IDT／AIN／LiNb03结构声表面波滤波器模拟和分析

研究了IDT／AIN／LiNbO。结构声表面波滤波器的频散特性，发现了高机电耦合系数（〉18％），高声速（〉10km／s）的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟，其结果与文献报道的实验结果基本一致。     

GaAs单片式声表面波存储相关器

主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件；声表面波存储相关器，对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题：如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论，希望能对这种信号处理功能优良的器件未来的发展有所裨益。     

ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz, 因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67 m/s, 4 646.25 m/s和5 660.27 m/s。     

用于射频 微波和毫米波的先进的信道化技术 三

6 声光信道机 对于声及静磁波信道机,由于一些有用部件的进展,可能出现有合理动态范围及粒度的小型高通量声光处理机,包括大带宽,大孔径、高光学质量的布喇格盒。从相干光获得激光的小型半导体激光器可用于作光处理、光电探测器阵列,包括电荷耦合器件     

高灵敏度电调可变SAW延迟线

我们采用了在衬底表面和与衬底表面垂直方向施加电场的方法,研究了三片高耦合切型LiNbO_3的可变延时特性。发现了旋转16.5°LiNbO_3切片具有与38X型材料相等的线性延时系数。但在实际应用中,其效应太小。本器件是由位于声通道上导电电极构成的SAW延迟线组成。当改变加于电极和衬底背面的不锈钢接地之间的电压时,其速度变化呈线性的。当衬底厚0.16mm时,观察到速度相对变化为9×10~(-7)/V,相当于灵敏度γ=1.36×10~(-10)m/V。这是至今我们所知的灵敏度最高的器件。与我们早期的38X切型LiNbO_3的灵敏度1.4×10~(-10)m/V相当,且线性度很好,通过二阶导数推得它对时间的曲线斜率为10~(-3)。平面型时间延迟器件灵敏度的简单模型与实验条件有关。我们对两种几何结构的色散进行了计算,结果表明:对许多应用来说,这种差别是微不足道的。     

16～17 GHz体声波延迟线技术研究

通过优化高频低损耗换能器设计、极薄压电薄膜生长、微波网络匹配、高频气密封外壳的电磁兼容设计等技术,研制出了工作在16～17 GHz的微波声体波延迟线,其带宽为1 098 MHz,延迟时间0.34 μs,插入损耗-54 dB,三次渡越抑制28 dB,直通抑制44 dB.     

复合氮化铝压电薄膜研制及其应用

采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。     

激励剪切振动模式的ZnO压电薄膜的研制

本文介绍用于激励剪切振动模式的ZnO压电薄膜的制备方法、性能及应用前景.采用辅助阳极环,改变基片角度等的RF平面磁控溅射技术,在低气压、高速率的溅射条件下,制备出了c轴偏离基片法线40°,声速为2830m/s,机电耦合系数达到29—32%的ZnO压电薄膜.为制作微波复合谐振器和微波声换能器提供了性能优良的新型压电薄膜材料.     

LiNbO_3薄膜光波导及其应用(一)

本文对集成光学中制作平面光波导用的LiNbO_3薄膜制备及其光参数的测量方法进行了介绍。RF二极管溅射沉积的LiNbO_3单晶薄膜的寻常光及非寻常光折射率高达:n_0=2.32±0.02;n_e=2.18±0.04(He-Ne激光)。用LiNbO_3膜可制作出光传输损耗不超过1dB/cm(He-Ne激光)的薄膜光波导。用外扩散LiNbO_3平面光波导可制作出高效率、宽带的电光相位调制器。其调制率η与电压之比为0.13V~(-1),50Ω负载时最大带宽为3.2GHz。η=1rad时,每单位带宽的调制功率为0.19mW/MHz。另外,用内扩散工艺制作的Ti:LiNbO_3光波导可制作出集成声光调制器。与块体型声光双稳态器件相比,其体积尺寸以及功耗要小得多。最后,对迄今为止获得的研究结果进行了简要的讨论分析。     

一种窄带温补型声表面波滤波器

该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1 360 MHz,在-55～85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10~(-6)/℃,插入损耗约1.3 dB。