扭臂式静电微驱动器的pulli-n现象分析

从扭臂式微驱动器模型出发,分析了器件在静电驱动条件下pulli-n现象的产生条件,并给出公式化结果。讨论了器件的几何结构参数对于pulli-n现象的影响,并对具体结构的器件给出了pulli-n角度和pulli-n电压等方面的分析结果。对于特定的扭臂结构,pulli-n角度为悬臂梁最大扭转角度的44.04%,且与扭臂的结构参数无关。     

具有倾斜下电极的扭臂驱动结构的设计与制作

分析了扭臂驱动结构的上电极端部位移与外加电压之间的关系,提出了一种具有倾斜下电极的驱动结构,并通过倾斜一定角度的(111)硅片的各向异性腐蚀制作了倾斜下电极.理论分析和实验结果表明,倾斜下电极的pull-in电压几乎比平面下电极的pull-in电压降低一半.     

1.3μm直条形吸收区超辐射发光管的复折射矢量束传播方法模拟

束传播方法广泛的地无源波导器件的模拟与设计，为了能够模拟有源器件，例如金属包层波导和超射发光二极管（ＳＬＤ），我们将复的射率引入其中，器件的增 吸收通过折射率为描述，用复折射率的有奶差分敌意一束传播方法，我们对１．３μｍ直条形吸收区ＳＬＤ进行了模拟与设计，并且给出一种新结构。     

二维三角形面元的自动产生方法

本文从程序设计角度介绍一种用于半导体器件模拟的二维三角形面元的自动产生方法，该方法简单易行，适于在开发器件模拟软件时采用。     

InGaAs（P）分别限制应变单量子阱激光器的优化设计

针对较常用的ＩｎＧａＡｓ（Ｐ）分别限制应变单量子阱激光器，给出了为得到最大净增益的优化设计参数。对于激射波长为１．５５μｍ的无应变激光器，最佳的光限制层波长为１．２４μｍ，厚度为１００ｎｍ。当阱材料引入压缩应变后．由于价带的有效状态密度减小，量子阱激光器的微分增益变大，阱深的增大对增大线性增益的效果更加明显．所以最佳光限制层的波长将变短，为１．２０μｍ     

1.55μm In_(1 - x - y) Ga_y Al_x As压缩应变量子阱激光器的近似阱宽和光增益公式

应用 Harrison模型和各向异性抛物带近似理论计算了 In1- x- y Gay Alx As压缩应变量子阱的能带结构 .为设计 1.55μm发射波长的激光器 ,对可能组分范围内材料的阱宽、微分增益、透明载流子浓度做了系统分析 ,得到一些有用的拟合公式     

MOEMS光开关静电驱动的优化设计

给出基于硅的微机械光开关的设计分析。优化设计了光开关结构，提出了一种降低扭臂式结构光开关驱动电压的方法。并根据不同结构，给出了静电驱动等方面的分析结果。     

8×8 MEMS光开关阵列的制作

采用MEMS技术制作了静电驱动的扭臂结构8×8光开关阵列,主要包括上下电极的制作.利用硅在KOH溶液中各向异性腐蚀特性及(110)硅的结晶学特点,在(110)硅片上制作出8×8光开关微反射镜上电极阵列,考虑到在腐蚀时微反射镜有很大的侧蚀,对开关结构进行了调整.在偏一定角度的(111)硅片上制作了倾斜的下电极.整个开关制作工艺简单,成本低.开关寿命大于1000万次,开关时间小于10ms.     

基于SOI非对称马赫曾德尔结构的集成矢量和微波光子移相器(英文)

设计和分析了一种基于SOI(绝缘体上的硅)脊型波导非对称马赫曾德尔结构的集成矢量和微波光子移相器。对于10 GHz的微波信号,设定非对称两臂的长度差为3 983μm时,其相应的时间延迟约为47 ps。分别在两臂上集成了一个热光可调谐可变光衰减器用于光学调谐,当衰减单元的折射率在0～6×10-3变化时,实现了10 GHz微波信号在0～180°的相位调谐。该器件尺寸小、结构紧凑,易于实现片上集成,在光控相控阵雷达中很有应用前景。     

通用二维波导模式数值计算方法及其应用

给出了一种通用精确的二维光波导模式有限差分数值计算方法，在处理波导边界时采用了无穷边界（导数为零）或消逝边界（场为零）在波导内部两种介质的界面处采用了电磁场边界条件，这样可得到标准的本征方程，允许不同波导层采用不同的差分间距，但同一波导要求采用均匀剖分，该方法适用于任何形式的波导。作为应用，文章对金属包层多量子阱光波导的模式双折射特性做了理论分析。