VCD影碟机技术讲座(5)——第五讲 VCD视盘信息的压缩和解压缩原理

<正> 一、VCD光盘及信息量 大家都知道在光盘上是用一圈圈螺旋形排列的小坑槽来记录信息的,这些小坑的长度和间隔与信息内容相对应,也就是说它与所记录的数字信息的“0”和“1”的不同组合相对应,如图1所示。图1(a)中的数字信息由“0” 和“1”组成。它是模拟信号经A/D变换后又经编码而形成的。这个信息要记录到光盘上,其信号波形如图1(b)所示,在光盘上刻制的坑槽如图1(c)所示。从图可见,为了提高信息密度,将波形中电平变化的部分表示为“1”,电平不变的表示为“0”,即坑的边沿对应“1”,坑内和坑外平坦的部分为“0”。     

高质量 优服务 得市场

山东半导体总厂以“向用户提供最佳性能、最优服务和可靠性最高的产品，不断提高、改进本厂产品和服务的质量”为质量方针，坚持不懈地狠抓产品质量管理，持之以恒地开展了认真周密的用户服务，有力地促进了产品质量的稳定提高，使销售市场不断扩大，取得了较好的经济效益，在用户中树立起很高信誉，被中质协授予“产品服务质量用户双满意奖”。下面谈谈我们在质量管理和用户服务方面所做的工作。一、强化质量管理，健全质量保证体系质量是企业的生命，只有全体职工真正将质量做为生命来看待，质量才能得到保证，企业才能生存。基于这一认识…     

结构参数对高温超导绕组线圈磁化损耗影响分析

为了研究高温超导电力设备的绕组密度对其磁化损耗的影响,优化绕组线圈结构,减小交流损耗。利用有限元仿真软件,建立了多匝双根单饼线圈绕组的二维轴对称模型。在外加交变磁场条件下,分别改变超导绕组线圈匝数、匝间间距,分析磁化损耗的变化规律。结果表明,线圈间存在屏蔽作用,在一定范围内,超导线圈匝数越多,磁化损耗越小,匝间间距与超导线圈的磁化损耗正相关。     

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632106 /Sq,载流子数密度降低至1.0581014 cm-3。X射线衍射结果表明：InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。收稿日期:; 修订日期:     

光谱法测HT-7托卡马克诊断中性束的束成分

实验测量了诊断中性束(DNB)中H0的4种主要能量成分(全能量,半能量,1/3能量,1/18能量),运用光谱法来分析中性束的束成分所占百分数。根据多普勒效应,中性束中的氢粒子发出的Ha波长偏离本底的Ha波长,波长偏移量与氢粒子的能量相关,从而在光谱仪上得到多峰Ha谱线。通过编写程序并以此对实验的原始谱线进行了初步和精确拟合,最终准确有效地分析出中性束的束成分和束能量。实验测得DNB束流的中性氢粒子的全能量、半能量、1/3能量和1/18能量4种成分分别占15%,42%,35%,8%。     

不同传输方式下温度测量系统的设计与实现

随着物联网技术的日趋成熟,陆续出现了以蓝牙、ZigBee及LoRa等传输方式为基础的温度传感器,有效解决了高压输电线路受温度影响而出现异常的问题.针对基于ZigBee和LoRa为传输方式工作的温度传感器,绘制对应的工作电路,在数据传输的报文中为每个传感器设置独立的MAC地址,实现数据的实时采集和在线传输.各传感器的数据...