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101.
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 相似文献
102.
提出并实现了多点抽运、单点输出的双镜非平面环行激光器。该激光器谐振腔由2面反射镜组成,其中1面反射镜直接镀制在激光晶体表面上,所产生的激光在2面腔镜之间沿着非平面光路传播,在谐振腔内形成振荡;该激光器可方便地进行多点端面抽运,降低热效应并提高输出功率;其输出反射镜分成2个扇区,面积大的扇区对振荡激光是全反射的,面积小的扇区对振荡激光是部分透射的,从而实现振荡激光在输出镜上的单点输出,给出了2点抽运时激光单点输出的实验结果。讨论了谐振腔光路模式的特征参数,给出了部分光路模式模拟图。 相似文献
103.
104.
多层Web体系结构目前普遍具有较弱的程序应变能力、繁琐的维护工作以及较低的可重用程度等一系列的不足,所以在对Web应用系统进行开发的时候必须要采取有效的措施不断地提高开发效率,选取合理的技术开展框架搭建、分层设计等一系列的工作,从而将应用系统的实用性、安全性、灵活性等充分的发挥出来. 相似文献
105.
SiC MESFET工艺技术研究与器件研制 总被引:3,自引:1,他引:2
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB. 相似文献
107.
一、亲水性保护基在使用经典方法进行多肽合成中常用的保护基都具有疏水性质,因此可使保护肽类在有机溶剂中的溶解度增加。然而随着肽链的增长和溶解度下降,给肽键的形成反应及产物的纯化过程造成很大困难。为改 相似文献
108.
激光二极管抽运的高效高重复频率Nd∶YAG陶瓷激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
研制了激光二极管(LD)抽运的高效高重复频率声光调QNd∶YAG陶瓷微型激光器件。激光器采用激光二极管纵向同轴抽运Nd∶YAG陶瓷得到1064nm近红外激光输出,采用熔融石英作声光介质,声光调Q重复频率1Hz~115kHz可调。使用2W的激光二极管抽运,获得脉冲宽度16.4ns,峰值功率2.46kW,单脉冲能量40.5μJ的稳定运转。在重复频率110kHz时获得495mW的平均功率,总光光转换效率达24.75%。研究了重复频率及抽运功率对声光调Q脉冲激光器性能的影响,并对实验结果进行了相应的分析讨论,在理论上加以合理的解释。 相似文献
109.
110.
<正> 为适应科学技术发展和教学、科研、生产、科技交流的需要,中国大百科全书出版社继1985年出版《中国大百科全书·力学》卷后,应广大读者建议,组织中国力学界著名专家、学者、教授编撰了具有权威性的科技工具书《力学词典》,并将于1999年上半年出版发行。 《力学词典》编撰工作是在以钱伟长、钱令希、郑哲敏、林同骥、朱照宣为首的中国大百科全书力学编辑委员会指导下进行的,是中国力学界集体智慧的结晶。 相似文献