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以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧(a-SiOx∶∶H)薄膜的微结构及键构型. 研究表明, 在0.52≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx∶∶H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si, Si2O(∶H), SiO(∶H), Si2O3(∶H)和SiO2. 其中的Si相以非氢化的非晶硅(a-Si)颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在. 提出一种多壳层模型来描述a-SiOx∶H薄膜的结构,认为a-SiOx∶H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O(∶H), SiO(∶H), Si2O3(∶H)和SiO2壳层所包围. 随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变. 相似文献
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InP(100) surface treated with (NH4)2Sx has been investigated by using photolumines-cence(PL), Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, It is found that PL intensity increased by a factor of 3.3 after (NH4)2Sx passivation and the sulfur remained on the surface only bonded to indium, not to phosphorus. This suggests that the sulfur atoms replace the phosphorus atoms on the surface and occupy the phosphorus vacancies. 相似文献
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21世纪的光学和光电子学讲座 第二讲 硅基发光材料和器件研究 总被引:2,自引:0,他引:2
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键.文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2 等超晶格结构材料.展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景 相似文献
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21世纪的光学和光电子讲座第二讲 硅基发光材料和器件研究 总被引:1,自引:1,他引:0
硅基发光材料和器件是实现光电子集成的关键。文章评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺饵硅,多孔硅,纳米硅以及Si/SiO2等超晶格结构材料,展望了这些不同硅基发光材料作为发光器件和在光电集成中的发展前景。 相似文献
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掺铒SiOx1.54μm强的室温光致发光 总被引:2,自引:0,他引:2
采用等离子化学汽相溶积方法,改变SiH4和N2O的流量比制备含有不同氧浓度的SiOx,用离子注入方法将铒掺入SiOX,C 300-935℃快速热退火。 相似文献
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利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAs上形成低阻的欧姆接触,研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400-500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为-10^-6Ω.cm^2,接触层的表面光滑、界面平整,利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SIMS)揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理。 相似文献
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利用光致发光谱、X射线光电子谱和俄歇电子谱等技术研究了(NH_4)_2S_x和P_2S_5/(NH_4)_2S_5化学钝化GaAs(100)表面.结果表明,(NH_4)_2S_x中S钝化可以完全去除GaAs表面的氧化物.P_2S_5/(NH_4)_2S_x中P_2S_5对降低G_2A_5表面态密度,提高光致发光强度是有效的.钝化表面P氧化物存在对防止GaAs表面初期氧化起重要作用.
关键词: 相似文献
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<正> 第二届全国半导体物理学术会议于1979年11月8日至14日在安徽省合肥市召开.出席这次会议的有领导机关、研究单位、高等院校、情报出版、工厂等74个单位的135名代表.11月8 日上午,由中国物理学会常务理事、中国科学院半导体所所长黄昆主持开幕式.安徽省委第一书记万里, 相似文献