Sol-gel法制备纳米SnO2气敏材料的研究

用Sol-gel法制备SnO2纳米粒子，并用XRD、紫外吸收光谱和激光Raman光谱进行了表征和分析。XRD实验证实了所制备的粒子具有较理想的纳料尺寸，其粒径随热退火温度升高而增大；Raman光谱表明低温退火时SnO2纳米材料的氧缺位较大；紫外吸收光谱表明退火温度在300－500℃粒径变化很大，但光的吸收稳定不变，可望利用这些性质，提高SnO2气敏器件的性能。     

少量Ni添加对Al-Rh准晶系微结构的影响

自从发现具有十次对称性的二维准晶以来，十次对称二元合金系准晶由于成分简单成为研究准晶的热点。铝基准晶是准晶系中比较丰富的一族，其中Al-TM系（TM代表过渡族金属，如Mn、Pd、Co、Rh）准晶是一类典型的代表。最早发现Al-Mn二十面体准晶即是铝基准晶。Hiraga曾经报道了Al-Pd系统中存在的1．6nm周期的十次对称准晶及存在正交结构的大单胞晶体的准晶近似相。与Al-Pd结构及原子序数相似的Al-Rh合金系统的有关报道却比较少。Ma等曾报道了Al-Rh中存在周期为1．6nm的十次对称准晶，并研究了这种准晶的热稳定性能，指出它不是一种稳定的准晶。限于当时的电镜设备，有关Al-Rh二元准晶的微观结构报道的也不尽详细。Grushko等后来详细报道了Al-Ni-Rh三元合金系中存在的周期为0．4nm的十次对称准晶。另外还有报道认为微量Si的掺入促进准晶形成更为完美的结构。     

WO3纳米管的模板法制备及表征

0引言 WO3纳米材料具有光致变色、电致变色、气致变色等特性,可用于光学信息和储存显示器、pH值探测器、气敏传感器、灵敏窗口等[1,2];并且在太阳能的储存与利用、光电转换、光催化降解大气和水中的污染物等方面有着广阔的应用前景[3,4],成为近几年重点研究的半导体材料之一.以前纳米WO3的制备主要集中在薄膜上,其薄膜的制备工艺已经相当成熟,主要包括蒸发法、溅射法、CVD法、喷涂法、阳极氧化法、溶胶-凝胶法等[3].     

一种新的WO3纳米管的制备方法

一维纳米材料因可用来构造高性能纳米器件的结构单元而成为纳米材料研究的热点．目前的研究重点集中在材料的制备和结构性能表征方面,已发展了多种制备方法,主要有模板法、V-L-S法、L-L-S法和V-S法等,其中阳极氧化铝(AAO)模板法是制备一维材料的好方法．AAO模板的制备工艺已相当成熟,     

复杂地形环境下基于空间指纹的分布式目标定位方法

基于指纹的定位方法是一种有效的定位方法,在复杂的散射环境中具有广泛的应用前景,近年来引起了人们的极大关注.因此,提出了一种基于指纹的分布式大规模多输入多输出(Multiple-Input Multiple-Output,MIMO)定位方法.利用离散傅里叶变换运算,可以提取具有大量角信息的角域信道功率矩阵作为角到达(Ar...