国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制

以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.     

基于国家标准的数字电视发射机激励器本振源的研究

本文主要针对数字电视地面广播国家标准(GB20600-2006),对国标激励器做了系统的介绍,以频率合成为基本出发点寻求合适的解决方案(利用ADF4360-7来实现),从理论上对频率合成的主要方式——锁相环进行分析,给出了杂散和噪声性能;对基于ADF4360-7的部分电路结构进行了仿真,并作了必要的分析。     

省通信管理局展开“坚持科学发展观，进一步解放思想”大讨论

为进一步学习贯彻党的十七大和省委十一届四次全会精神,深入落实胡锦涛总书记在全国"两会"期间对江苏发展提出的新要求,省通信管理局结合"改革开放30周年、江苏第一次通信工作会议召开20周年和移动改制上市、邮电分营10周年"主题,在全局范围内开展"坚持科学发展观,进一步解放思想"大讨论活动,并于近日制定了活动方案,对大讨论活动进行整体布置。活动将以深入学习实践科学发展观为主线,以贯彻落实党的十七大和省委十一届三次、四次全会精神为重点,坚持务虚与务实相结合,配合"监管为民、服     

核酸与抗癌药物的作用和广义荧光猝灭方程

通过荧光法在不同温度下研究了2种抗癌新药:吡柔比星和表柔比星与小牛胸腺DNA的作用,分别应用荧光猝灭和荧光加强理论公式计算了它们的结合常数等,进而分别计算了它们的热力学函数.首先,热力学研究结果表明核酸与药物作用属于氢键和/或Van der Waals力;其次,即使是核酸类生物大分子其与药物的作用,荧光猝灭和荧光加强公式的计算结果仍符合等效性规律;第三,本文对这些猝灭图、双倒数图、生成常数、和热力学数据的差异进行了综合分析比较,结果表明,基于荧光加强理论公式(4)获得的图谱和数值显示更为合理.因而我们建议,即使在研究受体-底物的荧光猝灭反应时,采用荧光加强理论公式(4)可以获得更符合实际的结果.结合以前的类似结果,我们指出:对于任何生物大分子和活性小分子(含金属离子)之间由给体-受体作用所导致的荧光猝灭和荧光加强效应,均可应用我们导出的荧光加强理论公式(4)进行处理,因此我们定名其为广义的荧光猝灭方程.     

大范围可调谐液晶/聚合物光栅有机半导体激光器

基于液晶/聚合物光栅,以MDMO-PPV为增益介质,在抽运增益介质层不同位置处对出射激光波长进行粗略调谐,通过施加外部电压对出射激光波长进行精密调谐,最终得到调谐范围为18 nm、可连续精密调谐的液晶/聚合物光栅有机半导体激光器。该研究可为改进可调谐分布反馈有机半导体激光器提供一些新思路。     

基于液晶/聚合物光栅的可调谐双波长有机激光器

本文报道了基于液晶/聚合物光栅的可调谐双波长有机激光器的制备,并研究了激光器出射激光的电调谐以及周期调谐性能。利用激光染料4-二氰亚甲基-2-甲基-6-对-二甲基氨基苯乙烯-4H-吡喃(DCM)和有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-(2-乙基己氧基)-1,4-苯乙炔](MEH-PPV)同时作为增益介质,液晶/聚合物光栅作为谐振腔得到可调谐双波长有机激光器,对激光器施加电压或者改变液晶/聚合物光栅的周期可调谐激光器的出射波长。双波长有机激光器从DCM和MEH-PPV中出射的激光波长分别为608.3nm和632.1nm,在外加电场的作用下,出射激光波长分别蓝移了9.6nm和1.7nm。随着光栅周期从394nm增加到406nm,出射激光波长分别红移了18.4nm和19.2nm。本工作为可调谐有机双波长激光器的研究提供了有益的指导和借鉴意义。     

基于极限学习机的目标智能威胁感知技术

空中目标威胁感知是智能空战的关键技术之一。针对空中目标威胁评估问题,提出一种基于极限学习机的目标威胁智能感知策略。该方法首先提取目标威胁评估的高权重态势因子,并采用隶属度函数进行归一化数值解译;然后,借助专家知识采用极限学习机理论对威胁感知的输入输出数据进行建模,构建智能感知推理模型;最后,建立基于极限学习机的目标威胁智能感知流程。仿真结果表明,该算法具有较高的威胁感知精度以及较好的算法实时性。     

基于遗传算法的亚表面缺陷热波散射反问题

红外热波检测技术被应用于零部件或设备内部缺陷及故障的检测与定量识别。本文建立了半无限材料中圆柱绝热缺陷在超短激光脉冲辐照下的非傅里叶热传导波动模型,在采用波函数展开法和镜像法研究热波散射正问题的基础上,运用遗传算法对亚表面缺陷深度进行反演,实际测量温度取热波散射正问题计算得到的材料表面温度,并且分析讨论了测温点数目、入射频率等因素对反演结果的影响。数值实验结果证明了该方法的有效性。与L-M法和共轭梯度法相比,该方法在反演的精度及速度上都有较为良好的表现。     

微机控制的晶体光纤生长设备

本文介绍了小型激光加热基座法晶全光结生长设备的系统构成，以及微机在控制晶纤生长速度、直径等方面的应用。