动态对抗下捷变频对雷达检测性能的影响及其抗干扰性能度量研究

分析研究了动态对抗情况下捷变频对雷达检测性能的影响,提出了一种雷达捷变频抗干扰性能的度量方法.     

高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制

报道了基于蓝宝石衬底的高性能1mm AlGaN/GaN HEMTs功率器件.为了提高微波功率器件性能，采用新的欧姆接触和新型空气桥方案．测试表明，器件电流密度为0.784A/mm，跨导197mS/mm，击穿电压大于40V，截止态漏电较小，1mm栅宽器件的单位截止频率达到20GHz，最大振荡频率为28GHz，功率增益为11dB，功率密度为1.2W/mm,PAE为32%,两端口阻抗特性显示了在微波应用中的良好潜力．     

一种具有过温与过流保护功能的LDO

为了防止功率管的功耗过大导致芯片受损,采用SMIC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一种具有过温与过流保护功能的低压差线性稳压器。仿真结果表明,LDO电路具有良好的线性调整率和负载调整率,过温、过流保护电路能够实现对电路的保护。在过热、过流或负载短路的情况下,降低系统的功耗,且当故障排除后,可自动恢复工作。在2～3.6 V的输入电压范围内,电路的稳定输出电压为1.8 V,电源调整率不超过0.194‰,负载调整率不超过1.1‰。     

车载自组网的现状与发展

简要介绍了车载自组网的发展历史、特点和应用领域。使用分析和比较的方法，讨论各种无线通信技术用于车载自组网的优缺点，并针对车载自组网的应用及特性提出搭建车间通信系统的设计思想和突破方向。为了便于读者跟踪国外先进的研究成果，还介绍了一些在这一领域比较活跃的研究机构以及他们的主要工作。     

基于结构化噪声矩阵补全的Web服务QoS预测

随着面向服务计算技术的快速发展,越来越多具有相同或相似功能的Web服务被部署在网络上。用户进行服务选择之前,通常需要根据历史调用信息对未使用过的服务QoS进行预测。由于历史调用信息收集过程缺乏有效的监督和约束机制,所采样的QoS信息往往容易受到结构化噪声污染,从而导致现有方法预测性能急剧下降。为了克服这个困难,通过将Web服务QoS预测问题建模为L2,1范数正则化矩阵补全问题,提出了一类基于结构化噪声矩阵补全的Web服务QoS预测方法。真实数据集上的实验结果表明,该方法不仅能精确地辨识出QoS采样矩阵中噪声行所在位置,而且能对缺失Web服务QoS进行有效预测。     

聚束SAR成像算法中的几种插值方法比较

在高分辨的聚束SAR信号处理中,距离徙动校正是成像的关键步骤.聚束SAR成像算法中通常用插值(或类插值)来完成距离徙动校正.对极坐标算法、距离徙动算法和Chirp Scaling(CS)算法中,常用的截断sinc插值法、FFT补零插值法和线性相位相乘的插值方法进行了研究,推导了各自的插值过程,分析了每种算法的插值精度,比较了它们的运算量.结合计算机仿真结果,得出结论截断sinc插值法运算量最小,适用范围广,但精度较差;FFT补零插值法,适用范围广,精度高,但运算量最大;线性相位相乘法精度高,运算量居中,但适用范围小.     

有关雷达反射截面测量的校准精度

在隐身技术受到高度重视的今天,这就需要对雷达反射截面(RCS)作高精度测量。为了提高测量精度,可将多种高性能的雷达测量仪器归并到雷达反射截面系统中。本文论述了校准精度和总的雷达反射截面测量系统的极限。校准目标的误差决定了雷达系统的最高精确度。还讨论了多路径效应、不需要的目标暗室(targetChamber)干扰和背景漂移。     

基于BP神经网络的UWB系统窄脉冲捕获技术研究

根据UWB信号的特性提出一种在低信噪比条件下实现快速捕获的新方法,即利用BP前向神经网络对极窄脉冲信号进行捕获,有效减少了在低信噪比条件下的平均捕获时间。其中着重分析了利用BP神经网络在低信噪比条件下检测窄脉冲信号的可行性以及接收信号的信噪比对检测的影响。并且对仿真出现的问题进行了分析,得出了一些有价值的结论。     

一种低压带隙基准源启动电路

电流模带隙基准源(CMBGR)在低电源电压电路中得到广泛的应用,但其启动行为仍值得关注。在启动电路不可靠的情况下,CMBGR会导致芯片失效,使得成品率下降。在分析CMBGR的启动和多个工作点问题后,提出一种只有两个稳定工作点的CMBGR,可通过监测电路状态和控制启动电路的充电来解决简并点问题。采用0.13 μm CMOS工艺,对提出的GMBGR电路进行设计与仿真。仿真结果表明,该电路产生的参考电压小于1.25 V,在－25 ℃~125 ℃之间的温度系数为4.7×10-6/℃,具有良好的启动性能。     

高漏偏压下AlGaN/GaN HEMT噪声性能的研究

The advent of fully integrated GaN PA-LNA circuits makes it meaningful to investigate the noise performance under high drain bias. However, noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias has not received worldwide attention in theoretical studies due to its complicated mechanisms. The noise value is moderately higher and its rate of increase is fast with increasing high voltage. In this paper, several possible mechanisms are proposed to be responsible for it. Impact ionization under high electric field incurs great fluctuation of carrier density, which increases the drain diffusion noise. Besides, higher gate leakage current related shot noise and a more severe self-heating effect are also contributors to the noise increase at high bias. Analysis from macroscopic and microscopic perspectives can help us to design new device structures to improve noise performance of AlGaN/GaN HEMTs under high bias.