芯片制造过程中的电化学侵蚀控制

芯片金属键合孔上的电化学侵蚀会引起封装时键合接触不好等问题,因此在芯片加工时消除电化学侵蚀非常重要。文章通过一个解决侵蚀斑问题的案例,找到了引起侵蚀斑的根本原因和有效的解决方法,阐述了电化学侵蚀反应的理论模型。通过严控冲水后和甩干工艺间的间隔时间可以彻底解决由于湿法清洗工艺引起的电化学腐蚀。     

活性小分子DHMBA含氮衍生物的合成及其抑菌活性

以没食子酸甲酯为原料,通过甲基化、还原反应制得牡蛎中的活性小分子DHMBA,并进一步通过PCC氧化、缩合反应合成其含氮衍生物(4a～4d);为进行构效分析,分别选用与DHMBA分子结构相近的丁香醛和2,3,4-三羟基苯甲醛作为原料,通过缩合反应制得一系列含氮衍生物(5a～5d)和(6a～6d),其结构经¹H NMR, ¹³C NMR和HR-MS(ESI)表征。采用滤纸片法测试了化合物2～6对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌的抑制活性。结果表明:在10～40 mg·mL^-1内,化合物4～6对受试菌种均表现出一定的抑制活性,其中4b、 6b和6d的抑菌活性最为显著。      

Phase precision of Mach–Zehnder interferometer in PM2.5 air pollution

This paper theoretically explores the effect of PM2.5 air pollution on the phase precision of a Mach–Zehnder interferometer. With the increasing of PM2.5 concentration, phase precision for inputs of coherent state vacuum state and inputs of coherent state squeezed vacuum state will gradually decrease and be lower than the standard quantum limit.When the value of relative humidity is increasing, the precision of two input cases is decreasing much faster. We also find that the precision for inputs of coherent state squeezed state is better than that of coherent state vacuum state when PM2.5 concentration is lower. As PM2.5 concentration increases, the precision for inputs of coherent state squeezed state decreases faster, and then the two precisions tend to be the same while the concentration is higher.     

高栅压电子注入损伤对产生电流的影响

用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷阱电子起主导作用,从而减小了漏电压的有效作用,使得产生率最大值变小.应用这种新模型定量得出了影响漏电压的等效电荷密度.     

p-GaN ICP刻蚀损伤研究

运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致.     

P-GaN ICP刻蚀损伤研究

运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范围内,刻蚀并没有引起表面形貌较大的变化,刻蚀表面的均方根粗糙度在1.2nm以下.结果还显示,已刻蚀p-GaN材料的电特性与物理表面形貌没有直观联系,刻蚀后欧姆接触特性变差更多地是因为刻蚀中浅施主能级的引入,使表面附近空穴浓度降低所致.     

Sulfonylurea类ALS/AHAS抑制剂作用方式的分子对接研究和新抑制剂的虚拟筛选

采用Dock5和Autodock3的组合, 从乙酰乳酸合成酶(ALS)的晶体结构出发, 对五个磺酰脲分子和三个类磺酰脲分子与ALS的相互作用方式进行了详细的分子对接研究, 并结合对ALS与氯嘧磺隆(类磺酰脲)共结晶的复合物晶体结构的分析得出了一个简化的药效团模型, 与前人利用其它手段得到的药效团模型一致. 结合此药效团模型并根据sulfonylurea类分子与ALS的作用机理, 我们对425个具有不同除草和杀虫作用的已知农药和ALS进行了分子对接研究和筛选, 从中发现了一些可能对ALS有抑制作用的农药分子. 此结果可以很好地解释这类农药的结构和活性的关系, 对设计、开发新ALS抑制剂的先导化合物提供依据和指导.     

毛细管区带电泳的电渗流

本文综述了毛细管区带电泳的电渗流速度公式，测量电渗流的方法和影响电渗流的主要因素。     

一种高灵敏度光纤Bragg光栅高压传感器

为了提高光纤Bragg光栅（FBG）压力传感器测量的灵敏度,建立了基于薄壁圆筒的压力转换模型。应用弹性力学理论分析其工作原理,推导出应变片应变量与外部压力的关系,结果表明,改变圆筒内外径比和应变片几何尺寸可以提高放大系数。以3J53材料为例进行了数值计算,结果表明,在70MPa的工作压力下,FBG的应变为44pm／MPa,是采用裸光栅测量压力灵敏度的14倍。     

分布式光纤Bragg光栅波长校准方法

提出了一种利用标准参考光谱进行波长校准的方法。实验中利用由宽带光源和光纤可调谐滤波器组成的可调谐光源分别扫描了参考光谱和传感光栅的光谱。在参考通道,ITU标准参考模块的输出是具有固定波长的梳状光谱。利用高斯拟合算法计算出由标准参考透射谱峰值输出的对应的驱动电压,通过样条插值函数获得了滤波器输出波长与驱动电压的关系。计算光栅反射谱峰值对应的驱动电压,利用上面获得的滤波器输出波长与驱动电压的关系式可以计算出传感光栅的Bragg波长。实验结果表明,在较大的波长范围内实现了对多个传感光栅的波长校准,减小了由滤波器非线性输出造成的测量误差,具有较高的重复性。