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281.
针对存在有信道估计误差的正交频分多址( OFDMA)中继系统,在考虑用户传输中断概率的同时,提出了满足不同用户最小服务质量( QoS)需求和比例公平性约束条件下的中继选择、子载波分配和功率分配的联合优化问题,建立了以最大化系统总容量为目标的优化模型。在此基础上以速率最大化为目标进行最佳中继选择,并通过动态子载波分配来满足用户的最小QoS需求和比例公平性,最后采用拉格朗日乘子法来得到最优功率分配方案。仿真结果表明,此算法在降低用户中断概率的同时,提高了系统吞吐量并保证了用户速率的比例公平性。 相似文献
282.
双(N-苄基)-2,7-萘-二(氧杂乙酰胺)稀土配合物的合成、表征、荧光性及其与DNA的作用 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了2,7-二(苄胺酰乙氧基)萘(L)与稀土(RE:Y,La,Eu,Tb)苦味酸盐(pic)的配合物[RE(pic)3L2],用1H NMR、红外光谱、元素分析和摩尔电导表征了它们的结构、组成及性质。在pH=7.20的Tris-HCl缓冲溶液中用光谱法、伏安法和粘度法,测定4种配合物均以插入方式与ct-DNA发生配合作用,其作用强度为:La(Ⅲ)>Tb(Ⅲ)>Y(Ⅲ)>Eu(Ⅲ)。 相似文献
283.
目前高校的光学课程中普遍涉及以物理光学和几何光学为理论基础的光学系统设计和分析内容,为了使学生加深对抽象概念和规律的理解,往往采用计算机仿真对其进行直观地描述.本文通过计算机仿真技术在光学教学过程中三个方面的实例运用,阐明了在光学教学过程中计算机仿真技术的应用对培养学生在将来的生产及科研实践中理解、分析及解决问题的能力... 相似文献
284.
SiC MESFET工艺在片检测技术 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监浏、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术.芯片表面情况判定主要通过显微镜观察表面形貌、原子力显微镜测表面均匀性以及扫描电镜观察形貌以及组分分析.干法刻蚀的监测主要通过台阶仪结合椭偏仪实现,即保证了干法刻蚀按预想的深度刻蚀也验证了材料结构的参数.通过TLM图形测试的比接触电阻值可以确保良好的欧姆接触,减小器件的串联电阻,提高器件的电流处理能力,为实现高功率输出奠定基础.通过台阶仪测量和显微镜观察实现的等平面工艺大大提高了器件的性能,微波功率提高30%左右,增益提高1.5 dB以上,功率附加效率提高接近10%. 相似文献
285.
研制出双控声光调Q全固态红外激光器。应用专门研制的双控驱动器,代替普通声光调Q全固态红外激光器中独立的激光二极管(LD)驱动器和声光Q开关驱动器。在双控驱动器中,抽运源激光二极管和Q开关都工作在与输出激光脉冲相同重复频率的间断工作状态。在每一个周期中,激光二极管在输出激光脉冲前的某一时刻打开,在输出脉冲后的适当时刻关断。声光Q开关在激光二极管打开前的某一时刻开始工作,在激光二极管关闭后的某一时刻停止工作。与普通声光调Q全固态激光器相比,在输出激光脉冲重复频率相同的情况下,双控驱动全固态红外激光器能耗减少50%以上,主要部件温升减少10℃以上,达到热稳定的时间减少到23%,用1 W的激光二极管抽运,得到了脉宽16.8 ns,峰值功率4 kW的无寄生脉冲的激光输出。 相似文献
286.
随着电磁炉的日益普及,维修工作也日益增多。维修中发现IGBT管损坏占了相当比例,同时POWER(FUSE)为12-15A,整流桥块也多见过流损坏。IGBT管的损坏大致有以下几个原因。 相似文献
287.
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290.