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11.
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制 总被引:2,自引:0,他引:2
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础. 相似文献
12.
13.
重叠保留法是计算一个短序列与一个无限长序列线性卷积的有效方法。就我们所知,多数《数字信号处理》教材详细叙述了重叠保留法的步骤,有些教材还从线性卷积与循环卷积的关系出发给出了重叠保留法的原理,笔者认为这种解释不够清楚、也不够严谨。本文给出了一个较为严谨而准确的证明。 相似文献
14.
本文用激光探针测量了砷离子注入硅在 CW CO_2激光退火过程中的实时分辨反射率。从反射率随时间的变化曲线,计算出不同退火温度下的固相外延速率。提出了用 He-Ne、He—cd 双光束探针法可在更宽的温度范围内具有更高的分辨率。 相似文献
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16.
17.
18.
通过镁离子内扩散铌酸锂单晶光纤,以改变晶纤表层的折射率,首次在国内实现了沿不同轴向生长、不同掺杂的铌酸锂单晶光纤的芯-包层波导结构。通过匹配扩散温度、扩散时间、MgO膜厚等扩散参数及选择合适的晶纤直径,实现了晶纤具有阶跃和抛物折射率分布的包层,并对包层晶纤的模式特性进行了观察,得到低次模传输。 相似文献
19.
1 VH段在传输中出现“鼓包”在电视信号传输中,经过3级放大且主干电缆传输1500m左右,出现了VH段频道电平比VL、U段电平高出5dB的“鼓包”现象,这给长距离传输带来了困难。造成中间“鼓包”的主要原因是电缆的性能引起的,为此我们每隔(2~3)级放大器采用西安市迈克电子公司生产的带线间修正性能的主干放大器(型号分别为MIC-7230,MIC-7226),这类放大器线间调整幅度在(0~6)dB,通过调整消除了“鼓包”现象。2 60V馈电不通在维修主干馈电线路中,曾有一次出现电流馈送不过去使放大器不能工作的故障。故障现象:前2级放大器工… 相似文献
20.