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掺铒a-Si:H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构 总被引:2,自引:0,他引:2
采用等离子化学气相淀积方法,改变SiH4和H2O的流量比制备含有不同氧浓度的a-Si:H,薄膜,用离子注入方法掺入铒,经300-935℃快速热退火,在波长1.54μm处观察到很强的室温光致发光。氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系,不是单调地随氧含量的增加而增强,研究了掺铒a-Si:H,O薄膜和微结构,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系。 相似文献
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采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2. 相似文献
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采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx sub>∶H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和 1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示 出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个 复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解 释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2.
关键词:
铒
光致发光
氧含量 相似文献
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利用Raman散射谱研究了GaN注Er以及Er+O共注样品的振动模,并讨论了共注入O对Er离子发光的影响. 在Raman散射谱中,对于注Er的GaN样品出现了300 cm-1和670 cm-1两个新的Raman峰,而对于Er+O共注样品,除了上述两个峰外,在360 cm-1处出现了另外一个新的峰,其中300 cm-1峰可以用disorder-activated Raman scattering (DARS)来解释,670 cm-1峰是由于与N空位相关的缺陷引起的,而360 cm-1峰是由O注入引起的缺陷络合物产生的. 由于360 cm-1模的缺陷出现,从而导致Er+O共注入GaN薄膜红外光致发光(PL)强度的下降.
关键词:
GaN
Er
Raman散射
光致发光 相似文献
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Co—Si多层膜的透射电镜研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。 相似文献
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