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本文对InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管开启后的电流噪声进行了测试, 结合低频电流噪声的特点和载流子之间的复合机理, 研究了低频电流噪声功率谱密度与发光二极管发光转变机理之间的关系. 结论表明, 当电流从0.1 mA到10 mA逐渐增大的过程中, InGaN/GaN发光二极管的电流噪声行为从产生-复合噪声逐渐接近于低频1/f噪声, 载流子的复合机理从非辐射复合过渡为电子与空穴之间载流子数的辐射复合, 并具有标准1/f噪声的趋势, 此时多量子阱中的电子和空穴之间的复合趋向于稳定. 本文的结论提供了一种表征InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光机理转变的有效方法, 为进一步研究发光二极管中载流子的复合机理、优化和设计发光二极管、提高其发光量子效率提供理论依据. 相似文献
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大型活动前方后方主控系统是信号切换交互的核心,高低码流传输数据的高效性和安全性是设计系统的基石。目前高清为传输信号基本模式,随之带来的大数据量地快捷可靠传输,并以完整素材呈现在前后方系统中,也是设计者必须思量的大课题。此领域的种种新技术,也必然可以在大型活动良好平台下大放异彩。 相似文献
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