棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的制备与发光性能

采用一种简单的液相反应法在室温下合成了棒状的LaF3∶Eu3+纳米晶, 对其结构和发光性能进行了表征. XRD分析结果表明, 室温下即可得到结晶良好的六方晶相的LaF3, 灼烧之后样品的衍射峰增强, 没有杂相产生. TEM照片表明, 棒状LaF3∶Eu3+纳米材料的直径为8 nm左右, 长度达到50 nm. 荧光光谱表明, 室温下合成的棒状LaF3∶Eu3+纳米晶的最强发射峰位于589 nm, 对应于Eu3+的5D0-7F1跃迁发射, 说明Eu3+占据LaF3基质中La3+晶格点的C2对称格位上. 同时Eu3+的猝灭摩尔分数为5%, 荧光寿命随着灼烧温度的升高而延长.     

相控阵雷达动平台波束稳定建模与仿真分析

本文通过对动平台上相控阵雷达的波束指向进行建模,分析动平台航向角、横摇角及纵摇角改变的对雷达波束指向的影响。利用姿态转换矩阵进行坐标变换,提出动平台下相控阵雷达波束指向稳定算法。通过蒙特卡洛仿真分析,验证了本文所提出的算法的有效性,稳定后的误差小于0.3°,满足实际使用需求。     

紫茎泽兰器官表面微形态的观察

紫茎泽兰为世界性的恶性杂草，严重影响了世界30多个国家的农、林、牧、副业的发展。本文利用扫描电子显微镜和光学显微镜对紫茎泽兰的茎、叶、花、果实及种子等各种器官表皮微形态特征进行了比较观察。结果表明：气孔器分布于叶的远轴面、茎表皮和总苞片的远轴面，其中在叶的远轴面上具两型性气孔器。单列多细胞表皮毛在叶的远轴面、茎表皮、总苞片的远轴面和花瓣的远轴面均有分布。具两列柄细胞的腺毛分布于总苞片的远轴面，而具单列柄细胞的腺毛见于花瓣的远轴面和茎表面。在花瓣的近轴面和柱头表面有长乳突状细胞。通过对其不同器官表面微形态性状的进一步统计分析表明，各种器官的表皮细胞大小、气孔开口度与间距、表皮毛与乳突状细胞的长度及间距等均存在显著性差异。上述观察结果，为进一步探讨外来恶性杂草紫茎泽兰的生态分布和生活习性，以及检疫部门鉴定该种植物提供重要依据。     

用硅离子注入方法制备的纳米硅的拉曼散射研究

在直角散射配置下测量了纳米硅样品的拉曼散射谱及其退火温度的关系。结果表明,在８００℃以下退火的样品只观察到单晶硅衬底的光学声子模,在９００℃以上退火,才观察到纳米硅的特征拉曼散射峰。在１２００℃下退火后,纳米硅的特征拉曼散射峰消失,观察到类似于非晶硅的光学声子特征峰,可能表示纳米硅不能承受这样的高温热退火。这些结果进一步证实了光致发光谱的结果。     

二苯并噻吩和吲哚在NiMoS/γ-Al2O3上加氢脱硫和加氢脱氮反应的相互影响

在固定床高压微反装置上考察了预硫化型NiMoS/γ-Al2O3催化剂上二苯并噻吩（DBT）加氢脱硫（HDS）反应和吲哚加氢脱氮（HDN）反应之间的相互影响。结果表明,吲哚对DBT的加氢脱硫反应具有抑制作用,其中对加氢路径（HYD）比对氢解路径（DDS）的抑制作用强,温度升高后,吲哚的抑制作用减弱。吲哚对DBT加氢脱硫反应的抑制作用源于吲哚及其HDN反应的中间产物在活性位上的竞争吸附。DBT和原位生成的H2S促进了催化剂表面硫阴离子空穴（CUS）向B酸位的转化,从而提高1,2-二氢吲哚（HIN）分子中C(sp3)—N键的断裂能力,使得吲哚的转化率和产物中邻乙基苯胺（OEA）的相对含量增大。HDN活性相的形成虽然需要硫原子的参与,但是活性相的保持并不需要大量的硫原子,较高含量硫化物存在时加氢活性位减少,不利于脱氮反应。     

基于问题讨论的化学实验复习教学

化学实验是化学教学的重要组成部分,是高考的重要内容,也是高考中学生失分最多的试题。根据高中学生思维及化学实验内容的特点,采用问题讨论的方式,结合动手实验、多媒体教学手段进行复习教学,能够有效突破化学实验复习的重点和难点。     

N-多氟烷基取代和葡萄糖基取代的1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的合成及其杀虫活性

为改善三唑类化合物的生物活性, 以3-苯基-4-氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮为原料, 将其与芳香醛在冰醋酸体系中反应, 得到3-苯基-4-芳基亚甲氨基-1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱(4a～4i). 在此基础上, 化合物4a～4i分别与多氟烷基碘代烷和溴代乙酰基葡萄糖反应合成了一系列1,2,4-三唑-5-硫酮类席夫碱的多氟烷基取代物5a～5r和葡萄糖基取代物6a～6d, 并用¹H NMR, ¹⁹F NMR, IR和MS谱以及元素分析表征了它们的结构. 初步生物活性测试结果表明, 部分目标化合物具有明显的杀虫活性.     

压电驱动金刚石对顶砧加压装置的研制和应用

金刚石对顶砧加压装置广泛用于物理、化学、材料等许多科学领域。自Bridgman发明金属对顶砧及随后发展金刚石对顶砧以来,对顶砧装置设计和加压技术得到不断发展。文章介绍采用压电驱动金刚石对顶砧来产生高压,实现低温20 K下原位连续加压,连续加压范围约2—4 GPa。该加压装置具有体积小、操作方便,可装在小型低温恒温器中使用等优点。     

FPGA在数据重排中的跨时钟处理

数据重排是雷达信号处理的关键步骤,但是面临着数据量大、实时性高及接口复杂等特点,本文采用FPGA和DDR3的硬件架构,灵活地使用乒乓操作、异步FIFO及相关信号的状态反压等控制技巧,提出了一种跨多时钟域处理的设计,通过仿真分析和板卡实测,能满足新体制雷达大批量信号处理需求.     

纳米碳管模板法制取的GaP纳米棒拉曼光谱研究

报道了用纳米碳管模板法制备的GaP纳米棒的拉曼光谱特征，观测到声子限制效应引起的GaP纳米棒TO和LO模的红移，红移量一般在2－10cm^-1之间，与所测到的纳米棒的尺寸有关，在偏振特性研究中，发现GaP纳米棒的偏振特性不能用单根纳米棒的选择定则来解释，而与测量光斑内多根纳米棒的无序取向有关，无序程度越高，偏振特性的方向性越弱，当激发光功率增加时，GaP纳米棒的TO和LO模的频率显著减少，表明纳米棒中的激光加热效应比体材料中强很多，而且GaP纳米棒的拉曼散射强度随激发光功率的增加先饱和，然后减小，表明在强激发功率下GaP纳米棒中的缺陷会迅速增加。