铜离子(II)抑制Aβ 多肽聚集机理的分子模拟

大脑中淀粉样β多肽(Aβ)的纤维化沉积是Alzheimer氏症(AD)的一个关键性病理事件. 体外实验发现, 近生理浓度的锌离子即有很强的诱导Aβ 聚集的能力. 铜离子在一定条件下能够强烈地抑制锌离子诱导的Aβ 聚集. 铜离子作为体内锌离子的潜在抑制剂引起了人们的关注. 本文通过分子模拟法研究了铜离子抑制Ab聚集的可能机理. 在单环模式中发现Y10残基有明显的促螺旋化作用, [Cu-H13(Nπ)-Y10(OH)]配合物形成了局部准3.010螺旋结构. 在多环模式中发现Q15和E11残基的侧链协同配位使体系能量大幅降低, 变构效应显著. 配合物[Cu-3N-Q15(O)- E11(O1)]和[Cu-H13(Np)-Y10(OH)]由于变构为准螺旋构象, 极可能以可溶形式存在于溶液中. 另外, 发现氢键作用是Ab 聚集的主要驱动力. 以上结果将有助于进一步加深对铜离子与AD致病机制之间关系的理解并制定相应的“抗淀粉样沉积”的治疗策略.     

电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)快速测定砂铂矿中的铂、铱、钌、铑、钯和金含量

建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法快速测定砂铂矿中铂、铱、钌、铑、钯和金含量的分析方法。确定了溶样方法和分析谱线,采用钠基体匹配法消除干扰。对方法精密度和准确度进行实验,结果表明,各元素的相对标准偏差RSD均小于4%,加标回收率95.9%~104.6%。方法快速、准确、简便,铂、铱的测定结果与滴定法结果相吻合。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体的生长与其四波混频效应的研究

本文报道了Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯｅ晶体的生长，采用简并四波混频光路测试晶体相位共轭反射率、响应时间和相位共轭温度效应，在６３２．８ｎｍ和４８８．０ｎｍ波长的非简并四波混频中，获得了变频相位共轭光，具有温度增强效应。     

过敏性哮喘患者血清中10种必需微量元素水平的研究

３４例过敏性哮喘患者血清中铁，锌、铜，锰硒铬，钴镍，钡，钼的含量水平与对照组比较，揭示：（１）铁，铜，铬的含量升高；（２）硒，镍，钴、钒的钼的含量降低；（３）锌和锰的含量差异无显著性，Ｐ〉０．０５。     

不同晶相WO3的热分解法制备及其光催化性能

以钨酸铵为钨源,硝酸为沉淀剂,首先通过沉淀法制备前驱体H2 WO4,随后采用热分解H2 WO4法合成六方及单斜晶相WO3催化剂.利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、差热-热重(TG-DTA)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)及紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对H2 WO4向WO3转变过程中结构、形貌、组成及光学性质的变化进行研究.结果表明,热处理后前驱体发生如下相变过程:H2 WO4→六方相WO3→六方/单斜相WO3→单斜相WO3.此外,以罗丹明B为模拟污染物,考察不同晶相WO3的光催化活性,结果表明,六方相WO3具有更高的光催化性能,单斜相WO3的活性较低.     

局域密度矩阵与全局矩阵的相容条件

判断一组给定的正定的厄密矩阵,是否可以由一个多粒子的密度矩阵通过约化掉一些粒子后来得到的(相容问题)是一个非常重要的物理问题.它也是当前量子信息学中一个引起广泛关注的问题,它与多粒子纠缠有着密切的联系.我们给出了相容问题的一些必要条件.     

Coriolis耦合对Cl+H2→H+HCl非绝热反应的影响

使用含时波包方法 ,在Capecchi和Werner拟合的非绝热耦合势能面上 ,研究了Cl处在自旋轨道基态以及自旋轨道激发态时与H2 反应的活性 ,并且讨论了Coriolis耦合的影响 .计算了某些角动量时的反应几率 .计算结果显示 ,当Cl原子处在自旋轨道激发态与处在基态的H2 的反应活性很小 ,Coriolis耦合在这个反应中起了很小的作用 .     

铱配合物的电致化学发光性能研究

结构相关的铱配合物[Ir(ppy)2L1](PF6)和[Ir(ppy)2L2](PF6)(ppy=2-苯基吡啶,LI=4-(2,2'-联吡啶-3-乙炔基)-N-(吡啶-2-亚甲基)-N-(噻吩-3-亚甲基)苯胺,L2=4-(2,2'-联吡-3-乙炔基)-N-二(吡啶-2-亚甲基)-苯胺)都具有优良的电致发光(ECL)性...     

高效液相色谱-串联质谱法测定卷烟中的甘草酸

建立了高效液相色谱-串联质谱法(HPLC-MS/MS)测定卷烟中甘草酸的分析方法。采用甲醇-5mmol/L醋酸铵水溶液(4∶1)为萃取溶剂,经Agilent ZORBAX Eclipse XDB-C18色谱柱(2.1 mm×150 mm,3.5μm)分离后,串联质谱多反应离子监测模式(MRM)检测,外标法定量。甘草酸在0.05~2.50 mg/L浓度范围内线性良好,相关系数大于0.999 4,方法的定量下限为4.8 mg/kg;回收率为89.1%~105.0%,日内、日间相对标准偏差(RSD)均不大于5%。     

新型薄膜电子材料——氢化非晶硅

 当今最重要的电子材料是半导体单晶硅,用它不但可制做各种二极管、三极管还可将成千上万个元件集成在一个小硅片上.从大型计算机到家用电器、儿童玩具,其核心部分都是用单晶硅做的集成电路.市场上需求多少半导体集成电路已经成为一个国家现代化水平的标志.单晶硅器件技术的发展一方面是不断提高单位芯片上的元件集成度,另一方面是向薄膜器件的新领域开拓.特别是在七十年代分子束外延技术出现以后,制做原子尺度的单晶薄膜已成现实.