首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1158120篇
  免费   134348篇
  国内免费   141397篇
化学   503501篇
晶体学   7994篇
力学   39495篇
综合类   13547篇
数学   82302篇
物理学   319104篇
无线电   467922篇
  2024年   8278篇
  2023年   26921篇
  2022年   31633篇
  2021年   29848篇
  2020年   24550篇
  2019年   27548篇
  2018年   24234篇
  2017年   23719篇
  2016年   27756篇
  2015年   30435篇
  2014年   53500篇
  2013年   47047篇
  2012年   82199篇
  2011年   94643篇
  2010年   54753篇
  2009年   52036篇
  2008年   85513篇
  2007年   84886篇
  2006年   84180篇
  2005年   78423篇
  2004年   68752篇
  2003年   57328篇
  2002年   49863篇
  2001年   40776篇
  2000年   38821篇
  1999年   20716篇
  1998年   12687篇
  1997年   9778篇
  1996年   15235篇
  1995年   12903篇
  1994年   13931篇
  1993年   14240篇
  1992年   13655篇
  1991年   9603篇
  1990年   9330篇
  1989年   9191篇
  1988年   9458篇
  1987年   8699篇
  1986年   8339篇
  1985年   7714篇
  1984年   5772篇
  1983年   4681篇
  1982年   3958篇
  1981年   3374篇
  1980年   2355篇
  1979年   1421篇
  1978年   819篇
  1975年   525篇
  1965年   507篇
  1948年   903篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
171.
<正>我们脚下的岩石中可能含有过去暗物质相互作用的残留物,这些残留物以纳米粗的径迹的形式存在着。以前对这些所谓的暗物质化石的寻找没有任何结果。但是瑞典和波兰的研究团队认为,最近在材料分析技术方面的进展,会促进新一  相似文献   
172.
173.
Cd3As2 is an important II–V group semiconductor with excellent electrical and optoelectronic properties. In this work, we report the large scale growth of single-crystalline Cd3As2 nanowires via a simple chemical vapor deposition method. Single nanowire field-effect transistors were fabricated with the as-grown Cd3As2 nanowires, which exhibited a high I on/I off of 104 with a hole mobility of 6.02 cm2V-1s-1. Photoresponse properties of the Cd3As2 nanowires were also investigated by illuminating the nanowires with white light by varying intensities. Besides, flexible photodetectors were also fabricated on flexible PET substrate, showing excellent mechanical stablility and flexible electro-optical properties under various bending states and bending cycles. Our results indicate that Cd3As2 nanowires can be the basic material of next generation electronic and optoelectronic devices.  相似文献   
174.
175.
176.
177.
178.
179.
180.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号