中国固态增殖剂实验包层小模块工程结构设计与研制工艺探讨

为部分验证中国固态增殖剂TBM 模块中原尺寸模块结构设计的合理性和研制工艺的可行性,针对性地开展了TBM 小模块(仅高度为1/3)研制工作。在前期设计工作基础上,开展TBM 小模块结构详细优化设计与分析,提出模块加工、连接及集成装配等工艺方案,为TBM 小模块的工程化试制奠定坚实基础。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

如何用EL34制作推挽单声道功放

本刊2007年第12期介绍了一款质量好又好摆放的前级放大器,与这款前放搭配的是EL34推挽单声道功放,不少爱好者对此功放也很感兴趣。这里便向大家详细介绍该功放的制作。     

液晶电视背光源：LED开始取代CCFL

去年10月中旬,在CEATECJAPAN2007（日本高新技术博览会）上．索尼展示了采用LED背光源技术的70英寸液晶电视（见图1）．并展示了该背光灯技术。据悉．此次的70英寸机型采用的LED背光灯与QUALIA005相比,     

基于AMBE-2000的电话语音信号数字化模块设计

通过介绍实现电话语音信号数字化模块的设计方法,详细说明了AMBE-2000的编码后的数据包格式,同时也阐述了芯片的工作原理和应用方法,并对SI3210的工作原理及应用方式做了简单的介绍。     

Sharp LC-45GX6T

液晶彩电是Sharp的强项。Sharp LC-45GX6T采用了Sharp引以为豪的第6代超高画质Hi—Vision液晶面板。创造出世界上第一部45英寸量产化的宽屏幕液晶彩电。它不仅屏幕大，而且清晰度也高，其解像度为1920×1080，总像素高达622万，完全能适应高清晰度数字电视1080i、720p的信号格式。     

碲镉汞深能级载流子弛豫时间的皮秒泵浦-探测研究

采用皮秒泵浦-探测方法研究了碲镉汞材料中非平衡载流子动力学过程,发现其差分透射强度在经过饱和之后出现一个负的极小值,归结为深能级的再吸收过程.采用速率方程模型,并引入两个深能级弛豫时间常数,很好地拟合了差分透射强度的延时曲线.两个深能级弛豫时间常数的存在意味着同时存在两种不同类型的深能级,揭示了碲镉汞材料中深能级特性的...     

MBE生长的PIN结构碲镉汞红外雪崩光电二极管

对中波红外碲镉汞雪崩光电二极管(APD)特性进行理论计算,获得材料的能量散射因子及电离阈值能级与材料特性的相互关系,从而计算器件的理论雪崩增益与击穿电压.通过对材料特性(组分,外延厚度,掺杂浓度等)的优化,设计并生长了适合制备PIN结构红外雪崩光电二极管的碲镉汞材料,并进行了器件验证.结果显示,在10V反偏电压下,该器件电流增益可达335.     

As在HgCdTe外延层中的扩散系数

使用二次离子质谱分析(SIMS)方法研究了As在碲镉汞分子柬外延样品中的扩散系数．获得了在240℃．380℃和440℃温度下As在碲镉汞材料中的扩散系数,并发现它与退火过程中Hg的分压有关,且Hg空位对As的扩散有明显的辅助增强作用．研究表明在低温段的240℃／24—48小时的退火中As的扩散非常有限,对样品中As的浓度分布影响不大,而在高温段380℃／16小时和440℃／30分钟退火中,As扩散较为明显,能使原来的PN突变结变缓．综合比较As杂质的电学激活以及As扩散因素,高温段440℃／30分钟的退火条件较理想．     

分子束外延长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果，获得的HgCdTe外延材料均匀良好，在直径70mm圆内，组份标准偏差率为1.2%，对应80K截止波长偏差仅为0.1μm。经过生长条件的改进，表面开貌获得了大幅度改善，缺陷密度小于300cm^-2，缺陷尺寸小于10μm，可以满足大规模gCdTe焦平面列车的应用需求。