阴极移动对不规则零件镀镍层性能的影响

在电真空器件的制造过程中,不规则零件的镀镍是关键步骤之一。采用阴极移动技术在不规则零件表面沉积了镀镍层。利用X射线荧光仪、激光共聚扫描显微镜、弯曲阴极法研究了阴极移动对镀层沉积率、表面形貌、孔隙率和内应力等的影响。结果表明:当阴极移动速率在1.5m/min以上时,可以明显降低不规则零件的针孔现象,但无法完全消除:阴极移动不会影响不规则零件的电沉积速率,但会使镀层的结晶颗粒变大,导致零件表面粗糙度增大;阴极移动可以显著地降低镀层的孔隙率和镀层的内应力,但是与移动的速率关系不大。     

D2D通信在5G中的应用研究

设备间直接通信(D2D)使得设备之间可以直接传输数据而无须基站转发,可有效降低网络负荷,降低传输时延,提高网络的频谱利用效率,扩大蜂窝网络的覆盖范围,提高系统吞吐量。5G不再只是从2G到3G再到4G的网络传输速率的提升,而是将"人与人"之间的通信扩展到"人—网—物"3个维度的万物互联,打造全移动和全连接的数字化社会。本文主要研究探讨D2D通信技术及其在5G中的应用。     

新型硅压阻式压力传感器的设计、 制作与性能补偿研究

为兼顾高灵敏度与低非线性误差,针对性地设计和研究了一种量程为105ｋＰａ的新型MEMS硅压阻式压力传感器,该传感器通过部分刻蚀 SOI硅膜引入了凸起的压敏电阻和L形半岛结构。首先利用ANSYS有限元模拟仿真分析了传感器的特性、确定了其参数,然后通过MEMS工艺制作了压力传感器芯片并对其进行了封装与测试,实验结果表明,常温下MEMS硅压阻式压力传感器的灵敏度为 0.056ｍＶ/(Ｖ·ｋＰａ),非线性误差为±1.12％, 最后采用最小二乘函数校正法对传感器进行了非线性校正和迟滞误差补偿,性能补偿后MEMS硅压阻式压力传感器在全量程范围内的整体误差小于±0.24％ＦＳ。     

一种可折叠的米波超宽带天线阵列设计

扩大槽线单元开口渐张的比例因子并优化其他参数,压缩天线尺寸,采用金属框架结构,结合镂空和局部切割方法,实现米波超宽带天线单元小型化和轻量化设计。双极化单元正交排布,通过单元分步折叠和阵列骨架分块折叠,实现大型阵列天线自动化撤收与架设。实验阵列口径超过18 m×6 m,可在15 min 内实现快速折叠或展开。实验天线的测试结果与设计一致,表明分析与设计方法正确有效,可推广应用于各种宽带天线及大型阵列天线设计。     

基于FTM算法的GPU加速

为了解决FTM(Front Tracking Method)算法在计算机中计算耗时长的问题,利用CUDA(Compute Unified Device Architecture)来实现FTM算法在GPU中的并行计算。结合GPU并行计算架构的特性以及FTM算法的特点,本文通过共享内存的引入、线程块划分和线程块共享内存边界元素的纳入、迭代方法的改进和迭代过程中存储结构的变换等方法,提出了将FTM算法中的网格计算以及界面标记点处理方法在GPU中的实现方式。最后,通过模拟单气泡在静止液体中的自由上升运动,验证了FTM在GPU中计算的可行性与计算效率的提升。     

铝含量对LaNi_(5-x)Al_x 合金氘化与去氘化热力学函数的影响

测定了LaNi5-xAlx(x =0 .0、0 .1、0 .2、0 .3)的氘化与去氘化热力学参数 ,评价了LaNi5-xAlx 中铝含量对氘化与去氘化热力学函数的影响。研究结果表明 ,合金的坪台压力和吸氘容量随x的增加而降低 ;坪率随x的增加而增加 ;热力学焓变与熵变随x的增加而减少 ;滞后系数Hf 随x的增加而减少。     

铝含量对LaNi5—xAlx合金氘化与去氘化动力学函数的影响

测定了LaNi5-xAlx(x=0,0.1,0.2,0.3)的氘化去氘化的动力学参数,评价了铝含量对LaNi5-xAlx合金的氘化与去氘化动力学函数的影响,研究结果表明,铝含量不改变合金的氘化与去氘化的反应级数;反应速率常数随x 的增加而减少,活化能随x的增加而增加,氘化与去氘化反应级数a和b(由固相氘浓度决定）分别为2和1及0．5和1O在α β相域,氘化与去氘化反应的速控步骤分别为氘化物的成核－长大过程和氘化物中氘的扩散过程。     

铝含量对LaNi_(5-x)Al_x合金氘化与去氘化动力学函数的影响

测定了LaNi5 -xAlx(x =0 ,0 1,0 2 ,0 3 )的氘化与去氘化的动力学参数 ,评价了铝含量对LaNi5 -xAlx 合金的氘化与去氘化动力学函数的影响。研究结果表明 ,铝含量不改变合金的氘化与去氘化的反应级数 ;反应速率常数随x的增加而减少 ;活化能随x的增加而增加 ;氘化与去氘化反应级数a (由气相氘压决定 )和b (由固相氘浓度决定 )分别为 2和 1及 0 5和 1。在α β相域 ,氘化与去氘化反应的速控步骤分别为氘化物的成核 长大过程和氘化物中氘的扩散过程     

活性炭负载Pt-Fe双金属催化剂催化对氯硝基苯选择性加氢

采用浸渍还原法制备了活性炭负载Pt-Fe双金属催化剂(Pt-Fe/AC),考察了其催化对氯硝基苯加氢性能。 与Pt/AC催化剂比较,该催化剂对催化对氯硝基苯加氢表现出高活性和优异的抑制脱氯性能,在乙醇为溶剂、催化剂Pt_0.003-Fe_0.04/AC(下标为元素在催化剂中的质量分数)用量为0.02 g/g对氯硝基苯、1 MPa H₂和30 ℃条件下反应150 min,对氯硝基苯完全转化为对氯苯胺,而且即使在较高的反应温度和H₂压力下,脱氯反应也得到了完全抑制。 采用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)及X射线光电子能谱(XPS)等技术手段对Pt-Fe/AC催化剂进行了表征。 结果表明,Pt、Fe高度分散在活性炭上,Pt与Fe之间的相互作用对纳米Pt粒子的电子结构有一定的调变作用,使纳米Pt处于缺电子态,减弱了Pt与对氯苯胺苯环之间的电子反馈,这可能是Pt-Fe/AC对催化对氯硝基苯加氢表现出高活性和优异的抑制脱氯性能的主要因素。     

Ge,Al共掺SiO2薄膜的发光性能研究

用射频磁控溅射法制备Ge,Al共掺SiO2复合薄膜并以不同温度进行退火,得到具有特定光致发光性质的复合材料。经600℃退火的薄膜样品在260 nm谱线激发下,主要有398和494 nm发光峰。通过对样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱的测试,确定了薄膜的结构特征,同时对观察到的光致发光从理论上做了重点分析,认为双重配位的Si孤对中心和GeO色心中的三重激发态到基态(T1→S0)之间的辐射跃迁分别是产生414和398 nm发光峰的主要原因。实验结果表明,Al的掺入可能在GeO2晶粒中引入了新缺陷能级,从而产生494 nm这一特殊的发光带,同时Al的掺入也提高了398 nm发光峰的发光效率。