对化学反应数据分类获取反应知识的新方法

尽管已有大量化学反应数据可供使用,但化学家仍常常感到很难便捷地从中得到所需的信息.这主要是由于反应数据库基于结构的检索方法与化学家解决问题的方法相去甚远.为解决这一问题而发展了一种通过对反应进行二级分类得到精细描述反应知识的层次模型的方法.第一次分类时不同的同类反应都在由一组普适性好的称作反应结构一级描述符构成的空间中进行.在第一次分类结果的基础上,得到每一类反应的公共结构特征作为第二次分类的结构描述符,利用它们进行更精细的分类,即可从原始反应数据中得到所需的基核反应.由特定反应、基核反应和基型反应就可将反应知识更合理地组织在同类反应知识库中,使它们得到更好的利用.     

用原子力显微镜和扫描电镜研究GaN外延层中的位错腐蚀坑

用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以解释.纯螺位错易于沿着由它结束的表面阶梯被腐蚀,形成一个小的Ga极性面以阻止进一步的纵向腐蚀,因而其腐蚀坑是位于两个表面阶梯交结处的截底倒六棱椎.纯刃位错易于沿位错线被腐蚀,因而其腐蚀坑是沿着表面阶梯分布的尖底倒六棱椎.极性在GaN的腐蚀过程中起了重要作用.     

电压应力下超薄栅氧化层n-MOSFET的击穿特性

研究了90nm工艺下栅氧化层厚度为1.4nm的n-MOSFET的击穿特性，包括V-ramp(斜坡电压)应力下器件栅电流模型和CVS(恒定电压应力)下的TDDB(经时击穿)特性，分析了电压应力下器件的失效和退化机理.发现器件的栅电流不是由单一的隧穿引起，同时还有电子的翻越和渗透.在电压应力下，SiO₂中形成的缺陷不仅降低了SiO₂的势垒高度，而且等效减小了SiO₂的厚度(势垒宽度).另外，每一个缺陷都会形成一个导电通道，这些导电通道的形成增大了栅电流，导致器件性能的退化，同时栅击穿时间变长. 关键词： 超薄栅氧化层 斜坡电压 经时击穿 渗透     

含芳烃废水的C1O2催化氧化处理

在自行设计、建立的废水催化氧化反应实验装置上对氯酚、苯酚及苯胺废水进行了C1O2催化氧化处理。苯酚、邻氯苯酚、苯胺的去除率分别达到99．5％、99．3％和97．86％，而相应的CODcr去除率分别为81．6％、83．1％和83．54％．通过对反应中间产物的测定分析发现，用ClO2作氧化剂，在常温常压下催化氧化废水中的芳烃化合物，可以将大分子苯环类污染物氧化分解成小分子的中间产物，从而提高了废水的可生化性，这为ClO2催化氧化技术与生化技术组合处理提供了可行性．     

基于信道化的调谐率测量研究

阐述了正交双通道信号的特性,给出了16路和32路的信道模型.在此基础上,让待测的线性调频信号,三角调频信号和正弦调频信号分别通过这两种信道,然后用正交双通道法对输出信号取包络,就可以求得每一个通道的调谐率,最后总结出信道教量差异和调谐方式不同对测试产生的影响.     

一种基于人脸表情识别的软件自动换肤技术研究

人脸表情识别和软件换肤分别作为人机交互中的智能化和人性化技术得到了深入的研究.文中结合以上两种技术提出了基于人脸表情识别的软件界面自动换肤思想,介绍了一种软件界面自动换肤系统的设计,并讨论了主成分分析检测定位模型.仿真结果证明了该方案的可行性.     

Zn(0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4/聚邻甲基苯胺复合物的制备和电磁性能

用化学沉淀法和原位聚合法分别制备了Zn0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4铁氧体纳米粒子和Zn0.6Mn0.2Ni0.2Fe2O4铁氧体/聚邻甲基苯胺复合微粒(ZMNF/POT).通过现代测试技术表征了样品组成、结构、形貌和电-磁性能.结果表明,POT对ZMNF粒子具有较好的包覆作用;复合物电导率与POT的含量成正比,而磁性能与ZMNF粒子的含量相关;在1～15MHz频段内,POT和ZMNF/POT复合物的介电损耗与其电导率表现出一致性;复合物具有可观的磁损耗,比磁介质型ZMNF的大,且ZMNF含量为31.74 wt%的复合物的磁损耗最大,有望作为屏蔽和吸收电磁波材料获得应用.     

应力下LDD nMOSFET栅控产生电流退化特性研究

研究了LDD nMOSFET栅控产生电流在电子和空穴交替应力下的退化特性。电子应力后栅控产生电流减小,相继的空穴注人中和之前的陷落电子而使得产生电流曲线基本恢复到初始状态。进一步发现产生电流峰值在空穴应力对电子应力引发的退化的恢复程度与阈值电压和最大饱和漏电流不同。电子应力中陷落电子位于栅漏交叠区附近的沟道侧I区和LDD侧的II区中氧化层中。GIDL应力中,空穴注入进II区中和了陷落电子,使得产生电流的退化基本得到恢复,但这些空穴并未有效中和I区中的陷落电子,因此阈值电压和最大饱和漏电流退化恢复的程度较小,分别为20%和7%。     

WSI Polycide工艺的研究

文章基于0.5μm CMOS工艺,研究了造成Polycide工艺中WSI剥落、色斑等异常现象的原因。同时,研究了WSI淀积前清洗、退火温度及Cap Layer层对WSI薄膜翘曲度及应力的影响,并通过实验优化,以大量的数据为依据,对影响WSI薄膜特性的工艺参数进行调试和论证,主要考察更改各条件对圆片翘曲度及应力的变化,并通过显微镜镜检圆片表面,获得了0.5μm Polycide工艺较优的工艺条件。实验结果表明,在WSI淀积后增加Cap Layer层工艺对Polycide工艺工期WSI剥落、色斑等异常有较好的改善作用,且圆片表面形貌能达到MOS器件的工艺制造要求。