耗散介观并联RLC电路的量子化及其量子涨落

从电阻产生的物理机制即电子与晶格振动的相互作用出发．对并联RLC电路进行了量子化。并讨论了在低温和高温极限下相应物理量的量子涨落。     

稀磁半导体Zn1-xCoxSe中的电子云延伸效应及压力对电子云延伸效应的影响

通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波函数.应用这一修正后的波函数,计算了Zn1-xCoxSe晶体的光谱跃迁.从物理学的本质出发,考虑了高压力对电子云延伸效应修正因子κ的影响,并且计算了Zn1-xCoxSe晶体吸收谱的压力蓝移谱,得到的蓝移率为dE/dp＝0.45meV/GPa.     

混合态二能级原子双光子过程中的光子聚束与反聚束效应

本文采用时间演化算符方法和数值计算研究了相干光场与混合态二能级原子双光子过程中的光子聚束与反聚束效应,结果表明量子崩塌与复苏性质和原子初始的混合程度无关,当0.97≤|S|≤1时,辐射光子会周期性地呈现短时的反聚束性质,随着原子初始混合程度的增大,二阶相干函数g     

非线性介观电路中的崩塌与回复现象

对非线性介观电路中电流的量子动力学行为进行研究.研究表明:由于非线性双向二极管的影响,使得在非线性介观电路中电流的平均值随时间变化存在被调制的现象.即在非线性介观电路中电流的平均值随时间变化存在周期性的崩塌与回复现象,并讨论了参数的变化对这种调制的现象的影响.     

介观LC电路中的量子隧道效应

考虑到电子在纳米电容器中的运动是一个单电子隧穿过程,因而将电容器作为一个隧道结,应用隧道模型的稳态法,研究了介观LC电路中的电流电压特性.结果表明:由于库仑力的作用,介观LC电路中存在着阈值电压.当外加电压小于阈值电压时,隧穿电流为零,显示出库仑阻塞现象;当外加电压远大于阈值电压时,隧穿电流与电压成正比. 关键词： 介观LC电路 库仑阻塞 单电子隧道过程     

铜薄膜中空位的计算机模拟

使用基于局域密度泛函理论的第一性原理赝势法,对6原子层厚铜薄膜中的空位进行了计算机模拟研究,计算出薄膜表面层、次表层和第三层中空位的形成能分别是0.69,0．82和1．00eV。作为对比,计算得到体材料中空位的形成能是1．04eV。并详细分析了空位近邻原子的驰豫情况。计算所得到结果与实验数据基本一致。     

脉冲信号作用下介观LC电路的量子效应

讨论了介观LC电路在外加脉冲信号作用下量子态的变化,指出当脉冲信号宽度是某个最小量的整数倍时,系统的量子态保持不变;最小量的值和电路参数有关 关键词： 介观LC电路 脉冲信号 量子态     

非线性介观电路的量子效应

将非线性双向二极管引入介观电路,对非线性介观电路进行量子力学处理.研究表明:由于非线性双向二极管的影响,使得在非线性介观电路可以实现克尔态的制备.并且对克尔态下非线性介观电路的电荷和磁通的量子涨落进行了计算.计算结果表明:两者随时间存在周期性的压缩现象.     

五种SiO_2晶体原子和电子结构的第一性原理研究

α-石英、β-石英、α-方石英、β-方石英和超石英是自然界中SiO_2常见的五种晶型.本文利用第一性原理平面波赝势方法,系统计算了五种SiO_2晶体的体弹性模量、电荷密度、电子态密度,能带结构,并和可获得的实验进行了比较.α-英、β-石英和具有空间群F d3m结构的β-方石英显示间接的带隙,而α-方石英,超石英和具有空间群P2_13和I42d结构的β-方石英显示直接的带隙.五种晶型SiO_2的带隙宽度均大于5.5 eV,都是绝缘体.