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71.
通过分析硅芯硅棒清洗方式的现状,提出其自动清洗设备研制的必要,介绍了全自动硅芯硅棒清洗机的技术参数和工艺流程,详细分析了设备的结构设计,包括工艺清洗系统、传动系统、电气控制系统、排风系统、管路系统和设备主体等。 相似文献
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76.
葛励冲 《电子工业专用设备》1996,25(4):49-56
不用离轴滤波器增大焦深的新型曝光方法已研制成功,为KrF(248nm)准分子激光光刻技术生产第二代64MDRAM器件增添了活力。用这种新方法制作0.35μm的X、Y向及斜向的图形,可使焦深增大45%以上。对实际的0.30μm规格以下的器件,用四极照明和环形照明都不可能获得线问对图形的公共焦深。对这种器件,采用新型的变形光束(MBI)曝光方法,焦深可增大到1.1μm以上。 相似文献
77.
78.
一类局部定向完备集及其范畴的性质 总被引:4,自引:0,他引:4
本文给出了局部定向完备集的概念及其在此结构下的一种新的双小于关系,从而进一步给出了一种新的连续性概念,接着讨论了局部定向完备集,连续的局部定向完备集等对象的一些性质,最后考察了三种范畴的笛卡儿闭性,并证明了范畴LDCPO是范畴ALG的反射满子范畴. 相似文献
79.
对皮肤美容、护理光子技术的基本原理进行了分析,比较了目前国内外流行的皮肤光疗系统的优缺点,设计了一种多波长LED皮肤美容光疗系统。系统选择高亮度LED作为光源,并采用6种波长:红外,红、橙、黄、绿、篮LED形成多个面阵光源。系统的光疗方案可选,应用范围广,适应性强。 相似文献
80.
非负严格对角占优三对角矩阵逆元素的估计 总被引:1,自引:0,他引:1
蔺青冲 《数学的实践与认识》1993,(1)
估计非负三对角矩阵的逆矩阵元素的值,在样条插值的凸性研究方面十分重要.文献[1]给出三对角阵 A=diag(α_i,ρ_i,β_i)在 x_i+β_i=1条件下的估计式.但在样条插值的连续性方程中有许多三对角阵只是非负严格对角占优的,如象在归范样条曲线和局部张力样条曲线插值的情形.因此本文给出非负严格对角占优三对角阵逆元素新的一类估计式. 相似文献