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71.
This paper deals with the forced longitudinal vibration ora rod carrying a concentrated mass and supported by a spring at one end. The vibration of the rod is excited by the motion of the support point at the other end Since the boundary conditions of the problem are complex and it is necessary to consider the damping, we determine only the steady state periodic solution. First the linear system is analysed, then the material nonlinearity is considered and the approximate analytic solution of nonlinear partial differential equation with nonlinear boundary conditions is obtained by the perturbation method.  相似文献   
72.
我们采用粘接技术将半导体激光器、自聚焦透镜和平面反射镜三者构成一个整体,作成了性能优异、结构小巧紧凑的外腔半导体激光器,其输出波长为1.3μm,输出功率大于2mW,单模线宽约2MHz,单模稳定时间接近一小时,输出光斑尺寸及光束发散角均较小。该激光器不需要任何机械调整,可以有效地消除机械不稳定性,一经注入适当的工作电流,在无恒温的普通实验室中即可获得较长稳定时间的窄线宽单纵模输出,给使用者带来较大方便。稳定的  相似文献   
73.
本文论述了香港生产力发展模式和生产力促进局的新策略,提出了加强香港与内地合作,典同促进生产力发展的建议。  相似文献   
74.
使用电喷雾电离-飞行时间质谱的方法对抗菌肽GW10在低能碰撞诱导解离(CID)条件下的解离过程进行了研究。通过研究不同解离能时碎片离子的种类及丰度确定肽的断裂位点,从而对其在生物液相环境中的降解进行推测。通过研究表明,不同质子化抗菌肽GW10的共同断裂位点为R3-P4,其他位点因质子化不同而稍有不同。  相似文献   
75.
在飞行器的弹射试验中,飞行器上关键仪器设备的工作温度,对于评定设备工作情况、进行型号改进,都具有重要的指导意义,为此设计了一种基于FPGA的高精度多通道实时温度监测系统,该系统主要包括采编转发装置和采编变换装置,采编装置在硬件上采用信号调理、模数转换、内部总线和抽屉式结构等方法,在逻辑上采用查找ROM表和CAN总线等方法,使得可以同时监测192路温度信号,此系统具有高精度、高可靠性、高继承性等优点。  相似文献   
76.
多层Web体系结构目前普遍具有较弱的程序应变能力、繁琐的维护工作以及较低的可重用程度等一系列的不足,所以在对Web应用系统进行开发的时候必须要采取有效的措施不断地提高开发效率,选取合理的技术开展框架搭建、分层设计等一系列的工作,从而将应用系统的实用性、安全性、灵活性等充分的发挥出来.  相似文献   
77.
范宜仁  吴飞  李虎  霍宁宁  王要森  邓少贵  杨培强 《物理学报》2015,64(9):99301-099301
面对日益复杂的勘探对象, D-T2二维核磁共振技术在实际应用中面临无法兼顾扩散系数测量范围和横向弛豫分辨率的困境. 脉冲序列作为D-T2二维核磁共振数据采集的核心技术, 其性能优劣直接影响应用效果, 在综合对比PFG, STE-PFG, BP-PFG、改良式CPMG, 扩散编程, 多回波间隔CPMG脉冲序列性能的基础上, 有效融合脉冲梯度场、恒定梯度场D-T2脉冲序列的优点, 本文提出一种基于脉冲梯度场的双变量、两窗口D-T2脉冲序列改进设计. 针对两个窗口的D-T2二维核磁共振数据反演, 为突破现有反演方法无法兼顾反演精度和解谱效率的瓶颈, 本着第二个窗口回波信号为主、第一个窗口回波信号为辅的原则, 本文提出一种同时使用两个窗口数据参与解谱的联合TSVD反演方法. 气水、油水、稠油、油气水模型不同信噪比条件下的数值模拟结果表明, 本文提供的D-T2改进脉冲序列达到了平衡扩散系数测量范围和横向弛豫分辨率的设计要求, 本文提供的联合TSVD反演方法也有效平衡了反演精度要求和解谱效率. 文中的D-T2改进脉冲序列及联合TSVD反演方法在复杂油气藏流体识别和产能预测中具有广泛的应用前景, 可为促进国内D-T2二维核磁共振岩心分析技术的发展提供有利条件.  相似文献   
78.
SiC MESFET工艺技术研究与器件研制   总被引:3,自引:1,他引:2  
针对SiC衬底缺陷密度相对较高的问题,研究了消除或减弱其影响的工艺技术并进行了器件研制.通过优化刻蚀条件获得了粗糙度为2.07 nm的刻蚀表面;牺牲氧化技术去除刻蚀带来的表面损伤层,湿氧加干氧的氧化方式生长的SiO2钝化膜既有足够的厚度又保证了致密性良好的界面,减小了表面态对栅特性和沟道区的影响,获得了理想因子为1.17,势垒高度为0.72 eV的良好的肖特基特性;等平面工艺有效屏蔽了衬底缺陷对电极互连引线的影响,减小了反向截止漏电流,使器件在1 mA下击穿电压达到了65 V,40 V下反向漏电流为20μA.为了提高器件成品率,避免或减小衬底缺陷深能级对沟道电流的影响,使用该工艺制备的小栅宽SiCMESFET具有195 mA/mm的饱和电流密度,-15 V的夹断电压.初步测试该器件有一定的微波特性,2 GHz下测试其最大输出功率为30 dBm,增益大于5 dB.  相似文献   
79.
80.
研究AHR3202407-CWH型图形点阵式伪彩LCD及其QPYD-03型控制器在10 kV电力系统单相接地故障定位装置中的实际应用,设计QPYD-03控制器与80C196KB型单片机的接口方式和硬件电路.同时,针对液晶显示器及其控制器的特点,探讨其图形显示功能的编程技巧,设计写汉字和字符的软件流程,并给出完整的绘点子程序.  相似文献   
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