SMG全媒体建设思考与实践

互联网的快速发展和应用普及,新兴媒体的涌现,给传统媒体带来了前所未有的冲击和挑战。如何适应新媒体的发展,如何向全媒体转型,将是传统媒体亟需解决的首要问题。SMG近年来在新媒体方面进行了积极的尝试和探索,目前在正通过不断完善自身产业布局,整合优势资源,实现规模效益,努力转型成为一个综合性的全媒体集团。     

基于FPGA的位同步信号提取

同步是通信系统中一个非常重要的实际问题。在同步通信系统中,同步系统性能的降低会导致通信系统性能的降低,甚至使通信系统不能正常工作。因此,同步是信息能够正确可靠地进行传输的前提。介绍一种基于FPGA的锁相环位同步提取技术的原理,并用VHDL语言编程实现,在QuartusⅡ下编译仿真通过,给出仿真波形图。经分析该设计稳定可靠,且能够完成要求。     

雷达目标检测概率简化算法及应用分析

介绍了典型雷达目标的RCS起伏模型,阐述了由雷达目标起伏造成的信噪比损失,分析了雷达发现概率、虚警概率和信噪比之间的关系,绘制了仿真曲线。对非起伏目标和起伏目标之间在相同检测概率下的所需信噪比的不同,给出了一种等效算法,并针对非起伏目标的检测概率复杂度大的问题,给出了一种简化模型,并对简化后的误差进行了分析,最后对模型在雷达检飞试验中的应用进行了简要分析。     

激光二极管抽运Cr^4＋：YAG被动调Q Nd：YVO4激光器的实验研究

对激光二极管(LD)抽运的Cr^4 ：YAG被动调Q Nd：YVO4全固态激光器进行了实验研究。着重研究了抽运功率，Cr^4 ：YAG晶体的初始透过率及其在激光腔中的位置等因素对激光器输出脉冲宽度和重复频率等性能的影响，并对实验结果进行了相应的分析讨论，在理论上加以合理的解释。     

反辐射导弹发展趋势及对抗措施

反辐射导弹(ARM)技术的快速发展,给防空雷达及其它辐射源造成了极大的威胁.介绍了ARM基本工作原理和发展趋势,基于ARM的局限性和未来的发展趋势分析,重点介绍了从反侦察技术、干扰技术、告警技术和硬摧毁技术等方面采取措施对抗ARM.     

“数字信号处理”中重叠保留法的证明

重叠保留法是计算一个短序列与一个无限长序列线性卷积的有效方法。就我们所知,多数《数字信号处理》教材详细叙述了重叠保留法的步骤,有些教材还从线性卷积与循环卷积的关系出发给出了重叠保留法的原理,笔者认为这种解释不够清楚、也不够严谨。本文给出了一个较为严谨而准确的证明。     

移动数据业务体系中结算系统的建设

当前，移动数据领域出现了很多新兴技术，如WAP、IMAP4、MMS、BREW、JAVA等。为了充分发挥运营商在数据业务方面的网络优势，更好地吸引对各种移动数据业务感兴趣的用户，移动通信运营商基于上述各种技术体制陆续进行了各种移动数据业务平台的建设．相关支撑系统的建设和改造。希冀通过这些移动数据业务的开展，可以更好地吸引大量新用户，并促进用户量的增长，提高移动通信运营商的ARPU(每用户收入)值。     

雷达对抗反辐射导弹技术综述

反辐射导弹(ARM)技术的快速发展,给防空雷达及其它辐射源造成了极大的威胁.基于对 ARM 局限性的分析,从雷达工作频段、新体制、雷达信号的反侦察设计、新技术及战术运用等方面着手,对雷达抗 ARM 技术的总体设计思路、ARM 的告警和诱偏、ARM 的电子干扰措施等方面进行了重点论述.     

卫星导航系统中基于序贯处理的Kalman滤波

为了有效降低基于Kalman滤波方法的导航定位求解运算量,保证实时性,提出了一种以单个卫星为基本滤波单元的基于序贯处理的扩展Kalman滤波(EKF,extended Kalman filtering)方法——单星序贯扩展Kalman滤波(S3EKF,single-satellite sequential extended Kalman filtering)法。仿真结果表明,S3EKF法相对常规EKF法而言,当可见卫星数超过7颗时,能有效改善运算量,且改善量随可见卫星数的增加而增加,当可见卫星数在15颗及以上时,运算量的改善超过50%;同时,S3EKF法能在可见卫星发生变化时保证求解的一致性和稳定性。     

国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制

以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料.外延片XRD半宽43.2 arcs,方块电阻121点均匀性18.39%,随后制备出的具有直流特性的4H-SiC MESFET器件管芯,器件总栅宽250 μm,饱和电流密度680 mA/mm,跨导约为20 mS/mm,在20 V下的栅漏截止漏电为10 μA,2 mA下栅漏击穿电压为80 V.比例占总数的70%以上.初步实现从衬底到外延,进而实现器件的完整工艺链,为进一步的工艺循环打下良好基础.