全文获取类型
收费全文 | 1193篇 |
免费 | 235篇 |
国内免费 | 848篇 |
专业分类
化学 | 214篇 |
晶体学 | 20篇 |
力学 | 39篇 |
综合类 | 20篇 |
数学 | 109篇 |
物理学 | 357篇 |
无线电 | 1517篇 |
出版年
2024年 | 11篇 |
2023年 | 28篇 |
2022年 | 35篇 |
2021年 | 30篇 |
2020年 | 14篇 |
2019年 | 30篇 |
2018年 | 24篇 |
2017年 | 32篇 |
2016年 | 27篇 |
2015年 | 34篇 |
2014年 | 106篇 |
2013年 | 64篇 |
2012年 | 51篇 |
2011年 | 55篇 |
2010年 | 47篇 |
2009年 | 86篇 |
2008年 | 117篇 |
2007年 | 86篇 |
2006年 | 92篇 |
2005年 | 111篇 |
2004年 | 103篇 |
2003年 | 110篇 |
2002年 | 129篇 |
2001年 | 86篇 |
2000年 | 80篇 |
1999年 | 69篇 |
1998年 | 63篇 |
1997年 | 74篇 |
1996年 | 51篇 |
1995年 | 41篇 |
1994年 | 62篇 |
1993年 | 50篇 |
1992年 | 43篇 |
1991年 | 42篇 |
1990年 | 45篇 |
1989年 | 47篇 |
1988年 | 10篇 |
1987年 | 13篇 |
1986年 | 16篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 9篇 |
1983年 | 3篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 4篇 |
1980年 | 4篇 |
1979年 | 4篇 |
1966年 | 2篇 |
1964年 | 1篇 |
1963年 | 1篇 |
1957年 | 1篇 |
排序方式: 共有2276条查询结果,搜索用时 344 毫秒
991.
992.
Different influences of Schottky metal on the strain and relative permittivity of barrier layer between AIN/GaN and AIGaN/GaN heterostructure Schottky diodes
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Ni/Au Schottky contacts on AlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures are fabricated. Based on the measured current-voltage and capacitance-voltage curves, the polarization sheet charge density and relative permittivity are analyzed and calculated by self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations. It is found that the values of relative permittivity and polarization sheet charge density of AlN/GaN diode are both much smaller than the ones of AlGaN/GaN diode, and also much lower than the theoretical values. Moreover, by fitting the measured forward 1-V curves, the extracted dislocations existing in the barrier layer of the AlN/GaN diode are found to be much more than those of the AlGaN/GaN diode. As a result, the conclusion can be made that compared with AlGaN/GaN diode the Schottky metal has an enhanced influence on the strain of the extremely thinner AlN barrier layer, which is attributed to the more dislocations. 相似文献
994.
995.
顾春华 《分析测试技术与仪器》2009,15(3):191-193
采用干灰化法、湿氧化A法和B法分别对油画颜料进行消解后用原子吸收火焰法测定其中的铅含量.通过分析比较3种消解方法测定的结果,发现采用湿氧化法优于干灰化法,湿氧化A法优于B法.采用湿氧化A法对油画颜料进行加标处理后,加标回收率在90%-105%范围,表明采用该方法测定油画颜料中的铅含量是可信的. 相似文献
996.
本文给出了一种采用Handel-C设计理念,基于CCSDS图像压缩算法的硬件图像压缩核的设计过程. 算法实现过程中充分利用Handel-C语言的硬件并行实现机制,在各个硬件模块间大量采用并行运算和流水结构,提高了芯片的处理速度. 实验数据表明,本文压缩核的设计在资源消耗和码速率两方面取得了很好的折中. 在频率为50MHz的情况下,码速率可以达到15.2Mpixels/s;在8倍压缩情况下,平均PSNR接近40dB,16倍压缩情况下,平均PSNR超过30dB. 相似文献
997.
为了研究激光焊接中各工艺参量对高密度聚乙烯塑料焊接件性能的影响,采用激光穿透焊接高密度聚乙烯试样件,进行了力学拉伸试验并应用扫描电镜观测其焊缝断口的形貌.试验结果表明,当光斑直径为2mm、激光功率为75W、焊接速度为2mm/s时,焊接件断口没有飞边和夹渣,焊接接头成型良好,力学性能最佳:随着激光光斑直径的减小、焊接速度的降低或功率的增加,接头强度及伸长率均有提高.进一步从激光体能量角度分析了影响接头强度的因素,证实了激光焊接高密度聚乙烯是一种可行的方法. 相似文献
998.
从Stratton-Chu 积分方程入手,推导出一种光滑凸体金属表面涂覆雷达吸波材料(RAM)的物理光学后向RCS计算公式,同时考虑边缘绕射的贡献,介质劈与金属劈的电磁散射特性是不同的,须通过等效电磁流法(EEC)来求解介质边缘散射加以修正。通过对涂覆平板、涂覆柱锥组合体及某导弹目标RCS 的计算,再与实测值和矩量法结果对比,它们均相吻合,从而验证了算法的有效性和准确性。本算法特别适合大尺寸目标RCS 计算。 相似文献
999.
1000.
A是一下三角矩阵,考虑了2π为周期的函数其Fourier级数的部分和序列相应的A-变换在Lp范数下的收敛性,推广了Chandra的相应结论. 相似文献