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871.
利用102MeV16O6+束轰击同位素靶117Sn,通过熔合蒸发4n反应产生核素129Ce.由氦喷嘴快速带传输系统将反应产物送到低本底区.通过化学分离来制备待测的Ce样品,与此同时用16O束轰击117Sn的两种相邻的同位素靶118Sn和116Sn,并比较上述3种反应中的产物来进一步区分元素Ce的不同的同位素.结果一种半衰期为4.1min的活性被鉴定为129Ce.基于X–γ–t和γ–γ–t符合测量,建议了包括51条射线在内的129Ce的(EC/β+)衰变纲图.其中,129Ce基态直接馈送到129La基态的份额(26±7)%是用观测到的129La衰变的278.6keV的γ射线的生长和衰变曲线估计出来的.另外还给出了用La-Kα-X射线和68.2keVγ射线开门的γ谱以及典型的衰变γ射线的时间谱. 相似文献
872.
873.
激光设备和激光武器的广泛应用,大大加快了激光对抗技术的研究。探讨了目前激光对抗领域中的激光探测和告警、有源干扰、无源干扰、激光防护等有关技术。 相似文献
874.
875.
876.
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流If^γ的r次方成正比,在小电流区,r≈1。在大电流区r≈2。建立了一个GaAlAs IRLED的1/f噪声模型,得到与实验一致的定性结果。基于该模型的分析表明.低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对非平衡载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落。该研究结果为1/厂噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据。 相似文献
877.
878.
879.
880.