水声目标辐射噪声的局部线性预测分析

从动力学的观点,对水声目标辐射噪声进行相空间的局部线性预测。计算了辐射噪声序列的平均预测误差与邻域大小的关系曲线,从曲线的类型可判断辐射噪声序列的线性性,并得到合适的预测函数类型及参数。文中对线谱和连续谱成分分别进行了局部预测。此外,还讨论了使预测误差最小的模型参数的选取。     

基于盲源分离的水声信道盲均衡处理方法

提出了一种基于盲源分离的水声信道讯均衡处理方法,通过对接收信号过采样构成源信号,采用了基于信息最大化原理(Infomax)在线分离算法进行了水声信道的盲均衡,并研究了时变水声信道条件下算法的均衡情况,仿真实验结果表明,该处理方法对多径水声信道具有较好的均衡效果,同时不受最小相位的条件限制。     

江西省邮政管理与经营研讨会在抚州召开

江西省邮政管理与经营研讨会在抚州召开由省通信学会、省邮电科技情报中心站、南昌市邮政局联合主办的“江西省邮政管理与经营研讨会”于１９９４年４月２５～２７日在抚州市召开。会议收到论文３４篇。参加会议的有省局副局长王孝槐、副总工兼科技处处长吴增林，邮政处处...     

关于Sakaguchi函数族与Hadamard乘积

单位圆中的解析函数f(z)=z+…,如果满足条件Re{zf′(z)/[f(z)-f(-z)]}>0,就说f在函数族S_s中,本文讨论了S_s及其某些子族,证明了一个卷积定理.许多已知结果可从中导出,其中包括Pólya-Schoenberg猜测。     

分子束外延中硅衬底热应力产生缺陷的研究

本文报道了由表面形貌观测、X射线双晶衍射、喇曼光谱、透射电镜及深能级解态谱对硅分子束外延中硅衬底在热处理过程中由于热应力、重力等影响导致缺陷产生的研究.由于衬底温度梯度导致样品表面存在位错滑移线,在衬底与外延层界面有着高密度的位错网络,在高的温度梯度区有晶粒间界及多晶存在,并伴有扭曲和不平整,在样品中央部份生长状态较好的锗硅合金层超晶格有部份应变会弛豫而转化为失配位错,这严重影响锗硅超晶格的质量.采用新结构的石英样品座改善了样品温度均匀性,并消除外加应力的影响,己可生长出高质量的锗硅超晶格.     

低能氘团簇离子(d+3)诱发固体靶内D-D核聚变过程中的团簇效应研究

通过对由三个氘原子组成的氘团簇离子(d⁺₃)与三个分立的氘核(3d⁺)在轰击吸氘固体靶时所发生的D-D聚变反应率的差别的研究，进而揭示氘团簇离子在与固体靶中的氘核发生聚变反应时所体现出的团簇效应.实验结果显示，在10—40keV/d能区，每个氘团簇中的氘核(d⁺₃/3)所产生的聚变反应率高于具有相同速度的独立氘核(d⁺)所产生的聚变反应率.反之，在50—100keV/d能区，独立氘核比之于氘团簇中的单个氘核所产生的聚变反应率要高.两者之间的比值具有非常明显的能量相关性.这种团簇特性与团簇离子本身特性及固体靶环境等多方面因素有关.对其作用过程和实验中观测到的现象的实质做了具体讨论. 关键词：     

多孔硅发光机理的新探索

自从９０年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来，人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作，而发光机理则是开发实用器件的重要前提，该文在对当前研究动态作介绍之后，分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型，并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后，提出了载流子注入，约束和复合机理的定性假设。     

半单与全半单S—系

引进了半单、全半单Ｓ－系及Ｍ－投射Ｓ－系等概念，讨论了它们的一些性质，得到了一些重要的结果；并研究了所有全单Ｓ－系射的幺半群，推广了Ｊ．Ｋ．Ｌｕｅｄｅｍａｎ，Ｊ．Ａｈｓａｎ与Ｋ．Ｓａｉｆｕｌｌａｈ的相应结果。     

类锂硅离子电子碰撞激发速率系数

本文在Z标度类氢模型下,计算了SiXII的电子碰撞激发速率系数。     

双总线结构工业控制计算机网性能指标评估

对双总线结构工业控制计算机网,给出了其Petri网和高级Petri网的建模及性能指标评估方法。文中考虑了信包缓冲区容量有限、信包最大允许服务时间有限、不同的站点优先级和系统总线故障率等因素影响下的网络性能指标评估问题。克服了以往对网络性能评估的某些局限。讨论了带计数禁止弧的高级随机Petri网(HDSPN)的特性.并对给出的DSPN模型进行了仿真计算,对影响网络性能的系统指标进行了讨论。