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171.
论述了塞曼效应校正光谱背景吸收技术的物理原理,讨论了仪器结构及工作原理、特点,以及磁场强度对校正背景效果的影响。 相似文献
172.
在77K,0—60kbar范围内对在同一衬底上生长的In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs和GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱的静压下的光致发光进行了对照研究。在GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As量子阱中同时观察到导带到轻重空穴子带的跃迁。而在In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs阱中只观察到导带到重空穴子带的跃迁。与GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As的情况相反,In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs 量子阱的光致发光峰的压力系数随阱宽的减小而增加。在压力大于48kbar时观察到多个与间接跃迁有关的发光峰,对此进行了简短的讨论。 相似文献
173.
174.
本文在文献〔1〕思路基础上,推导了旋转曲面形圆顶天线的固定延迟相位和馈电平面形相控阵天线的相位计算公式。应用同样的分析方法,推导了介质型圆顶天线的外形曲线方程和馈电阵口径相位计算方程。一、固定延迟相位计算公式的推导在以下公式的推导中,基本原理见文献〔1〕,设无源透镜是由任意曲线r(θ)绕Z轴旋转而成的曲面,天线元则假定连续地排列在曲面上。我们要求透镜在θ角方向有放大扫描角的作用,在方位方向则作对称扫描。如图1所示,由图示的几何关系可 相似文献
175.
176.
177.
178.
179.
在0—7GPa静压范围内测量了自发有序Ga05In05P合金的室温光致发光谱.三块样品的常压带隙能量分别比无序样品低115,92和43meV,它们的压力系数也从无序样品的92meV/GPa分别减小到75,81和83meV/GPa.用ΓL相互作用模型可以同时解释有序合金的带隙能量的降低以及压力系数的减小.得到的ΓL相互作用势分别为019,015和010eV.表明在自发有序Ga05In05P合金中存在着的沿[111]方向的有序是带隙能量降低的主要原因.在样品C中还观察到了明显的ΓX反交叉行为.拟合得到的ΓX相互作用势为0011eV,比ΓL相互作用势小一个数量级.表明在此样品中除[111]有序外还存在弱的[001]有序 相似文献
180.