(IUPAP)半导体委员会主办的半导体科学领域内重要的系列性国际学术会议.它隔一年召开一次.自1950年第一届会议以来已举办过20届.会议规模之大(800—1000人),出席会议的权威科学家之多以及会议论文的录取标准之高,都说明了这一会议在国际半导体科技界内的权威性.以往的历届会议都充分反映了当时半导体科学技术领域内最新研究成果和发展动态,推动了半导体物理研究事业的深入发展,揭示了半导体物理潜在的应用背景. 这一系列性国际会议以往都在欧洲、北美洲和日本举行.参加会议的近千…     

分子束外延低温生长GaAs的Raman光谱研究

我们对从ＧａＡｓ衬底剥离下来的低温下分子束外延生长的ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）薄膜进行了喇曼光谱测量，研究了不同温度下生长的ＬＴＧ－ＧａＡｓ在退火前后晶体完整性的变化．我们首次观测到了１９０℃生长样品中Ａｓ沉淀物所引起的喇曼峰，并证明８００℃快速热退火３０秒后产生的Ａｓ沉淀物是无定形Ａｓ．     

紧凑天线测试埸设计考虑

众所周知,测量天线方向性图时必须满足一个基本条件,即被测天线所接收的电波应是一个平面波。实际上,作为波源的天线,它所辐射的电波在远区常是一个球面波。为了取球面波的一部份去逼近平面波,波源天线与被测天线之间的距离要求很大,通常为30～1000米。确定距离的原则是,在被测天线口径上,中心与边缘处的场的相位差至少小于π/8。于是根据简单的推导可得测量天线与波源天线之间的最小距离为     

单斜相WO_3的水热合成及其光催化性能的研究

利用水热合成法,以钨酸钠为钨源,硝酸为酸源,柠檬酸与酒石酸为辅助剂,制备了单斜相且形貌规整的WO_3。对WO_3样品进行了X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及紫外可见漫反射(UV-vis-DR)分析,测试了样品的BET比表面积,考察了硝酸与钨原子物质的量比,柠檬酸、酒石酸与钨原子物质的量比对样品晶相与形貌的影响。结果表明,大量硝酸及羟基酸的加入都有利于WO_3单斜相的形成,当硝酸与钨原子的物质的量比为2.8∶1,羟基酸与钨原子的物质的量比为0.8∶1时,能够制得单斜相、形貌规整的WO_3样品。将WO_3与p型半导体物质CuCrO_2复合得到CuCrO_2-WO_3复合催化剂用于光催化分解水产氢的实验,高结晶度的单斜相WO_3具有较好的光催化性能。     

ICESat-2 ATL03数据预处理及校正方法

2018年9月15日,美国航空航天局成功发射了ICESat-2卫星,ICESat-2搭载了地形激光测高仪系统（ATLAS）,已经广泛应用于极地冰盖高程测量、海冰厚度估算、陆地高程测量、地表植被测量等多个研究领域。不同于GLAS/ICESat,ATLAS在信号探测系统中采用更为灵敏的单光子探测器,每秒发射10 000个脉冲（GLAS/ICESat系统每秒发射40个脉冲）,可以获取到重复频率更高、光斑更小的高密度光子计数回波数据,进而实现高精度全球观测。由于ATLAS采用的探测器光电倍增管（PMT）after-pulse的影响,在回波信号脉冲输出后常会出现小幅度脉冲干扰,不能准确反映原始信号波形,所以在实际应用过程中,必须对测量信号进行校正。首先基于ATL03产品,对光子计数回波数据进行预处理,获得了海冰、海洋、陆地和沙漠的廓线信息,结果显示在主信号回波之后均存在两个小的脉冲回波（约2.3 m和4.2 m处）,此外陆地和沙漠在10~45 m间存在一个更长时间延迟的脉冲回波,证实了不同反射表面均会受到PMT after-pulse影响。然后利用ICESat-2卫星过境撒哈拉沙漠地区的夜间观测数据,计算了不同波束下的脉冲响应函数,6个波束得到的脉冲响应函数整体形态相似,在主信号回波后出现三个不同幅度的脉冲回波（约2.3 m、4.2 m和6.5 m处）。最后利用6个波束的脉冲响应函数对同一海洋剖面进行校正,结果显示除ATLAS Beam2外,其余波束均可有效滤除主脉冲之后的小幅度脉冲,校正得到真实的水下回波信号。