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Effect of Poly(Ether Urethane) Introduction on the Performance of Polymer Electrolyte for All-Solid-State Dye-Sensitized Solar Cells
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The introduction of poly(ether urethane) (PEUR) into polymer electrolyte based on poly(ethylene oxide), LiI and I2, has significantly increased the ionic conductivity by nearly two orders of magnitudes. An increment of I3- diffusion coefficient is also observed. All-solid-state dye-sensitized solar cells are constructed using the polymer electrolytes. It was found that PEUR incorporation has a beneficial effect on the enhancement of open circuit voltage VOC by shifting the band edge of TiO2 to a negative value. Scanning
electron microscope images indicate the perfect interfacial contact between the TiO2 electrode and the blend electrolyte. 相似文献
electron microscope images indicate the perfect interfacial contact between the TiO2 electrode and the blend electrolyte. 相似文献
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激光导星共孔径发射接收的偏振分光效率研究 总被引:2,自引:1,他引:1
在地平式折轴望远镜上开展自适应光学瑞利激光导星实验,研究了信标光束同孔径发射和接收偏振分光技术。基于镜面膜层复振幅反射特性,采用琼斯矩阵描述方法,建立了偏振分光物理模型,研究了共孔径发射和接收偏振耦合分光的效率问题,并与实验结果进行了比较。结果表明,由于镜面膜层对s光和p光的相位延迟差异,系统偏振分光效率随着望远镜的方位角旋转会发生周期性的变化,同时也受望远镜天顶角变化的影响。在研究光路反射镜相位延迟对往返分光效率影响规律的基础上,提出了提高地平式折轴望远镜激光导星共孔径发射和接收偏振分光效率,消除受望远镜方位角和天顶角变化影响的技术途径。 相似文献
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采用共组装法成功制备了电中性疏水抗癌药物喜树碱(CPT)/氧化石墨烯(GO)/Mg-Al类水滑石(HTlc)纳米杂化物. 先将CPT负载于荷负电的GO纳米片表面上制备成CPT/GO复合物,再与荷正电的HTlc纳米片(HNS)共组装,形成CPT/GO/HTlc纳米杂化物,其中GO纳米片和HNS相间叠加,CPT负载于层间. 采用X-射线衍射、透射电子显微镜、原子力显微镜、扫描电子显微镜-能量色谱仪、傅里叶变换红外光谱、紫外-可见分光光度计和热重/差示扫描量热分析等技术对纳米杂化物进行了表征. 37 ℃下分别在pH 7.4和4.0的磷酸缓冲液中,考察了CPT/GO/HTlc纳米杂化物的药物释放行为. 结果表明,CPT/GO/HTlc纳米杂化物的药物释放过程符合准二级动力学方程,且具pH响应性,在酸性(pH 4.0)介质中的释放速率和释放率明显高于中性(pH 7.4)介质. 共组装法是构筑药物/ GO/HTlc纳米杂化物的简便方法,该纳米杂化物在药物输送领域具有良好的应用前景. 相似文献
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Damage effect and mechanism of the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor induced by the electromagnetic pulse
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The damage effect and mechanism of the electromagnetic pulse(EMP) on the GaAs pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT) are investigated in this paper. By using the device simulation software, the distributions and variations of the electric field, the current density and the temperature are analyzed. The simulation results show that there are three physical effects, i.e., the forward-biased effect of the gate Schottky junction, the avalanche breakdown, and the thermal breakdown of the barrier layer, which influence the device current in the damage process. It is found that the damage position of the device changes with the amplitude of the step voltage pulse. The damage appears under the gate near the drain when the amplitude of the pulse is low, and it also occurs under the gate near the source when the amplitude is sufficiently high, which is consistent with the experimental results. 相似文献
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