用于MEMS器件的硅材料塞贝克系数测试结构

综述了微观尺度下利用MEMS结构测量硅材料塞贝克系数的已有工作。这些测试结构主要由电加热、电压测量和温度测量三部分构成,通过测量塞贝克电压和与之相对应的温度,从而获知塞贝克系数。加式测试结构的工艺大多与CMOS工艺兼容。指出这些方法原理简单、测量直接,但必须要求真空环境,尚无法满足普通大气环境下在线测试的要求。     

一种计算工作时间参数新方法

为了编制和优化施工进度计划,计算构成施工项目的各项工作最早开始时间、最迟开始时间、最早完成时间、最迟完成时间、总时差和自由时差等时间参数十分重要.提出了一种计算工作时间参数新方法.该方法以工作完成时间为决策变量,通过建立和求解线性规划模型来得到各种工作时间参数.其建模思路清晰,不需绘制网络图,能用通用办公软件EXCEL求解.模拟计算表明,用该方法与用标准网络计划技术计算出的工作时间参数完全一致.     

小型数字系统中控制电路设计方法小议

南京工学院李士雄等同志编写的《数字集成电路基础》一书的最后一章里,介绍了小型数字系统中控制电路设计的两种方法。一种控制电路由计数单元和译码电路组成。另一种控制电路由触发器级联而成,触发器级数等于控制电路所需状态数。在带领学员进行课程设计时,发现用第二种方法设计的电路存在着两个问题:一是控制信号S_1始终加在数据通道上,即数据通道始终处于开态。二是组成控制器的触发器中有一级没有作用。如果将设计的出发点稍加改动,即     

分子束外延高性能P型GaAs单晶薄膜

用国产分子束外延设备生长出性能优良、表面平整光洁的GaAs。不掺杂的P型GaAs空穴浓度为 2-8×10~(14)cm~(-3),室温迁移率为360-400cm~2/V·s.使用国产材料,纯度为 2N5并经我们“提纯”的 Be作为 P型掺杂剂.掺 Be的 P型GaAs空穴浓度范围从1.0 × 10~(15)至6×10~(15)cm~(-3).其室温迁移率与空穴浓度的关系曲线与国外文献的经验曲线相符.当空穴浓度为1—2 ×10~(15)cm~(-3)时,室温迁移率达 400cm~2/V·s.低温(77K)迁移率为 3500—7000cm~2/V·s.在4.2K下对不同空穴浓度的P型GaAs样品进行了光荣光测量和分析.     

新能源材料与器件专业“锂离子电池课程设计”的改革与探索

“锂离子电池课程设计”是新能源材料与器件专业的一门重要实践课程，是为配合《锂电池原理与结构》而开设。基于“锂离子电池课程设计”的课程培养目标，对课程设计的现状进行分析，随后有针对性地提出了分阶段培养体系构建方案，将课程设计分为课前预习、课堂学习与实践及成果展示3个阶段，全方位的提升学生学习的积极性、创新能力、理论应用于实践能力及团队合作能力，最后，通过评价体系改革和课后反馈巩固和进一步提升教学改革效果，最终为工科实践类课程提供借鉴。     

12C+28Si反应全熔合激发函数测量

我们用ΔE-E计数器望远镜系统测量了入射能E_Lab在43MeV—70.5MeV范围内¹²C+²⁸Si全熔合反应的激发函数. 实验激发函数显示出某种宽振荡结构, 宽度约为2—3MeV. 对其平均行为分别用Glas-Mosel模型和势模型进行了理论拟合. 在E_cm=35—50MeV范围内, 临界距离模型和统计Yrast线模型满意地复现了实验数据.     

能源问题

我们常常使用煤气和电来做饭，许多人都很关心用电和用煤气哪个更合算，为分析此问题，我用烧水来做对比分析．     

Anqu E1测试中的告警和差错

在E1测试中发生的事件按其影响程度可分为告警(Alarm)和差错(Error)。本文对AnquE1 测试中的告警和差错进行了详细介绍。