PASSIVATION OF THE InP(100) SURFACE USING (NH4)2Sx

InP(100) surface treated with (NH₄)₂S_x has been investigated by using photolumines-cence(PL), Auger electron spectroscopy and X-ray photoelectron spectroscopy, It is found that PL intensity increased by a factor of 3.3 after (NH₄)₂S_x passivation and the sulfur remained on the surface only bonded to indium, not to phosphorus. This suggests that the sulfur atoms replace the phosphorus atoms on the surface and occupy the phosphorus vacancies.     

掺铒纳米晶硅和掺铒非晶纳米硅薄膜的发光性质

采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备含有纳米晶硅的SiO2（NCSO）和含有非晶纳米硅颗粒的氢化非晶氧化硅（a—SiOx：H）薄膜。采用离子注入和高温退火方法将稀土Er掺入含有纳米晶硅（ncSi）和非晶纳米硅（a—n—Si）颗粒的基体中。利用IFS／20HR傅里叶变换红外光谱仪和微区拉曼散射光谱仪研究含有纳米晶硅和非晶纳米硅颗粒的薄膜掺稀土前后的发光特性。结果表明来自Be-Si在800nm的发光强度比来自a—SiOx：H基体中非晶纳米硅的发光强度高近一个数量级,而来自a-SiOx：H在1．54μm的发光强度比NCSO高4倍。还研究了掺铒a-SiOx：H薄膜中Si颗粒和Er^3＋的发光强度随退火温度的变化,结合掺铒纳米晶硅和非晶纳米硅薄膜发光强度随Er掺杂浓度变化和Raman散射等的测量结果,进一步明确指出a-Si颗粒在Er^3＋的激发中可以起到和nc-Si同样的作用,即作为光吸收介质和敏化剂的作用。     

利用快速热退火在n－GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触．研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００～５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～１０－６Ω·ｃｍ２．接触层的表面光滑、界面平整．利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）一揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理．     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础,如果将经们集成在一个芯片上,信息传输速度,存储和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现有的集成电路是采用硅材料,而发光器件用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟,因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件成为发展光电     

Structural properties of polycrystalline silicon films formed by pulsed rapid thermal processing

A novel pulsed rapid thermal processing (PRTP) method has been used for realizing solid-phase crystallization of amorphous silicon films prepared by plasma-enhanced chemical vapour deposition.The microstructure and surface morphology of the crystallized films were investigated using x-ray diffraction and atomic force microscopy.The results indicate that PRTP is a suitable post-crystallization technique for fabricating large-area polycrystalline silicon films with good structural quality,such as large grain size,small lattice microstrain and smooth surface morphology on low-cost glass substrates.     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础。如果能将它们集成在一个芯片上,信息传输速度,储存和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现在的集成电路是采用硅材料,而发光器件则用ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体。Ｉｌｌ－Ｖ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟。因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件的研究,包括掺铒硅、多孔硅、纳米硅以及 Ｓｉ／ＳｉＯ_２等超晶格结构材料,并展望了这些不同硅基发光材料和发光器件在光电集成中的发展前景。     

a-Si∶O∶H薄膜微结构及其高温退火行为研究

以微区Raman散射、X射线光电子能谱和红外吸收对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备的氢化非晶硅氧(a-Si∶O∶H)薄膜微结构及其退火行为进行了细致研究.结果表明a-Si∶O∶H薄膜具有明显的相分离结构,富Si相镶嵌于富O相之中,其中富Si相为非氢化四面体结构形式的非晶硅(a-Si),富O相为Si,O,H三种原子随机键合形成的SiO_x∶H(x≈1.35).经1150℃高温退火,薄膜中的H全部释出;SiO_x∶H(x≈1.35)介质在析出部分Si原子的同     

掺铒GaN薄膜光致发光的研究

采用傅立叶变换红外光谱（FT－IR）研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性，光致发光谱（PL）的测量结果表明：选用退火时间长的电阻加热退火护退火，有利于薄膜中晶格损伤的恢复，MOCVD，MBF两种方法制备的GaN薄膜，注入铒，退火后的PL谱形状基本一样，薄膜中O，C的含量越大，可能导致1539nm处的PL强度越强，不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大，在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30％，MBE生长的GaN/Al2O3样品，注入铒，退火后，当测量温度从15K变化到300K时，样品发光的温度猝灭是30％。     

Si(100)面的红宝石激光辐照氧化问题

利用溅射AES,Normaski显微术和IR吸收光谱研究了在空气中用调Q红宝石激光辐照的Si(100)面.脉冲能量密度为(0.8—2.5 J·cm~(-2)),脉冲宽度～30ns.实验结果表明,辐照后的硅表面没有形成>10A的SiO_2层,氧的沾污深度只有～50A.     

Role of amorphous silicon domains of Er^3＋ emission in the Er—doped hydrogenated amorphous silicon suboxide film

An investigation on the correlation between amorphous Si (a-Si) domains and Er^{3+} emission in the Er-doped hydrogenated amorphous silicon suboxide (a-Si:O:H) film is presented. On one hand, a-Si domains provide sufficient carriers for Er^{3+} carrier-mediated excitation which has been proved to be the highest excitation path for Er^{3+} ion; on the other hand, hydrogen diffusion from a-Si domains to amorphous silicon oxide (a-SiO_x) matrix during annealing has been found and this possibly decreases the number of nonradiative centres around Er^{3+} ions. This study provides a better understanding of the role of a-Si domains on Er^{3+} emission in a-Si:O:H films.