InN的光致发光特性研究

研究了利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性. 由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度, 费米能级在导带之上, 通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67 eV, 并且可以计算出相应的载流子浓度为n=5.4×10¹⁸ cm^-3, 从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度两者的方法. 另外通过测量变温条件下氮化铟的发光特性, 研究了发光峰位以及发光强度随温度的变化关系, 发现光致发光强度随温度的升高逐渐降低, 发光峰位随温度的升高只是红移, 并没有出现"S"形的非单调变化, 这种差异可能是由于光致发光谱的半高宽过高导致, 同时也可能与载流子浓度以及内建电场强度有关. 关键词： 氮化铟 金属有机化学气相淀积 光致发光 载流子浓度     

利用X射线衍射研究Mg掺杂的InN的快速退火特性

研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型,利用X射线衍射(XRD)技术,对样品的对称面和非对称面做ω扫描,并且通过倒异空间图(RSM)扫描,拟合得到了刃位错与螺位错密度,并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较,同时结合迁移率的测量结果,发现快速退火温度采用400℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性,降低材料中的载流子浓度,同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位,降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时,(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。     

GaN自支撑衬底的化学机械抛光研究

Chemical mechanical polishing （CMP） has been used to produce smooth and scratch-free surfaces for GaN. In the aqueous solution of KOH, GaN is subjected to etching. At the same time, all surface irregularities, including etch pyramids, roughness after mechanical polishing and so on will be removed by a polishing pad. The experiments had been performed under the condition of different abrasive particle sizes of the polishing pad. Also the polishing results for different polishing times are analyzed, and chemical mechanical polishing resulted in an average root mean square （RMS） surface roughness of 0.565 nm, as measured by atomic force microscopy.     

S/B和DS算法校正土壤水分对土壤有机质近红外光谱预测的影响

土壤水分对近红外光谱表现出强烈的吸收和对土壤有机质含量的预测造成干扰。研究选择41个样本作为校正集和9个样本作为预测集,所有样本做不同含水率（5%,10%,15%和17%）的处理。采用S/B和DS算法分别对预测结果和全光谱进行校正,消除土壤水分的影响。结果得出预测结果偏差减小和模型预测性能得到改善,R_p高于0.89和RMSEP低于0.885%。研究表明S/B和DS算法能有效消除土壤水分的影响和提高土壤有机质预测的准确性。     

PSTN向NGN演进过程的分析

随着交换网络的发展,NGN逐步成为交换网发展的必然方向,但PSTN仍然是当前的立身之本,传统话音依然是目前电信运营商最主要的业务收入来源,而且向NGN过度也将是一个较长的过程.文中首先介绍了PSTN网的特点及面临的问题,然后描述了传统PSTN网向基于分组交换的NGN网演进的目标和方案,最后对NGN网络也进行了深入的分析,并阐述了从PSTN网络智能化改造向NGN的演进的过程.     

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

用化学气相沉积方法在SiC/Si上外延生长了应变硅薄膜.扫描电子显微镜方法显示所得样品具有明显的Si/SiC/Si三层结构,喇曼散射光谱和X射线衍射测量结果表明外延的Si薄膜存在应变.Hall效应测量证明相比于相同浓度的体Si材料应变Si薄膜具有较高的霍尔迁移率;但随着应变硅层厚度的增加,霍尔迁移率下降,这应与薄膜中应变减小和失配位错有关.     

Ni掺杂ZnO基稀磁半导体的性质

采用溶胶-凝胶法制备了具有高温铁磁性的Ni掺杂ZnO DMS 粉末.研究表明,当掺杂浓度小于5%时,样品中没有第二相.微观结构和磁学性质研究认为,样品中存在的结构有:主要的铁磁性的(Zn,Ni)O,一些顺磁性的孤立Ni原子,以及可能存在微量的Ni团簇.而样品的宏观铁磁性主要来源于具有铁磁性的(Zn,Ni)O结构,居里温度约为650K.     

Mg掺杂的AlGaN的MOCVD生长

文章主要研究利用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法制备的Mg掺杂AlGaN薄膜。根据Raman光谱对Mg掺杂AlGaN薄膜应力和X射线摇摆曲线对晶体质量的研究表明引入高温AlN插入层能有效调节应力，并提高薄膜质量，降低位错密度。实验发现在保持Mg掺杂量不变的情况下，随着Al组分的上升，材料中出现大量岛状晶核，粗糙度变大，晶体质量下降，由三维生长向二维生长的转变更加困难。同时研究发现Al组分的上升和Mg掺杂量的增加都会使得螺位错密度上升;Mg的掺杂对于刃位错有显著影响，而Al组分的上升对刃位错无明显影响。经过退火温度对空穴浓度影响的研究，发现对于P型Al0.1Ga0.9N样品，900℃为比较理想的退火温度。     

水溶性聚合物和两亲聚合物22.丙烯酸/乙酸乙烯酯共聚物对硫酸钙沉淀形态的影响

水溶液中丙烯酸/乙酸乙烯酯无规共聚物的存在不仅降低了Na₂SO₄和CaCl₂生成CaSO₄的沉淀量和结晶速度,而且可显着减小CaSO₄粒子的大小,改变其形状和晶形,降低结晶的完善程度.     

电子给体结构对丙烯腈光聚合的影响

电子受体与烯类单体间通过电荷转移机理的引发聚合已有很多研究,而电子给体如芳香叔胺、二苯硫醚等引发丙烯腈(AN)光聚合亦已证明都是通过电荷转移机理进行的。