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32.
介孔分子筛Al-MCM-41的合成与催化异构化性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,九水硝酸铝为铝源,十六烷基三甲基溴化胺(CTMABr)为模板剂,在室温条件下合成了介孔Al-MCM-41分子筛.通过XRD、N2等温吸附、SEM、FTIR等分析测试手段表征了分子筛的介孔结构和表面性质.结果表明所合成的分子筛有良好的介孔结构和较高的有序度,并且有较高的比表面积(达到816 m2·g-1)和窄的孔径分布.采用程序升温的焙烧方式、凝胶Al/Si比最大范围控制在0.06~0.13有利于合成高度有序的介孔Al-MCM-41分子筛.评价结果表明,所合成的Al-MCM-41分子筛对桥式四氢双环戊二烯(endo-TCD)异构化反应合成挂式异构体exo-TCD及金刚烷具有较高的催化活性和极高的选择性. 相似文献
33.
吸收光谱电化学方法是一种新型的分光光度法,它不必加入显色剂,只要控制电极电位和扩散层pH值,就能迅速测得吸光度。此法的基础研究近年逐渐增多,但实际应用较少。作者在前文的工作基础上,用原子吸收分光光度计和空心阴极光源组装成的吸收光谱电化学测量仪,研究了吸收光谱电化学测定Cr(Ⅲ)和Cr(Ⅵ)的条件,提出了实际样品中Cr(Ⅲ)和Cr(Ⅵ)的分析方法。 相似文献
34.
Cr/MgO催化剂上乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用浸渍法制备了系列MgO负载过渡金属氧化物催化剂,比较了这些催化剂的催化性能,详细考察了Cr/MgO催化剂的活性组份含量、焙烧温度及反应温度等因素对乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈的影响。结果表明,对于Cr/MgO催化剂,当负载量3%时催化性能最佳,过高的负载量对生成丙烯腈的选择性影响不大,但乙腈转化率呈下降趋势,焙烧温度对生成丙烯腈选择性的影响不大,但经600℃焙烧的催化剂乙腈转化率最高,随着反应温度提高,乙腈转化率提高,而生成丙烯腈选择性400℃左右出现最高值,CO2-TPD表明,催化剂强吸附碱中心越多,越有利于乙腈和甲醇选择性合成丙烯腈反应,Cr/MgO催化剂中引入Na2O后,提高了乙腈的转化率,而生成丙烯腈的选择性降低。 相似文献
35.
<正> 本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求,实现使用常规工艺来制作宽禁带发射极异质结晶体管。目前这一工作主要在硅材料上进行,利用重掺杂N型氢化非晶硅(N~+a-Si:H)作宽禁带发射极材料,在单晶硅上制作2DEG HBT。实验样管电流增益h_(FE)=120(V_(CE)5V,I_C=80mA),基区电阻5kΩ/□,表面浓度1.8×10~(18)cm~(-3)。 相似文献
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省广电局今年为我台新进一台10kW数字调幅固态中波发射机,经过两个多月的试运行,除一次因天馈系统故障外,平时工作稳定,用电少、效率高、电声指标好.但美中不足,其高压放电电路因设计上的欠缺,在生产单位来我台调机期间,该机上的2Ω150W放电电阻就被烧坏,随后生产单位设计人员又将原可控硅放电电路改成继电器放电电路,经几次试验后,放电继电器又被烧坏.此后,我台的新发射机每次关机后,高压电源要10多分钟才能放完电,给检查和维修带来了不安全的因素.为此,我们将原机放电电路改成了大功率场效应管放电电路,较好地解决了高压放电慢的问题. 相似文献
37.
38.
介绍了由锂回路、直线等离子体装置及液态锂净化系统等组成的液态锂综合实验回路平台。研究了液态锂与高密度等离子体相互作用、液态锂与结构材料相容性、液态锂净化和液态锂回路热工水力学参数测量等问题。实验结果表明,流动液态锂的蒸发速率与放电电流、氩气流量及磁场强度呈正相关关系。由流动液态锂产生的锂蒸气在轴向分布不具规律性,在径向分布呈高斯分布。流动液态锂的蒸发速率随着实验时间的增长逐渐升高,并趋于稳定。磁场抑制了液态锂的流动性。在磁场和等离子体长时间的作用下,流动液态锂表面生成一层很薄的氧化锂。 相似文献
39.
40.
Dielectric Properties of Multilayered Ba0.5Sr0.5TiO3 Thin Films Deposited on ITO-Coated Corning 1737 Glass by rf Magnetron Sputtering 总被引:1,自引:0,他引:1
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A new stacking method via variation ofsubstrate temperature in rfmagnetron sputter is used to fabricate polycrystalline/polycrystalline Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films with higher dielectric constant, higher breakdown strength and lower leakage current densities than those prepared by a conventionM deposition method. The improved figure of merit G (ε0εrEb) of the Ba0.5Sr0.5TiO3 thin films implies that they are a feasible insulation layer for thin film electroluminescent devices. 相似文献