基于纳米氧化钛电子传输层的量子点发光二极管器件的制备与研究

为了获得高效而经济的光电器件,采用湿法旋涂技术制备量子点发光二极管器件( QLED),并对其光电特性进行了测试。此器件基于纳米二氧化钛( TiO2)的电子传输层,采用ITO玻璃作为阳极,Al为阴极,PEDOT为空穴注入层,TFB为空穴传输层,量子点( QD)作为发光层的结构。研究发现,QLED器件的开启电压为2.6 V,发光高度大于10 cd/m2。实验结果说明了TiO2可以作为获得高效QLED器件以及其他光电器件的一种有效途径。     

功能金属-有机骨架材料的应用

金属有机骨架（Metal-Organic Framework,MOFs）材料由于其特殊的结构引起了科学家的广泛关注,它作为多孔材料与无机或有机的多孔材料相比具有特殊的优势,是目前新功能材料研究领域的一个热点。本文总结了金属有机骨架多孔材料在分离纯化、催化、微反应器、负离子交换、复合功能材料等方面的应用进展,并对这种新型多功能材料在设计、合成与应用方面的广阔前景作了展望。     

冷阴极技术及其在大功率真空电子器件中的应用

场致发射阴极作为重要的电子源之一,在真空电子器件的发展进程中扮演了重要的角色。在与固态器件的竞争中,真空电子器件朝大功率高频方向持续发展,场致发射阴极的应用使其在器件尺寸、可靠性、功耗和工作频率等方面具备了较大的改进空间。本文综述了近年来大电流场致发射阴极技术进展,特别介绍了碳纳米管场致发射阴极的发展。试验表明在直流测试条件下,该类型场致发射阴极发射电流密度已可达到A/cm2量级,且可以实现长寿命高稳定发射,未来在场致发射阴极微波放大器、自由电子激光器和新型中子源等方面将有广泛的应用前景。     

等离子体显示大面积闪烁的客观评价

针对等离子体显示普遍存在的大面积闪烁现象,提出了一种基于时变光信号亮度测量系统的大面积闪烁客观评价方法。时变光信号亮度测量系统利用光电管和亮度计,实现了对显示屏输出光信号亮度值随时间变化的快速、准确记录。基于阴极射线管显示临界闪烁频率估算模型,通过主观视觉感知实验,利用测量系统得到亮度随时间的变化关系,建立了平均感知闪烁程度估算模型。估算模型输出结果与视觉感知实验数据相关系数达到0.98。该测量系统与估算模型实现了对等离子体显示大面积闪烁的客观度量,并与主观视觉感知实验结果相吻合,是等离子体显示屏优化设计和显示行业标准建立的有效工具。     

场发射显示器的基板形变分析

采用碳纳米管作为发射源的碳纳米管场致发射显示器是一种新型的平板显示器件。本文由FED基板形变方程出发，用ANSYS软件模拟了阳极基板的厚度对基板形变的影响，得出了厚度和基板形变的关系。在实际制备中采用了新型的基板结构，不仅在显示均匀性方面得到提高，而且降低了成本。     

FED显示系统的γ校正

在视频图像和计算机图形学中，γ校正是一个实现图像尽可能真实地反映原物体或原图像视觉信息的重要过程。在传统的阴极射线管（CRT）中图像信号的再现，由于电子枪的调制特性是非线性的，会出现亮度失真现象。为了克服低灰度级图像偏暗的缺点，大多数图像发送系统均采用预补偿办法，对其发出的图像信号作了预γ校正，从而实现了图像信号与图像亮度间的线性变换。FED作为一种新型场致发射显示器件，由于采用的驱动方式有别于CRT，因此并不具备等同于CRT的γ特性，如直接使用信号源图像信号，将不会得到高质量的图像显示。本文针对这一问题，对图像源视频信号作反γ校正，还原为原始图像，并通过实验得到适于FED显示屏的校正因子，经过校正，得到了较好的图像显示质量。     

CNT-FED中光刻工艺的研究

在碳纳米管场致发射显示器件结构中，需要采用光刻的方法制备各种不同的ITO图案和电极图案。本文着重介绍了ITO玻璃的表面处理和光刻过程。实验中采用在紫外曝光条件下，对光刻工艺中影响其刻蚀结果分辨率的各种因素做出了系统分析。这些因素主要包括了对于感光胶的选择，玻璃表面的清洁度，丝网印刷工艺的操作，紫外光曝光时间的控制，酸腐蚀浓度。通过优化实验工艺，得到满足精度要求的精细条纹，得出最佳的光刻条件。