多巴胺和抗坏血酸在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学及电化学动力学性质

用现场修饰方法制备了溴化十六烷基吡啶(CPB)修饰碳糊电极(CPB/CPE)。运用循环伏安法(cyclic voltammetry,CV)、电位阶跃计时电流法(chronoamperometry,CA)及电位阶跃计时库仑法(chronocoulometry,CC)法研究了多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)在裸碳糊(CPE)和CPB/CPE上的电化学行为,测得了动力学参数如电荷转移系数α,扩散系数D,反应级数和电极反应速率常数kf。研究结果表明CPB/CPE可用于AA和DA共存体系中DA的电化学选择性测定。     

FBAR建模及用于MIMO终端的滤波器设计

薄膜体声波谐振器(FBAR)是优良的射频频率器件.用基本Mason模型对FBAR器件进行建模,并分析阐述了FBAR射频滤波器的结构和设计方法.在此模型和设计方法基础上,对多输入多输出(MIMO)的1900MHz个人通信服务(PCS)频段和800 MHz蜂窝(Cellular)频段终端的FBAR射频多工滤波器进行了设计和性能分析.滤波器用ADS软件进行仿真和优化,仿真结果表明,本设计比Avago公司主流产品ACFM-7101性能要好,特别是带内纹波.     

尿酸和抗坏血酸在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学行为

研究了尿酸(UA)和抗坏血酸(AA)在裸碳糊电极(CPE)和溴化十六烷基吡啶CPB)现场修饰碳糊电极(CPB/CPE)上的电化学行为,研究结果表明在PBS(pH=6.8)缓冲溶液中,UA和AA在CPE和CPB/CPE电极上的氧化均为一不可逆过程,在CPB/CPE上UA和AA的氧化峰电位负移,氧化峰电流增大,CPB/CPE对UA和AA的电化学氧化产生了促进作用。用电化学方法测得了UA和AA在CPE和CPB/CPE上的动力学参数如电荷转移系数α,扩散系数D,反应级数和反应速率常数k1。     

细胞色素c电子供体SERS活性基底

线粒体内细胞色素c存在可相互转化的还原和氧化态两种分子形式。基于之前的研究,发现镍纳米粒子可以作为电子供体特异性还原细胞色素c。镍纳米材料具有一定的表面增强拉曼散射增强能力,但其增强因子较小,限制了其应用。在该研究中,成功合成了Ag@Ni核壳纳米粒子,借助于Ag核的拉曼信号增强能力和Ni壳的电子供体特性,该SERS基底可用于氧化还原蛋白的电子传递研究。     

SERS光谱研究磷脂的结构

磷脂是生物膜的重要组成部分,研究磷脂与蛋白质的相互作用以及膜蛋白与其配体间的相互作用对于深入理解细胞内信号转导的机制具有重要意义。表面增强拉曼光谱(SERS)以其高灵敏和高选择特性在生命科学研究领域受到了越来越多的关注。本研究从磷脂相容性SERS活性材料出发,制备了Au@SiO₂核壳纳米材料,并组装了1,2-二油酰基-甘油-3-磷酸胆碱(DOPC),通过SERS光谱成功获取了DOPC的结构信息,为研究磷脂-蛋白质相互作用提供了有效手段。     

微机打印端口的应用扩展

用MT8870双音频译码芯片对微机打印端口进行了扩展，利用电话系统实现了音乐点播、语音留言功能。     

抗坏血酸和尿酸在CPB现场修饰碳糊电极上的电化学行为及其选择性测定应用

研究了抗坏血酸(AA)和尿酸(UA)在裸碳糊电极(CPE)和溴化十六烷基吡啶(CPB)现场修饰碳糊电极(CPB/CPE)上的电化学行为.研究结果表明,在PBS水溶液中,AA和UA在CPB/CPE上氧化峰电流增加,峰电位负移,CPB/CPE对AA,UA电化学氧化反应产生了催化作用.微分脉冲法研究表明,在AA和UA共存体系中,AA和UA的氧化峰电位相差约220 mV,以此建立了AA和UA的电化学选择性测定方法.AA和UA的微分脉冲伏安氧化峰电流和其相应浓度分别在7.0×10-6～6.0×10-3 mol/L和5.0×10-7～6.0×10-4 mol/L的范围内呈良好的线性关系.在200倍AA共存时UA的检出限为5.0×10-6 mol/L,CPB修饰的碳糊电极直接应用于实际尿样中UA的测定.     

基于.25um工艺的层次式时间驱动的版图设计

集成电路（IC）发展到了系统芯片（SOC）时代。超深亚微米系统芯片具有规模大、复杂度高、系统时钟频率快的特点,传统的设计流程由于设计规模有限和时序难以收敛等原因,已难以适用于系统芯片的设计;常用的展平式（flat)版图设计方法,会导致工具处理能力严重不足。本文提出了一个完整的系统芯片的设计流程以及基于该流程的层次式、时间驱动的版图设计方法。设计过程采用自上而下的（top-down)的约束分配和时间驱动方式以满足时延约束,实现时序收敛;布局规划采用层次式模块分割以适应芯片规模大的要求。针对8VSB芯片采用。25um工艺在商用软件平台上对上述新方法进行了验证。实验结果表明,60万门的8VSB芯片速度可达到108Mhz。