n维单形的Erd“非汉字符号”-Mordell型不等式

本文利用距离几何的理论和方法证明了 En( n≥ 2 )中 n维单形几内任一点到 n- 1维界面的距离与它到顶点的距离的一个带权的 Erdos- Mordell型不等式 ,并由此导出了涉及 n维单形的内任一点的一组儿何不等式 ,其中包括三角形中著名的 Child不等式的高维推广     

双材料界面裂纹平面问题的半权函数法

应用半权函数法求解双材料界面裂纹的平面问题．由平衡方程、应力应变关系、界面的连续条件以及裂纹面零应力条件推导出裂尖的位移和应力场,其特征值为lambda及其共轭．设置特征值为lambda的虚拟位移和应力场,即界面裂纹的半权函数A·D2由功的互等定理得到应力强度因子KⅠ和KⅡ以半权函数与绕裂尖围道上参考位移和应力积分关系的表达式．数值算例体现了半权函数法精度可靠、计算简便的特点．     

区域创新系统协同演化机制与优化设计研究

为揭示区域创新系统协同演化机制的本质与规律,在对区域创新系统自组织特征予以描述的基础上,构建区域创新系统协同演化的哈肯模型,选用基础共性技术创新数据与制度创新数据进行实证研究,运用Minitab软件设计系统演化方案并提出优化对策。研究结果表明:基础共性技术创新代表量是区域创新系统动态演化的序参量;基础共性技术创新与制度创新在区域创新系统演化过程中具有协同效应,但协同度欠佳;制度创新递增的正反馈机制在区域创新系统演化过程中的信噪比最大,基础共性技术创新对制度创新推动作用的反映最灵敏;当信噪比最大的参数λ₂<0,形成制度创新递增的正反馈机制,同时调控参数使得a、b、λ₁均小于0且尽量保持a的绝对值最大,区域创新系统将会实现最优演化水平。     

Majid double双积的一种广义型（英文）

设H为双代数.σ:HH→A为线性映射,其中A为左H余模余代数,且是带有左H-弱作用的代数.τ:HB→B为线性映射,其中B为右H余模余代数,且是带有右H-弱作用的代数.本文给出双边交叉积A#_σH_τ#B和双边smash余积构成双代数的充要条件.这一结构包括了著名的Radford双积(见[J.Algebra,1985,92(2):322-347]),Majid double双积(见[Math.Proc.Cambridge Philos.Soc.,1999,125(1):151-192]),以及王栓宏、焦争鸣和赵文正定义的交叉积(见[Comm.Algebra,1998,26(4):1293-1303]).     

气相色谱—质谱法测定酒样中多种有机锡化合物

对白酒中的有机锡化合物运用NaBEt4进行衍生,并采用液液萃取和气相色谱—质谱法(GC-MS)对5种衍生物进行分析,建立了5种有机锡同时分析的新方法.选用选择离子扫描模式进行定性和定量分析,实验对影响反应的重要参数进行了优化.在优化条件下,5种有机锡化合物在0.01～4.0 μg·mL-1的线性范围内得获得了较好的线性,检测限,相关系数为0.992 3～0.999 9,检测限为0.4～5.0 μg·L-1.在0.05、0.50和4.0μg·mL-13个添加水平获得了较好的回收率,其相对标准偏差低于13.4％.该方法简便、快速、容易操作,初步运用于检测酒样中的有机锡化合物,取得较满意的结果.     

关于珠算基本功的训练

珠算作为一门古老而年青,并带有基础意义,具有实用价值的科学技术，同其它科学技术一样，都有自身的特点，都有一套基本功。所谓珠算基本功，是指学好、练好珠算应当掌握和熟练的基本知识，基本技能，基本技巧和基本方法。     

Radon变换CHD反演方法的稳定化数值方法

本文利用Ｔｉｋｈｏｎｏｖ正则化方法、线性插值给出了Ｒａｄｏｎ变换ＣＨＤ反演方法的稳定化数值方法。克服了Ｒａｄｏｎ变换ＣＨＤ反演方法的不稳定性，且便于计算机实现。     

一类半线性积分微分方程初边值问题的爆破解和全局解

本文研究初边值问题的爆破解和全局解，证明了在ｆ的凸性假设和一定的增长性假定下解在有限时刻爆破，而在ｆ的其他假设下证明了全局解的存在性。     

一类半线性两点边值共振问题的可解性

本文在不需要Landesman-Lazer条件或符号条件同时没有单调性假设的前提下,对半线性两点边值共振问题u″+u+g(x,u)=h,u(0)=u(π)=0获得一个新的存在性结果.     

[N2]*2-N2分子二聚物的发射谱和受激辐射特性

理论上通过从头算法计算与理论分析证明存在D_2h群对称性的[N₂]₂即N₂分子二聚物，且存在电偶极允许的类准分子跃迁a¹B_2g→a¹B_3u. 理论计算获得的a¹B_2g→a¹B_3u跃迁的发射谱与实验观测到的结果很好地吻合. 利用微波激励高纯氮和放大自发辐射法研究了N₂分子二聚物的受激辐射特性，实验研究结果表明，当微波功率大于100 W，充入N2气压在260~2200 Pa范围内N₂分子二聚物在336.21 nm处存在受激辐射特性.