基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺的高线性射频功率放大器

采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计应用于无线局域网(WLAN )802.11b/g 2.4 GHz 频段的Class AB 射频功率放大器.该放大器采用两级放大结构,具有带温度补偿的线性化偏置电路.仿真结果显示:电路的输入匹配S11小于-13 dB,输出匹配S22小于-20 dB,功率增益达27.3 dB,输出1 dB压缩点为23 dBm, 最大功率附加效率(PAE)为21.3%;实现了匹配电路、放大电路和偏置电路的片上全集成,芯片面积为1 148 μm×1 140 μm.     

一种用于多模宽带无线接收机的2.1-6GHz频段锗硅BiCMOS低噪声放大器设计

本文提出了一种带ESD保护的,用于多模宽带无线接收机的锗硅BiCMOS低噪声放大器。该放大器基于0.18μm锗硅BiCMOS工艺实现,覆盖频率范围达到2.1-6GHz。经过优化噪声模型及电路分析设计,最终的测试结果表明,在整个带宽上低噪声放大器的增益达到12dB,输入三阶交调点为在6GHz处-8dBm,噪声系数为2.3～3.8dB。电路供电电压为2.5V,总功耗为8mW,ESD保护电路可以提供2kV的人体击穿模型电压。     

传感器精度的状态估计方法

利用卡尔曼滤波方法可对传感器精度进行状态估计。本文讨论了卡尔曼滤波中黎卡提方程的反问题，并对观测传感器精度以一定的估计误差进行数值寻优。短文与研究通讯     

安必昂推出新品贴片机,成立中国能力中心

当前,高端电子产品的需求不断增长,生产量不断攀升,特别是3G时代的到来,有望将这种增长推向另一个高峰.可以预见,3G手机以及娱乐休闲用iPod,DVD播放器等高端电子产品,在中国将有更大的市场.     

Eu~(2+)浓度对Sr_2Si_5N_8∶Eu~(2+)红粉热猝灭机制的影响

采用高温固相法制备了不同Eu2+浓度掺杂的Sr2Si5N8红色荧光粉,并对其晶体结构、形貌、发光和热猝灭性能进行了详细的研究。XRD和SEM测试表明,所合成的样品为纯相Sr2Si5N8结构,具有较高的结晶度。PL光谱数据表明,Eu2+替代Sr2+格位形成两种不同的发光中心。温度特性测试发现,样品的热猝灭性能很大程度上取决于Eu2+浓度。随着Eu2+浓度的增加,样品的热猝灭性能先增强后降低。不同发光中心的荧光强度比和荧光寿命测试结果表明:在较低Eu2+掺杂条件下,Eu2+浓度引起热猝灭性能改变的机制主要归因于Eu2+占据不同Sr2+格位的几率的改变。     

移动显示屏发货突破10亿,飞利浦移动显示系统扩大在华投资

飞利浦移动显示系统(MDS)隶属于飞利浦半导体部,是国内第一家也是最大的一家移动显示屏国际制造商,在电信显示屏领域处于世界领先地位,市场占有率达26%:全球1/4的手机采用飞利浦MDS的技术.     

中国平板电视在正确的道路上前进--专访康佳数字平板事业部总经理刘丹先生

康佳数字平板事业部总经理刘丹先生,1994年毕业于中国电子科技大学,同期进入康佳集团工作。由于成绩突出,两年后被调往东莞康佳工作,历任副厂长、厂长,成为康佳当时最年轻的厂长。1999年被召回总部后,他开始了6年的管理生涯。鉴于其在技术开发、质量控制和销售管理方面的经验与突出成绩,2005年他被任命为康佳集团多媒体数字平板事业部总经     

步进电机控制芯片UDN2916LB原理及应用

UDN2916LB是SANKEN公司推出的一款两相步进电机双极驱动集成电路，能够躯动双绕组双极步进电机，特别适用于目前国内税控市场双步进微型打印机电机的控制。     

光致荧光诱导的分子开关合成

二噻吩乙烯类化合物是目前光致变色分子开关研究的热点[1～3].2002年,Irie[4]首次报道了光致闪光分子开关的合成,将荧光结构单元和分子开关结构单元结合在一起,起到光控闪光的效果.本文将咔唑类荧光单元和二噻吩乙烯类化合物分子开关连接在一起,试图通过紫外光的照射将荧光分子从基态激发到激发态,当激发态返回到基态的过程中,将能量有效地传递给分子开关,调控分子开关,实现分子开关的光致荧光诱导.     

光干涉图阴影校正

介绍了阴影噪声校正的方法,对干涉图中阴影噪声的类型进行说明,提出了在空域上对干涉图中加性阴影噪声校正的模板分块取最小值法和手动判据法以及乘性阴影噪声校正的高斯模糊方法,并且进行了理论分析和实际干涉图像处理,验证了其可行性,同时得到比较理想的结果。