Current-Enhanced Quantum Well Solar Cells

We present the experimental results that demonstrate the enhancement of the short-circuit current of quantum well solar cells. The spectral response shows that the introduction of quantum wells extends the absorption spectrum of solar cells. The current densities under different truncated spectrums significantly increase, showing that quantum well solar cells are suitable to be the middle cells of GalnP/GaAs/Ge triple-junction solar cells to increase their overall conversion efficiency.     

脉冲激光辐照CCD探测器饱和阈值分析

以电视制导武器跟踪系统核心部件CCD导引头为研究对象,介绍了CCD的基本组成及工作原理。使用脉冲激光对KA-320型面阵CCD进行了辐照实验,研究了脉冲宽度、峰值功率、重复频率对CCD饱和阈值的影响。使用Matlab中的Simulink工具对整个实验过程进行了仿真分析,从仿真结果归纳出脉冲激光对CCD探测器的干扰共性。最后得出结论:选用脉冲宽度小、峰值功率高、脉冲频率大的激光器更能使CCD导引头达到饱和,从而对制导武器实施有效干扰。     

磷酸铁锂单晶水热法生长及其表征

运用桂林水热法成功制备出了毫米级磷酸铁锂体晶体,晶体呈六棱柱结构或者呈圆形(around),等长的外观,等大的外表.实验得到LiFePO4单晶的XRD衍射峰谱,10°~40°范围内的主强峰相较于磷酸锂铁微晶多出(020)面,说明在晶体生长后期主要由(020)面控制,主要成六棱柱属性终止于(010),(200),(101)这三个表面,这些优势面有望在材料的电化学和表面交换性能中发挥重要作用.分析LiFePO4晶体结构确定锂离子在(010)方向是运动能量最低的通道,所以增大ac方向维度二维片状和缩短b轴方向的尺度结构的LiFePO4是可以设计合成的.这将使锂离子的扩散速度得到提高,并且使磷酸铁锂材料在倍率性能,电导率,低温性能方面都可得到提升.LiFePO4晶体在紫外光区大量吸收,在可见光区内出现一个宽的透过带,吸收值较小,大部分光透过,这正是LiFePO4单晶颜色不深的原因,并且具有良好的透过性.合成的LiFePO4晶体的点缺陷造成的色心对近红外短波部分980~1700 nm波长的光全部吸收,近红外长波1750~3000 nm光全部透过,LiFePO4晶体在1000~3000 nm波长范围内的高对称性吸收和透过必将使其在近红外波段窗口器件的应用上有所突破.     

基于SOI场效应管控制的背栅极碳纳米管场发射结构研究

针对目前碳纳米管场发射电子源存在的问题,以提高碳纳米管场发射阵列的大电流发射能力、电流均匀性和稳定性以及电流调制灵敏度为目标,基于绝缘硅(SOI)技术,提出并制备出一种独立场效应管控制的碳纳米管场发射阵列三极结构,并通过理论分析和实验验证等手段,发现其具有良好的栅极调制效果、优良的发射均匀性和稳定性。     

硅锥场发射阵列中离子轰击现象的分析

离子轰击影响尖端场致发射器件的稳定性和工作寿命.阐述了数值模拟硅锥阴极离子轰击现象的基本理论,并以硅锥场发射阵列的一个单元结构为例模拟了气体-电子碰撞电离产生的正离子回轰尖端的全过程,对模型中的硅锥受损的位置和程度进行了分析,得出了一些结论.     

半导体量子点自组织生长过程的控制

对控制半导体量子点的自组织生长进行了研究. 在对平均场模型和非平均场模型计算机模拟结果分析的基础上，提出了利用隔离单元抑制量子点的熟化生长的方法来控制量子点的大小，并对生长过程进行了计算机模拟. 结果表明通过将衬底表面的吸附原子海分割成一个个独立的隔离单元可以抑制量子点熟化生长，调节量子点的生长速度，达到制备大小均匀、排列有序的半导体量子点阵列的目的.     

新型CNT-FED驱动电路的研究

碳纳米管已经作为电子源广泛应用于场致发射显示器件中。本文讨论了场致发射显示器的工作特性．以及CNTFED对驱动电路的要求。根据脉宽调制（PWM，Pulse Width Modulation）额基本原理，本文提出了新型的灰度实现方式。该方法灰度等级实现方法简单，大大降低了扫描信号的频率要求。     

大电流场发射冷阴极发射性能的研究

研究了利用丝网印刷法制备碳纳米管阴极,以获取很大的发射电流。用传统的二极结构,在真空压强小于5×10-4Pa的条件下测量了用该方法制备的场发射阴极,阴极形状为直径3 mm的圆点。测量结果表明,阴极的最大发射电流达到11 mA。     

偏转对电子束上屏束径的影响

彩色显像管中，电子束经偏转系统偏转后在屏的边角处的尺寸比中心部分尺寸大。为了解决偏转散焦，日本松下公司推出了ＤＡＦ枪。然而随着ＨＤＴＶ的发展，电子束束流和偏转角都越来越大，此时仅靠调节动态聚焦电压不能完全补偿过聚焦以及大束流下空间电荷效应的影响。本文研究了大束流、大偏转角情况下造成偏转散焦的原因，提出在调节动态聚焦电压的同时适当改变电子束进入主聚焦透镜的入射角，从而改善电子束经偏转后的上屏质量。     

电子枪发射系统对上屏束点的影响

利用ＳＥＵ－８７５３Ｄ程序对彩色显像管电子枪系统做了详细地计算，得到了放大率，球差，空间电荷效应的变化曲线，由此看出它们对上屏束点大小的影响，并且由这些曲线中找到使上屏束点最小的结构。