表面涂覆CeO2对Co—40Cr合金氧化行为的影响

研究了表面涂覆ＣｅＯ２对Ｃｏ－４０Ｃｒ合金在１０００℃、空气中恒温氧化和循环氧化的影响。并用扫描电镜／能谱（ＳＥＭ／ＥＤＸＳ）、电子探针（ＥＰＭＡ）、高分辩率显微镜（ＨＲＥＭ）等测试手段对氧化膜的形貌和成分进行了观察了监测。结果表明，涂覆ＣｅＯ２后极大地提高了合金的抗循环氧化性能。研究表明，涂覆的ＣｅＯ２主要以细小颗粒 蒿度弥散存在于氧化膜的外表面，并且主要分布于氧化物晶界上，其中Ｃ     

液相色谱–串联质谱法测定水果及其制品中氯吡脲残留量

建立了液相色谱–三重四极杆串联质谱测定水果及其制品中氯吡脲的方法。样品经乙腈提取,氨基固相萃取小柱净化后,用ZORBAX Extend-C18柱(150 mm×2.1 mm,5μm)分离,以甲醇–水为流动相等度洗脱,采用多反应监测正离子模式检测,外标法定量。氯吡脲的质量浓度在4.0~200.0 ng/m L范围内线性良好,相关系数大于0.999,在5.0,10.0,20.0μg/kg 3个添加水平下,氯吡脲的平均加标回收率为86%~92%,测定结果的相对标准偏差为5.3%~7.6%(n=5),方法定量下限为2.0μg/kg。方法灵敏度高,操作简便,定量准确,可满足梨、柑桔、黄桃等水果及其罐头制品中氯吡脲残留的检测与确证需要。     

基于半刚性双(噻唑基苯并咪唑)和不同羧酸的五个一维配合物的合成和表征

通过水热或溶剂热合成的方法制备了5个一维配合物{[Zn(btbb)_(0.5)(m-phda)]·0.5H_2O}_n(1),{[Cd_2(btbb)(adtda)_2(H_2O)]·H_2O}_n(2),[Mn_2(btbb)(tbi)_2]_n(3),{[Cd(btbb)_(0.5)(3-Nitro-o-bdc)(H_2O)]·H_2O}_n(4)和[Cd_2(btbb)(tbi)_2]_n(5)(btbb=1,4-双(2-(4-噻唑基)苯并咪唑-1-基甲基)苯,m-H_2phda=间苯二甲酸,H_2adtda=1,3-金刚烷二羧酸,H_2tbi=5-叔丁基间苯二甲酸,3-Nitro-o-H_2bdc=3-硝基-1,2-苯二甲酸)。配合物1是一个包含22元环的一维链。配合物2是一个包含8元环的一维链,并且氮配体在这个一维链中仅仅起到装饰作用。配合物3是一个一维双链结构。配合物4是一个包含14元环的一维链。配合物5是一个阶梯状的一维双链结构。     

原子吸收光谱法测量质量控制研究

以原子吸收光谱法对锌合金标准物质中的铜元素定值为例,运用田口方差分析方法对定值数据进行分析处理,实现元素定值过程的质量控制。从实验设计方案的角度确定实验过程的不确定度,对溶解、等份稀释、仪器校准三部分的实验步骤分别进行数据处理,计算各部分方差波动对总实验数据波动的贡献率,从而确定最主要的不确定度来源。     

原位合成H2O2在水处理技术中的应用研究进展

从过氧化氢(H₂O₂)的原位生成技术角度总结了近年来利用原位合成H₂O₂处理水中污染物的研究,分析了当前可充当氢源材料的种类及不同的氢源材料对于提高H₂O₂产率的影响,以及不同的催化剂材料和催化反应环境提高H₂O₂利用率对污染处理效果的影响因素,并对原位合成H₂O₂在水处理领域中面临的挑战和发展前景做了展望,从而为该技术的大规模应用提供指导和借鉴。     

非晶态超微粒子镍合金催化剂的研究 Ⅰ．Ni－B合金的制备及表征

非晶态超微粒子，镍基合金，硼合金，合金催化剂，表征     

基于Delphi7多线程技术在网络中的应用研究

随着计算机网络技术以及分布式实时监控系统的不断发展,并发多任务程序设计技术在程序设计中占有的地位越来越重要,现主要研究如何利用Delphi的多线程技术实现一个简单网络聊天程序,通过使用多线程编程技术,不仅使用户能够容忍无法预测的网络阻塞发生,而且加快了信息的传递,同时也提高了实时性。     

固体声速温变特性实验室探究

基于良导体导热系数的测温原理和声速测量实验原理,利用高灵敏度温差热电偶测温,采用时差法测量固体中声速,设计并搭建了一套可以测量不同温度下金属材料中纵波声速的实验装置。在注意了各种实验操作细节的基础上,研究了A3钢合金材料中超声纵波声速在30～100℃范围内的变化规律,并对本实验的误差来源进行了探究,提出一些减小误差的措施方法。结果表明,使用此套装置研究固体超声纵波声速温变特性,操作过程简单易行,立足于实验室的需求,适合于在实验室推广使用。     

稳频环形Nd∶YAG激光器

当泵浦灯输入功率为2.2kW时,获得单频输出1.2～1.5W,其频率长期稳定性小于0.7MHz,输出强度波动小于2%.实验证明,激光器的热不灵敏工作点与理论计算一致.     

图案化GaAs衬底外延InP局域表面成核层生长

使用光学显微镜、原子力显微镜和微区喇曼光谱对在纳球光刻图案化GaAs衬底的孔洞区进行金属有机化学气相沉积(MOCVD)进而对InP成核层进行了研究.实验结果表明,该局域表面InP的成核层生长和孔洞的大小、方向、位置关系不大,与MOCVD的生长条件相关.与渐变缓冲层生长相比,在InP的成核层中没有出现穿透位错,其结晶质量随着温度的升高而提高,但其表面粗糙度会随着温度的升高而增加,这个现象可能和它的3D岛状生长有关.AFM测试结果表明,提高Ⅴ/Ⅲ比可以在较低的温度下抑制其表面粗糙度降至纳米量级.微区喇曼光谱测试表明,在适当条件生长下可获得InP成核层的二维生长方式.该研究为进一步基于ART机理在二维图案化GaAs衬底开展InP异质外延研究奠定基础.