基于电路参数模型的辐射电磁干扰噪声预估方法

针对Hubing电流驱动模型中认为电流在辐射线缆中是均一分布的, 幅值和相位保持不变即未考虑辐射线缆共模电流频率效应给辐射电磁干扰噪声预估带来的误差的问题.文中利用电流传输波动特性建立了辐射线缆长度与共模电流波长为同一数量级时的辐射线缆共模电流分布模型, 并设计电路模型进行测试预估.实验结果表明:采用文中方法预估辐射电磁干扰噪声与Hubing电流驱动模型预估方法相比能提高20.12 dBμV/m, 更加接近标准暗室测试结果, 从而为辐射电磁干扰(Electro Magnetic Interference, EMI)测试与分析提供理论依据.     

基于自组织迁移算法的共模扼流圈高频特性建模

共模扼流圈是EMI滤波器的关键组件,主要用于传导干扰中的共模电流抑制。为了便于EMI滤波器抗干扰特性的仿真研究,提出了一种共模扼流圈的高频特性建模方法。首先,利用矢量网络分析仪测量共模扼流圈的共模与差模阻抗数据。然后,使用自组织迁移算法分频段处理共模扼流圈的阻抗数据,提取出仿真模型的RLC参数,结果表明利用算法分频段处理阻抗数据的方法,既使得所建立高频模型具有较高的精确度,也降低了对高性能计算机需求。最后,对一款共模扼流圈高频特性进行了建模,并通过仿真与实测的阻抗数据对比,验证了建模方法的有效性,为EMI滤波器的仿真与设计提供了参考。     

基于量子测量的紧框架构造方法研究

根据经典领域中的有限维紧框架研究量子领域中紧框架构造方法。由于紧框架与秩一广义量子测量有一一对应关系,在量子领域中设计了两种基于量子广义测量的紧框架构造方法。研究表明,这两种最优量子紧框架能分别解决两种基本的量子态区分策略：最小差错区分和最优无错区分。最小差错区分给定的一组向量,应用最小二乘准则,用广义量子测量方法构造了基于LSM的最优量子紧框架。这种最优量子紧框架分为两种情况：一种是给定框架界的最小二乘框架（CLSF）,另一种是选择最优框架界的的最小二乘框架（ULSF）,最优框架界能最小化最小二乘误差。还用量子广义测量方法构造了基于最优无错区分的量子紧框架。最后举例对比了以上最优紧框架构造方法,ULSF为最优有限维紧框架。     

Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation

AlGaN/GaN high electron mobility transistors(HEMTs)with high performance were fabricated and characterized.A variety of techniques were used to improve device performance,such as AlN interlayer,silicon nitride passivation,high aspect ratio T-shaped gate,low resistance ohmic contact and short drain-source distance. DC and RF performances of as-fabricated HEMTs were characterized by utilizing a semiconductor characterization system and a vector network analyzer,respectively.As-fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.41 A/mm and a maximum peak extrinsic transconductance of 317 mS/mm.The obtained current density is larger than those reported in the literature to date,implemented with a domestic wafer and processes.Furthermore, a unity current gain cut-off frequency of 74.3 GHz and a maximum oscillation frequency of 112.4 GHz were obtained on a device with an 80 nm gate length.     

linux下建设广电智能DNS服务器

解决广电多路出口下的DNS解析问题,可以根据用户的源或目的地址准确的指向不同的运营商出口。     

AlGaN/GaN HEMT器件欧姆接触多步退火工艺的分析与优化

利用Ti/Al/Ni/Au的多步退火工艺能够在 AlGaN/GaN HEMT上制作出低接触电阻,表面形貌平整的欧姆接触。本文通过实验对多步退火工艺的机制进行了详细地分析并对多步退火工艺进行了优化。实验结果显示出调整不同的退火的时间和温度在接触电阻和表面形貌的优化中起到了至关重要的作用。取得高质量的欧姆接触的关键是通过调整退火的时间和温度以平衡金属与金属之间,金属与半导体之间的各种反应的速率。我们利用优化后多步退火工艺在未掺杂AlGaN/GaN结构上制作出了低接触电阻的欧姆接触,其比接触电阻率为3.22?10-7Ω.cm2。     

平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用

为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作原理进行了分析,介绍了集成平面天线如何解决耦合太赫兹波效率低的问题。然后,介绍了一些常用的平面天线结构,包括偶极子天线、贴片天线、缝隙天线、grating-gate和其他类型的结构,比较了各种天线的性能以及引入后对太赫兹探测器响应度的影响。通过对比不同天线结构的探测器响应度和噪声等效功率等参数指标,发现:采用平面天线结构之后,场效应晶体管太赫兹探测器的响应度有了大幅度的提升,各种类型的天线对探测器响应度都有不同程度的提升。本文着重介绍了几种集成于场效应晶体管的平面天线结构,包括各种天线的性能和研究进展,最后分析了场效应晶体管太赫兹探测器存在的问题和发展趋势。     

电子计量产品接触式静电放电的接地改良研究

在电子工业中,由于静电会损坏电子元器件、严重影响产品质量的问题尚未得到解决,该文对某电子产品（简称被试系统）进行了静电放电（ESD）抗扰度试验,研究了接触式静电放电模式下系统受ESD干扰的情况。当放电电压低于4.5KV时,ESD对于被试系统基本没有影响;当放电电压大于5KV时,受试设备出现蜂鸣器报警、死机现象。通过改进接地,使其抗压能力提高,并对比分析不同接地措施,对进一步改进静电接地提供参考和依据。     

基于量子联合测量的紧框架构造方法研究

针对给定一个向量构造紧框架问题,研究了量子隐形传态中的联合测量,得到了一种紧框架构造方法,并且对这种紧框架构造方法进行推广,使其适用于经典和量子领域。推广后的基于联合测量的紧框架构造方法：对于给定向量,先对向量进行排列构成系数矩阵,并对系数矩阵进行奇异值分解,得到它的左、右酉矩阵和奇异值矩阵;寻找一个基,其中一列排列成的矩阵就是给定向量组的奇异值矩阵中非零部分;把基的其余列排列成奇异值矩阵中的非零部分,进行重构,就能得到紧框架其余向量。     

基于进化卷积神经网络的外壳屏蔽效能预测

随着设备功率密度和可靠性要求的不断提升,设备电气外壳应设计孔缝以解决散热和电磁屏蔽问题。为了优化孔缝结构和位置,需在设计过程中计算和预测电气外壳屏蔽效能。针对现有屏蔽效能分析方法误差较大等问题,先建立了基于电磁拓扑理论BLT方程的带孔外壳屏蔽效能等效模型,并提出了基于进化卷积神经网络的屏蔽效能参数提取方法,再以外壳屏蔽效能部分频点结果作为模型输入,提取屏蔽效能模型参数,最后根据模型计算其它频点的外壳屏蔽效能。对比分析结果表明,文中方法能够实现带孔缝外壳屏蔽效能预测,误差小于10 dB且不受外壳结构、孔缝位置和屏蔽材料参数影响。