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991.
992.
钝圆头质量块对简支梁的多次弹塑性撞击 总被引:1,自引:0,他引:1
考虑多次局部弹塑性接触变形行为、多次撞击和多次分离过程,提出了1种采用有限差分方法研究柔性结构多次弹塑性撞击问题的MCIS方法,研究了钝圆柱头刚性质量块水平撞击简支梁的过程。研究结果表明,该撞击过程实际上是1个复杂的多次弹塑性撞击过程,一般存在2个以上的明显撞击区,每个撞击区包含了形式多样的复杂的次生撞击过程。其他撞击区的冲量值与第1个撞击区的冲量值相当,其他撞击过程中损失的撞击动能的总和与首次撞击过程中损失的撞击动能相当,因此,多个撞击区和多次撞击过程将对梁的撞击物理行为产生重要影响。研究还发现,小质量块刚性体撞击时,首次撞击过程的撞击动能损失明显。在大质量刚性体撞击时,后续的多次撞击过程的撞击动能损失明显。 更多还原 相似文献
993.
MPC8260芯片因其强大的通信处理能力和多种协议的支持而被广泛应用于通信和网络领域。以MPC8260微处理器为例,讨论在嵌入式系统中实现快速以太网通信的硬件设计方法,分析了VxWorks网络系统的结构,描述了基于VxWorks的以太网驱动程序的开发方法及其流程。对所有基于MUX(多路选择)机制下的VxWorks网络设备驱动程序开发者具有参考价值。 相似文献
994.
Qt/Embedded和Qtopia在EP9315平台上的移植和应用 总被引:2,自引:0,他引:2
随着嵌入式系统的日益发展以及图形显示设备的广泛应用,目标产品对GUI(图形用户界面)的需求越来越多。在对目前比较成熟的几个嵌入式Linux GUI进行详细比较后,选定Qt/Embedded的GUI作为研究对象。主要介绍了Qt/Embedded和Qtopia及它们在EP9315平台上交叉编译过程与安装过程,并且在该平台上实现Qt/Embedded下的应用程序开发。所使用的方法已在开发平台上经过验证。 相似文献
995.
一、建模Ⅰ
1.在活动目标探测中作为性能系数的横过眼睛的角距离(B.L.O’Kane,美国陆军夜视与电子传感器管理局) 相似文献
996.
1.高光谱图像的结构模型中正交子空间投影探测器与匹配滤光片的分析比较(P.Bajorski,美国罗彻斯特理工学院) 相似文献
997.
介绍了对反舰导弹冲淡式干扰的原理,给出了实施冲淡式干扰试验的方案,提出了实施冲淡式干扰的试验方法,建立了评估干扰效果的方法,对于提高导弹的作战能力具有重要意义。 相似文献
998.
随着半导体激光器在工业、军事、核能等领域的应用越来越多,单个迭阵输出的光功率密度已经不能满足实际的需求,这就需要将多个半导体激光迭阵的光束耦合成为一个共同的光束,以提高输出功率和亮度.所以采用怎样的光束耦合技术能实现高亮度、高质量的激光输出就成了一个关键性的问题.对于该技术的研究,国内还没有实验方面的报道.主要介绍了大功率半导体激光器偏振耦合原理、实验的技术路线,以及对808nm半导体激光迭阵进行耦合实验的结果及分析.对2个bar、功率为40W/bar的808nm连续半导体激光迭阵,实现偏振耦合的总效率超过90%,聚焦得直径为3mm光斑,输出功率达到134W,总体效率超过84%.对7个bar、峰值功率100W/ba、r占空比20%的808nm准连续半导体激光迭阵进行了偏振耦合,其效率达到67%,得到4.5mm×4.5mm的光斑. 相似文献
999.
初级试验平台磁绝缘传输线的电路模拟描述了电压脉冲从水传输线、绝缘堆、内外磁绝缘传输线到丝阵负载的传播及作用过程。在模拟中将脉冲传输经过的所有电路结构,等效成具有不同电长度及阻抗的273个传输线单元,其中包括195个磁绝缘传输线单元;通过计算得到了各个传输线单元的传导电流、界面电压,磁绝缘传输线单元的损失电流、流动阻抗、接地电阻,以及丝阵负载内爆过程中的半径变化、电流及电压等,并对主要计算结果进行了分析比较。模拟结果的可靠性及精度有待于相关实验结果的检验。 相似文献
1000.
以Bi(NO3)3.5H2O,Nd(NO3)3.6H2O和Ti(OC4H9)4为原料,加入聚乙烯醇(PVA-124),采用水热法在200℃经48 h合成了铋层状钙钛矿结构掺钕钛酸铋(Bi3.15Nd0.85Ti3O12,BNdT)纳米棒,纳米棒直径约10~200 nm,长度达十几微米。利用Raman散射研究了掺钕对钛酸铋晶格结构的影响。掺钕钛酸铋和钛酸铋的Raman光谱表明,Nd取代了类钙钛矿层中A位的Bi,掺Nd改善了BTO的对称性和减小了TiO6八面体的畸变。利用UV-vis光谱研究了BNdT纳米棒的光吸收特性,BNdT纳米棒存在A(400 nm),B(275 nm),C(210 nm),D(196 nm)四个吸收带,分别对应于电子从Bi3+的基态1S0到激发态3P1,3P2,1P1的跃迁和电子从阴离子团TiO6八面体到带正电的Bi3+离子的跃迁。BNdT的带隙为4.3 eV,大的带隙归因于纳米结构的量子尺寸效应。 相似文献