窄禁带半导体Pb_(1-x)Sn_xTe的带间磁光光谱及其能带参数的研究

用选支连续CO_2激光器为光源,首次对x=0.2 组分的n型Pb_(1-x)Sn_xTe 单晶进行了法拉第构象下圆偏振光的磁光反射光谱的测量.样品温度在10—50K范围内,磁光反射谱的振荡峰值对应L_1~6价带到L_3~(6＇)导带朗道能级间的跃迁. 采用k·p微扰理论模型,用上述峰位,经过拟合计算得到了该模型下此x值处能带边有效质量、g因子、各向异性因子、能隙等参数.结果发现,远带对有效质量贡献较大,特别是对纵向有效质量的贡献可达到30％,并带来一定程度的导带、价带不对称.相比之下,远带对g因子则影响很小.x=0.2时各向异性因子为10的量级,并随能隙而变化,远带作用使它有所降低.     

Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究

在Ⅲ－Ⅴ族半导体ＧａＡｓ外延层上共注入Ｅｒ和Ｏ离子（ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ）．经面对面优化退火后，光致发光（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ－ＰＬ）谱中观测到对应Ｅｒ３＋第一激发态到基态４Ｉ１３／２－４Ｉ１５／２跃迁，其相对强度较单注入Ｅｒ的ＧａＡｓ（ＧａＡｓ：Ｅｒ）增强１０倍，且谱线变窄．从二次离子质谱（ＳｅｃｏｎｄａｒｙＩｏｎＭａｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ－ＳＩＭＳ）和卢瑟福背散射实验给出退火前后Ｅｒ在ＧａＡｓ：Ｅｒ样品中的剖面分布．ＳＩＭＳ测量分别给出Ｏ注入前后Ｅｒ和Ｏ在ＧａＡｓ：Ｅｒ，Ｏ中的深度剖面分布，分析表明Ｅｒ和Ｏ共注入后形成光学激活有效的发光中心．     

Er离子注入GaP,GaAs, InP的二次离子质谱(SIMS)的研究

近年来掺稀土元素的Ⅲ—Ⅴ族化合物研究在基础物理和器件应用方面都越来越引起人们的关注,[1,2]其中又由于Er3+的4I13/2—4I15/2的特征发光波长为1.54μm,恰好对应于石英光纤的低损耗区,且离子注入技术简单易行,因而倍受重视.国际上已报道了不少有关Er注入Ⅲ—Ⅴ族化合物的研究,大多选用较低的注入剂量(约1012～1014Er/cm2),而对较高剂量的注入有待于进一步研究.     

稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应

在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响．     

半磁半导体──一类新型的半导体

本文主要介绍当存在交换相互作用时半磁半导体中的一些独特性质；描述交换相互作用对典型半磁半导体能带结构的影响，给出朗道能级和ｇ因子的分析；讨论了半磁半导体中由于电子态的巨自旋分裂引起的一系列反常磁光效应。     

磁光实验用液氦杜瓦瓶

一、引 言 近年来晶体中磁光效应的研究,特别是半导体中磁光效应的实验研究有了很大的发展,它已成为研究晶体中能带结构的重要实验方法之一.为进行窄禁带半导体磁光效应的研究,我们研制了专用的液氦杜瓦瓶.本文简要介绍液氦杜瓦瓶的结构和主要性能. 二、结 构 液氦杜瓦瓶的结构     

沉痛悼念我最敬爱的黄昆老师

世界著名的物理学家和中国半导体事业的开拓者和奠基者黄昆先生离我们而去，我感到万分悲痛，这是中国物理学界和中国教育界的重大损失．回忆与黄昆先生曾经在北大物理系半导体教研室一起工作的日日夜夜，记忆犹新，仿佛就是昨天．     

高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格的荧光谱研究

报道用分子束外延(MBE)技术生长的x=0.4,0.8的高组分稀磁半导体Cd1-xMnxTe/CdTe超晶格低温和室温荧光谱研究结果.基态激子跃迁能级荧光谱实验结果显示高组分超晶格中具有高量子效率和高质量光发射.对激子能级随温度的变化进行了详细研究,给出激子跃迁能量的温度系数.激子能级线型的展宽随温度变化关系可用激子-纵向光学声子耦合模型解释.与光调制反射谱实验结果进行了比较.     

硅中氧的高空间分辨本领红外光谱

用高空间分辨本领的富利埃变换红外光谱研究了CZ法生长硅薄片中氧的沉淀.用此技术我们能探测到单个沉淀物的聚集所贡献的1230cm~(-1)处的吸收带.实验发现在1100℃退火80分钟就足以形成薄层盘形的SiO_2沉淀物.获得的样品中沉淀物的空间分布图表明这些沉淀物的分布是不均匀的,主要分别分布在离后表面和外延衬底界面约100μm距离内.     

半磁半导体的输运性质和杂质态

半磁半导体是一类新型的半导体材料．本文主要阐述ｓｐ－ｄ交换相互作用对半磁半导体（ＳＭＳｃ）中输运特性和杂质行为的影响，讨论了量子输运特性，巨大负磁阻效应，磁场感生的金属─绝缘体转变等一系列新的物理效应以及束缚磁极化子的形成．