SOI-LDMOS器件改善电安全工作区后驼峰现象的研究

研究了高压SOI-LDMOS器件在引入P-sink结构改善电安全工作区(E-SOA)后I-V特性曲线呈现的驼峰现象(hump)。首先将驼峰现象出现后器件的源端总电流分成电子电流与空穴电流单独分析,确定高栅压下电子电流阶梯上升是驼峰现象产生的表面原因,进而通过仿真分析出Kirk效应导致的空穴电流在表面漂移区中电导调制是驼峰现象产生的根本原因。最后,根据对驼峰现象的分析,设计出新器件结构成功消除了驼峰现象,为今后不同类型LDMOS器件改善I-V曲线驼峰现象提供了理论指导。     

LD泵浦的Nd：MgO：LiNbO_3单晶光纤腔外倍频激光器

通过镁离子内扩散方法．实现了沿α轴生长的Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３单晶光纤具有阶跃折射率分布的芯－包层波导结构。并研制成ＬＤ泵浦的该包层单晶光纤室温腔外倍频激光器，在１９ｍＷ的１．０６４μｍ入射光功率下，得到１０μＷ的０．５３２μｍ的连续绿光输出。     

铝及铝镁合金中铈的合金化量及其显微分布

在工业纯铝及铝镁合金制品中加入少量稀土合金可以提高其机械性能与抗腐蚀性能,但稀土的作用机理则不甚清楚。本文用放射性测量方法测定了铝及铝镁合金中铈之合金化量,用电子探针及涂层法自射线照相研究了铈在其中的分布。 实验分别将工业纯铝(含Si 0.15％、Fe 0.14％)与铝镁合金(含Si 0.14％、Fe 0.32％、     

激光二极管抽运的高效高重复频率Nd∶YAG陶瓷激光器

研制了激光二极管(LD)抽运的高效高重复频率声光调QNd∶YAG陶瓷微型激光器件。激光器采用激光二极管纵向同轴抽运Nd∶YAG陶瓷得到1064nm近红外激光输出,采用熔融石英作声光介质,声光调Q重复频率1Hz～115kHz可调。使用2W的激光二极管抽运,获得脉冲宽度16.4ns,峰值功率2.46kW,单脉冲能量40.5μJ的稳定运转。在重复频率110kHz时获得495mW的平均功率,总光光转换效率达24.75%。研究了重复频率及抽运功率对声光调Q脉冲激光器性能的影响,并对实验结果进行了相应的分析讨论,在理论上加以合理的解释。     

LD泵浦的LNP激光器

研制出国内第一台用LD泵浦的LNP激光器,获得CW1047nm激光运转.阈值泵浦功率为42.2mW,输出功率为0.40mW,斜效率为2.1%.     

LD抽运的946nmNd：YAG激光器及其腔内倍频

本文分析了准三能级激光系统的特点，给出了实现946nmNd:YAG激光及其腔内倍频的方案。报导了在2W功率抽运下，通过优化设计，室温下获得490mW的946nm连续红外激光，通过LBO晶体腔内倍频获得了120mW的473nm连续蓝色激光，光光转换效率分别为24.5%及6%。     

基于Xscale PXA27x的H.264视频编码优化策略

Xscale PXA27x是Intel公司新近推出的一款高性能数字多媒体处理器,具有Wireless MMX协处理单元,为高效实现H.264视频编码算法提供了有力的保证。文章提出了一种优化策略,较好地实现了PDA或3G手机中的实时视频编码。在HP2490实验平台上,码率为64kbps的QCIF的编码速率为31ms/帧。     

n型4H-SiC同质外延层上欧姆接触的研究

介绍了n -SiC/Ti/Pt欧姆接触的制备方法及其接触特性,其中n -SiC外延层是通过化学气相淀积的方法在偏离(0001)方向7.86.的4H-SiC衬底上进行同质外延生长所得.对于n -SiC/Ti/Pt接触系统,通过合金实验得到最优的欧姆接触制备条件,得到最小的比接触电阻为2.59×10-6 Ω·cm2,满足器件性能,为各种SiC器件的实现奠定了基础.同时,该接触系统还具有很好的高温稳定性,在100 h的400℃高温存储实验后,其比接触电阻基本稳定.     

YAP系列晶体光纤的生长和LD泵浦的Nd:YAP单晶光纤激光器

本文叙述了YAP系列晶体光纤的优点和生长方法;用激光加热小基座法生长出直径范围为50～500μm,直径波动<±1％/cm的YAP系列晶体光纤。研制成用LD泵浦的单晶Nd∶YAP光纤激光器,输出为1.0795μm波长的线偏光,最大输出功率为1mW。