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本文分析了高压MOS器件中的负阻效应,描述了负阻击穿机理的物理模型,提出了一种新颖的双栅高压MOS结构,有效地抑制了负阻击穿,从而提高了器件的可靠性.  相似文献   
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本文提出了一种新的考虑两种不确定性的模糊决策方法。该方法采用贴近测度SM和阈值λ以决定是否启用某条规则,井用修正函数MF修正推出的结论;然后,再利用专家对规则的置信度SC再一次校正修正后的结论。这种决策方法将为专家系统提供有效的推理工具。本文最后,提出了算法及例子。  相似文献   
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600 MHz 150W硅脉冲功率晶体管   总被引:3,自引:2,他引:1  
600MHz150W硅脉冲功率晶体管王因生,陈正东,张树丹,谭卫东,郑承志,刘六亭,康小虎,周德红,陈统华(南京电子器件研究所,210016)A600MHz150WSiliconBipolarPulsedPowerTransistor¥WangYin...  相似文献   
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