ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽     

紧跟CCD器件的CMOS探测器

经过数十年的研究与发展,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器有可能在各种应用中取代随处可见的电荷耦合器件(CCD),而且不单单是在成像技术方面。CMOS器件可做在与微处理器使用的芯片相同的芯片上,在过去的     

InN薄膜的退火特性

对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随退火温度单调变化.由于高温退火时N原子的挥发,剩下的In原子在样品表面聚集形成In颗粒.当退火温度高于425℃时,In原子的脱吸附作用增加,从而导致样品表面的In颗粒在退火温度高于425℃时逐渐减少.XRD和SEM结果表明In颗粒密度最高的样品具有最差的结晶质量.这种现象可能是由于In颗粒隔离了其下面的InN与退火气氛的接触,同时,金属In和InN结构上的差异也可能在InN中导致了高密度的结构缺陷,从而降低了InN薄膜的结晶质量.     

PCNN的原理及其应用

本文综述了一种新的有生物学依据的人工神经网络－脉冲藕合神经网络（PCNN－Pulse Coupled Neural Networks)的模型与原理,同时分析并总结了其特性与其在图象处理,图象识别,运动目标识别,通讯,决策优化等方面的应用,并指出了今后PCNN的研究重点。     

自适应虚拟电子微扫描红外焦平面像素倍增技术

在分析微位移法评价空间抽样效应理论的基础上,分析为改善红外焦平面器件系统空间分辨率不够高所采取系列措施的优缺点,并提出了一种能有效实现焦平面像素倍增的自适应虚拟电子微扫描技术,该方法能在像素倍增的同时有效地实现大边缘的增强,防止边缘模糊与锯齿效应,实验证明该方法效果良好。     

Low ohmic contact AIN/GaN HEMTs grown by MOCVD

AlN/GaN high-electron-mobility transistors （HEMTs） on SiC substrates were fabricated by metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） and then characterized. An Si/Ti/Al/Ni/Au stack was used to reduce ohmic contact resistance （0.33 g2.mm） at a low annealing temperature. The fabricated devices exhibited a maximum drain current density of 1.07 A/mm （Vows = I V） and a maximum peak extrinsic transconductance of 340 mS/mm. The off-state breakdown voltage of the device was 64 V with a gate-drain distance of 1.9 μm. The current gain extrinsic cutoff frequency fT and the maximum oscillation frequency fmax were 36 and 80 GHz with a 0.25 μm gate length, respectively.     

高分辨率数字行扫描近红外摄像机

美国Goodrich公司的传感器无限分公司推出一种高分辨率SU—LDH数字行扫描近红外摄像机,其行扫描速率每秒可达46000行。这种摄像机采用InGaAs探测器,其响应波长为0．8μm至1．7μm,适用于傅里叶领域的光学相干断层分析以及高速率的生产过程控制和机器视觉系统。     

高功率高亮度半导体激光器件

由于半导体激光器在光电转换效率、输出功率、使用寿命等方面的优势,广泛应用于军事领域.为提高输出功率,将两束同一波长不同偏振态的激光束耦合以获得更高功率输出,是目前国际研究的热点之一.进行国内连续808 am两半导体激光迭阵耦合实验.采用自行设计光学系统对光束进行扩束聚焦,可耦合输出光斑2 min×2 mm,总体输出效率大于50%.国内没有对迭阵进行耦合实验的报道.为达到耦合器件的输出效率自行设计耦合选择器的镀膜材料体系,并将此研究应用于光电对抗实验中.     

基于GA优化RBF网络的焦炭质量模型

文章提出了一种基于遗传算法(GA)优化径向基函数(RBF)神经网络的焦炭质量预测模型。RBF网络存在两个关键问题：一是如何确定隐含层中心,而是如何调整网络权值。本文通过减聚类算法确定RBF网络基函数的中心数目,应用遗传算法对RBF网络权值进行优化。主要对焦炭的抗碎强度、耐磨强度、反应性指数和反应后强度使用GA优化RBF神经网络预测。结果表明该模型有较强适应性,同时能保证较高的预测精度,具有一定的实用价值。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.